微纳电子技术杂志 北大期刊 统计源期刊

MBE自组装量子点生长和结构形态研究

作者：吴巨 金鹏 吕小晶 王占国 曾一平 王宝强 姚然 刊期：2008年第08期

综述了对自组装量子点形态和生长过程所做的探讨和研究。介绍了关于量子点成核和形态的热力学理论、量子点生长过程的计算机模拟及Ge／Si（001）和InAs／GaAs（001）量子点生长和形态的实验观察。鉴于InAs／GaAs（001）体系的复杂性，把对InAS量子点的观察和研究分为“微观”和“宏观”两种。微观研究对象包括量子点原子尺度上的结构、量子点表...

等平面化SiCMESFET的研制

作者：杨霏 陈昊 潘宏菽 默江辉 商庆杰 李亮 闫锐 冯震 杨克武 蔡树军 姚素英 刊期：2008年第08期

在原有设计以及工艺的基础上，采用了器件表面等平面化处理及侧壁钝化工艺，器件工作电压大幅度提高，截止漏电流降低约两个数量级，跨导提高1．5mS／mm。2GHz下测试，微波功率附加效率提高10％左右，增益平均提高了2dB，在VDs=60V的条件下单管功率输出达到了86．5W。经过内匹配和功率合成研制成大功率的SiC脉冲功率管的综合性能较好，在250W的...

808nm大功率连续半导体激光器研究

作者：杜伟华 杨红伟 陈宏泰 李雅静 王薇 陈国鹰 刊期：2008年第08期

利用金属有机化学气相淀积（MOCVD）技术，生长了A1GaInAs／A1GaAs分别限制压应变单量子阱材料，利用该材料制成3mm宽、填充因子20％的半导体激光器阵列（版型100μm／500ham，6个发光单元），通过腔面反射率设计确定了最佳反射率，采用CS载体标准封装。在输入电流8A、水冷19℃条件下测试，输出功率达到8．4W，阈值电流为1．8A，斜率效率为1．26W...

C20富勒烯分子及异构体的密度泛函方法研究

作者：张秀梅 王利光 郁鼎文 李勇 刊期：2008年第08期

为更好地研究小富勒烯分子的形成机理和存在方式以及更好地了解它们的各种物理化学性质，利用密度泛函理论，在B3LYP／6-31G^＊方法和基组水平下对分属D2h、C2h、C2、Ci和D3d对称群的C20富勒烯分子及异构体进行了结构优化、频率计算和自然键轨道分析，得到了它们的能量、能隙、振动光谱、电子结构特性。结果表明：C20分子具有明显的离域特征，这...

下期部分目次预告

刊期：2008年第08期

表面活性剂在纳米材料合成中的应用

作者：解修强 佘希林 袁芳 胡艳芳 刊期：2008年第08期

阐述了表面活性剂分散机制及在纳米材料制备中的分散作用，介绍了以表面活性剂为基础的各种纳米材料制备方法的机理：如以表面活性剂形成的各种有序聚集体为模板的模板法、用表面活性剂稳定形成的微乳液为介质的微乳法、水热法、溶胶一凝胶法等。重点总结了表面活性剂在不同方法制备纳米材料中的最新性、前沿性的研究成果，并展望了表面活性剂在...

Si基SiC微通道及其制备工艺

作者：王亮 孙国胜 刘兴防 赵永梅 宁瑾 王雷 赵万顺 曾一平 李晋闽 刊期：2008年第08期

提出了一种用于MEMS的硅基SiC微通道（阵列）及其制备方法，它涉及半导体工艺加工硅晶片和化学气相淀积方法制备SiC。在Si（100）衬底上用半导体工艺刻蚀出凹槽微结构，凹槽之间留出台面，凹槽和台面的几何尺寸（深度、宽度、长度）及其分布方式根据需要而定，此凹槽微结构用作制备SiC微通道的模板；用化学气相淀积方法在模板上制备一厚层SiC材...

Si微电容式加速度计动态参数的提取

作者：郑锋 卞玉民 刊期：2008年第08期

介绍了一种电容式微Si加速度计的基本结构以及静电激振法用于电容加速度计动态参数测试的基本原理。提出了在开环条件下，采用静电激振法对该类型电容加速度计动态参数测试的电路方案。通过分析获得了扫频特性曲线和阶跃响应曲线，得到了传感器的固有频率、阻尼比。试验结果表明，采用静电激振法得到的结果与传感器设计值比较接近。可以认为，开...

