微纳电子技术杂志 北大期刊 统计源期刊

纳米磁多层结构中电流驱动自旋波发射

作者：陈培毅 胡九宁 任敏 张磊 邓宁 刊期：2008年第03期

回顾了纳米磁多层结构中电流感应自旋矩传输和电流驱动磁化矢量进动引起的自旋波发射等新量子效应的研究现状及发展。基于该效应的纳米磁多层微波振荡器件具有结构简单、无须外加磁场、容易集成等特点，在现代通信领域具有广阔的应用前景，备受国内外研究者的关注。介绍了自旋波发射效应的理论处理方法和实验研究进展，讨论了自旋波发射器件的工...

基于Pspice的RTD等效模型及其应用电路研究

作者：杨倩 任勇峰 沈三民 刊期：2008年第03期

简要介绍了RTD（共振隧穿二极管）的微分负阻特性及其等效电路，通过对实际AlAs／InxGa1-xAs／GaAs双势垒共振隧穿结构I-V曲线拟合，得出RTD的Pspice等效电路模型参数。采用Pspice软件建立了RTD的等效电路模型，并对其微分负阻特性进行了仿真，仿真结果与测试结果基本吻合。利用所建立的模型，对RTD的基本应用电路：反相器、非门、与非门和或非...

双色量子阱红外探测器中的耦合光栅

作者：齐利芳 李献杰 赵永林 尹顺政 刊期：2008年第03期

在量子阱红外探测器（QWIP）上制备光栅的目的是对垂直入射的红外辐射进行有效耦合。从实验、测试和有关文献出发，探讨了影响其耦合效率的参数及参数的优化值。重点分析了双色QWIP的光栅设计问题，并从提高双色量子阱红外探测器光栅耦合效率和响应均匀性出发，介绍了一种新型交叉组合二维双周期结构光栅的设计方法；以一种具体AlGaAs／GaAs双色...

基于SWB环境下的nm级NMOS虚拟优化

作者：吴胜龙 刘岩 赵守磊 李惠军 于英霞 张宪敏 刊期：2008年第03期

介绍了SynopsysInc．推出的新一代（第五代）nm级TCAD仿真平台--Sentaurus W10rk-bench（SWB）的系统结构、基本功能及其优化功能，重点介绍了SWB的DOE及RSM优化机制。基于SWB环境实现了nm级NMOS集成化管芯的可制造性设计及优化。在对NMOS集成化管芯的设计过程中，围绕V1进行了可制造性设计，利用DOE试验方法和RSM对K进行了优化，得到了阂值电压...

下期部分目次预告

刊期：2008年第03期

纳米TiO2光催化剂的改性及应用研究进展

作者：曹沛森 许璞 王玉宝 乔青安 毛伟鹏 唐荣 高善民 刊期：2008年第03期

对纳米TiO2的光催化反应机理及制备方法做了简要阐述，重点介绍了目前在纳米TiO2掺杂改性方面，尤其是非金属掺杂和共掺杂改性方面的研究进展。氮掺杂的TiO2是新发现的具有可见光催化活性的复合光催化剂，非金属掺杂可以使复合物的禁带宽度小于纯TiO2的禁带宽度，从而使TiO2的吸收边向可见光方向移动。对TiO2的N、C、S、P、卤素掺杂以及共掺杂的...

名词术语释义——纳米光催化技术

刊期：2008年第03期

也称光触媒技术，是将附着在有效介质上的纳米TiO2颗粒通过特定光源的照射，与周围的水、空气中的氧发生作用后产生具有极强的氧化．还原能力的“电子-空穴”对。这种“电子-空穴”对能在室温下将空气或水中的有机污染物和部分无机污染物予以光解消除，

GaN基材料及其外延生长技术研究

作者：刘一兵 黄新民 刘国华 刊期：2008年第03期

介绍了GaN基材料的基本特性、三种主要外延生长技术（MOCVD、MBE、HVPE）、衬底材料的选择及缓冲层技术；分析得出目前存在的GaN体单晶技术不完善、外延成本高、衬底缺陷及接触电阻大等主要问题制约了研究的进一步发展；指出今后的研究重点是完善GaN体单晶材料的生长工艺，以利于深入研究GaN的物理特性及有效地解决衬底问题，研究缓冲层的材料、...