MEMS压阻加速度传感器阻尼特性研究

作者：卞玉民 郑锋 何洪涛 刊期：2008年第08期

研究了空气阻尼对MEMS压阻加速度传感器性能的影响，建立了传感器动力学模型和空气阻尼模型，分析了空气间隙大小与传感器阻尼系数的相互关系，通过控制空气间隙可以达到控制加速度传感器阻尼的目的。根据分析结果设计了三明治结构封装的传感器，应用有限元仿真软件，对传感器的应力和应变进行了仿真计算，完成传感器结构参数设计；采用MEMS体硅...

分子束外延InAs量子点的RHEED实时原位分析

作者：李美成 王禄 熊敏 刘景民 赵连城 刊期：2008年第08期

介绍了利用反射式高能电子衍射（RHEED）方法在自组装InAs量子点制备过程中进行结构分析的理论研究与实验工作的最新进展。从反射式高能电子衍射在InAs量子点临界转变状态测定、量子点表面取向、量子点应力分布测定、量子点形核长大动力学过程研究等方面的应用，可以看出RHEED在InAs量子点形成过程中对多种结构特征的原位分析具有突出优势。反射...

GaAsPHEMT栅选择腐蚀工艺研究

作者：王静辉 张力江 吴益竹 刊期：2008年第08期

基于GaAsPHEMT（赝配高电子迁移率晶体管）材料结构的设计，材料生长过程中增加了一层腐蚀终止层。经过大量的实验和腐蚀液体系的选取，完成了GaAsPHEMT工艺中能用于大批量生产的栅加工工艺。利用选择腐蚀终止层可以很容易地达到夹断电压和漏极电流的批量生产的一致性。本研究利用磷酸腐蚀液体系，在材料的设计中增加了InxGa1-xP腐蚀终止层，结...

双层侧壁保护的Si深槽刻蚀技术

作者：邓建国 刘英坤 段雪 苏丽娟 刊期：2008年第08期

提出了一种先进的ICPSi深槽刻蚀工艺。在“Bosch”工艺的基础上加以改进，以SR／O2作为刻蚀气体，C4F8作为侧壁钝化气体，通过在刻蚀过程中引入少量的O2，使得在刻蚀Si深槽过程中侧壁形成由氧离子辐照产生的SiO2薄膜和CFx聚合物淀积产生的双层保护层，强烈保护Si槽侧壁不被刻蚀，保证了良好的各向异性刻蚀。同时，通过优化刻蚀和钝化的时间周期...

半圆形半导体激光器阵列准直工艺方法研究

作者：任浩 王伟 刘会民 徐会武 王晓燕 安振峰 刊期：2008年第08期

通过试验，分析并验证了半圆形半导体激光器阵列准直后光束指向发生偏移的原因，证明了烧结过程对准直光束指向性的影响。为避免烧结过程对准直工艺的影响，设计了一种的新的半圆形半导体激光器阵列的准直工艺方法，并设计了半圆形半导体激光器阵列准直工艺平台，实现了对半圆形半导体激光器在组装、烧结后进行阵列准直；同时采用两点一线的原理...

CMP中抛光垫的性质研究

作者：周国安 种宝春 柳滨 王学军 刊期：2008年第08期

以IC1000／SubaIV抛光垫为例，综述了影响抛光垫性能的各种因素，以文献相关数据为依据，着重分析了抛光温度和修整力对抛光垫性能的影响。从分析结果可以得出：IC1000／SubaIV比单层结构IC1000具有更好的抛光效果；新旧抛光垫性能在0～40℃基本相当；新、旧和没有黏合剂抛光垫的正常工作温度为-2．02～103．64℃，且玻璃过渡温度随着抛光垫厚度...

NIST最新碳纳米管检测细则

刊期：2008年第08期

美国国家标准及技术研究所（NIST）和美国国家航空航天局（NASA）联合单壁碳纳米管（SWCNT）样品检测细则。目前新准则是恰当描述发展前景广阔的新一代纳米材料特性最实用的细则，是纳米管特性国际标准的基础。美国、日本、中国和韩国在国际标准化组织（ISO）引导下合作力使相关技术标准化，以确保用户在购买和使用时纳米管各项特性统一化。