高场非对称波形离子迁移谱仪的初步研究

作者：王志刚 熊继军 张文栋 刊期：2008年第03期

介绍了一种基于高场非对称波形离子迁移谱技术的生化检测方法，它根据各种离子在高电场中迁移率变化不同的特性实现对各种生化物质进行检测。经过理论计算，分析了高场非对称波形离子迁移谱仪的基本原理，推导出补偿电压与非对称波形射频电压之间的关系式。但是，迁移率有效系数是一个与离子自身的性质、电场强度、温度、浓度、气压等有关的量，...

仿壁虎微米阵列的加工及其粘附作用分析

作者：王辉静 刊期：2008年第03期

简要阐述了以MEMS加工技术制备柔性仿壁虎微米阵列的方法，进行实验装置以及实验方法的设计，利用所设计的粘附力测量装置，观测具有不同几何参数的微米阵列样本在不同条件下的粘附效果。主要比较了微米纤毛长度不同、其他几何参数相同的阵列样本与接触表面间的粘附效果；不同面积的阵列样本与接触表面间的粘附效果；微米阵列与不同材料接触表面...

直流电渗流在微通道内的控制与仿真研究

作者：姜洪源 杨胡坤 王扬 刊期：2008年第03期

双电层是电渗流形成的关键因素，通过分析双电层的产生过程，解释了电渗流的形成机制，探讨了与直流电渗流形成相关的Poisson—Boltzmann方程、Laplace方程及Navier-Stokes三个基本控制方程，并建立了与之相关的数学模型。通过对各控制方程边界条件的分析及合理简化，分别对zeta电势、外加垂直电场电势进行了求解和仿真，并且对zeta电势、外加垂...

SU-8胶微结构的显影技术研究

作者：郑晓虎 刊期：2008年第03期

突破了传统深宽比概念，提出金属基底上基于图形特征的光刻胶显影技术，对采用SU-8胶加工高分辨率和高深宽比微结构的显影工艺进行了讨论，分析了120-340μm厚具有不同图形特征的SU-8胶显影规律，认为在同样条件下，凸型图形显影效果优于凹型非连通性图形；曲线型显影效果优于直线型图形与点状图形；圆弧连接的图形显影效果优于尖角型图形。显影...

三维金属MEMS器件电化学制造技术

作者：王晓霞 刊期：2008年第03期

EFAB技术是微加工领域一项重大的突破，开辟了MEMS金属器件加工的新天地，与其他微加工技术相比，EFAB技术的主要优点是：可实现MEMS中复杂三维金属微结构器件快速、自动化、批量制造。基于快速原型思想，EFAB利用实时掩模技术将金属材料层层叠加起来，可以加工任意形状的金属三维微结构。介绍了EFAB技术原理，并对其加工设备、分层技术、实时掩...

Cu金属化系统双扩散阻挡层的研究

作者：王晓冬 吉元压 钟涛兴 李志国 夏洋 刘丹敏 肖卫强 刊期：2008年第03期

采用二次离子质谱仪（SIMSl测试了SiON和Ta双层扩散阻挡层及Ta扩散阻挡层的阻挡性能；采用X射线衍射仪（XRD）测量了沉积态有Ta阻挡层和无阻挡层Cu膜的晶体学取向结构；利用电子薄膜应力测试仪测量了具有双层阻挡层Cu膜的应力分布状况。测试结果表明，双阻挡层中Ta黏附层有效地将Cu附着于Si基片上，并对Cu具有一定的阻挡效果，而SiON层则有效地...

采用Chip-on—MEMS封装制作传感器件

刊期：2008年第03期

VTI公司已能够采用现有的制造技术制作体积更小、成本更低的器件，目前又开始采用晶片级封装来制作更复杂的传感器件。其优点是可以降低批量生产的成本、减少器件尺寸。在2007年VTI已证明了开发异构系统封装的潜能，这种方法具有在不同晶片上分别制作MEMS器件和ASIC的优点，