微纳电子技术杂志 北大期刊 统计源期刊

纳米CMOS集成电路设计技术和发展趋势

作者：戴宇杰; 吕英杰; 张小兴 刊期：2007年第12期

论述了日美等国纳米CMOS集成电路半导体制造工艺的现状和发展趋势，分析说明国外半导体制造技术的战略和发展状况；结合90nmCMOS工艺设计的超大规模SOC芯片的实践，对纳米CMOS集成电路设计技术进行分析；阐述SOC设计面临的技术难题，并对今后的发展趋势进行了预测。

芯片实验室技术在POCT上的最新进展

作者：陈宇; 靖向盟; 朱军; 陈翔; 陈迪 刊期：2007年第12期

芯片实验室在临床诊断，特别是在床边诊断（POCT）检验领域具有重要作用。介绍了芯片实验室技术在POCT领域，尤其是近两年来在核酸、蛋白质及细胞检测等方面的最新研究进展，以及纳米技术和传统技术如免疫层析试纸条技术融合后，芯片实验室在POCT领域所显示出的优势。对芯片实验室技术未来在POCT领域的发展方向进行了讨论。

高k纳米MOSFET的关态泄漏电流的研究

作者：杨建红; 李桂芳; 刘辉兰 刊期：2007年第12期

对纳米MOSFET关断态的栅电流、漏电流和衬底电流进行了模拟，指出边缘直接隧穿电流（IEDT）远远大于传统的栅诱导泄漏电流（IGDL）、亚阂区泄漏电流（ISUB）及带间隧穿电流（IBIBT）。对50nm和90nm MOSFET器件的Id-Vg。特性进行了比较，发现在高Vdd下，关态泄漏电流（Ioff）随IEDT的增加而不断增大，并且器件尺寸越小，Ioff越大。高k栅介质能够...

纳米技术专利分类研究

作者：杨莺歌 刊期：2007年第12期

介绍了国际上纳米技术专利的分类方法、技术内容，以及美国专利局和欧洲专利局推出的纳米技术专属分类977和Y01N。对国际专利分类、美国专利分类和欧洲专利局专利分类中针对纳米技术的专利分类进行了介绍。

SiC稀磁半导体材料研究进展

作者：金成刚; 吴雪梅; 诸葛兰剑 刊期：2007年第12期

稀磁半导体（DMS）材料同时利用了电子的电荷和自旋属性，具有优异的磁、磁光、磁电等性能，在材料科学和未来自旋电子器件领域具有广阔的应用前景。系统地概述了SiC基DMS材料的研究进展，介绍了材料的制备方式、结构、性质、铁磁性起源的机理以及器件潜在的应用前景。结合本实验小组的研究工作，重点阐述了材料的结构以及磁性机制。

Au／SiO2复合纳米颗粒膜的制备及退火行为研究

作者：张秋霞; 李玉国; 王建波; 张敬尧; 崔传文; 张月甫 刊期：2007年第12期

室温下用磁控溅射法在Si（111）村底上生成Au／SiO2复合纳米颗粒膜。用扫描电子显微镜（SEM）和X射线衍射方法（XRD）对不同温度退火后的Au／SiO2复合薄膜的表面形貌、微观结构进行了表征。SEM结果表明，随着退火温度升高，Au纳米颗粒先形成大的聚集后出现分布均匀的超微颗粒。XRD结果显示700℃时Au的衍射峰最强，随后峰强有所减弱，这与SEM检测...

波导型表面等离子体共振传感器传感特性计算

作者：吴斌; 王庆康 刊期：2007年第12期

介绍了集成波导型表面等离子体共振传感器工作原理和基本结构，用传统波导模式的分析法结合表面等离子体波的色散方程，计算集成波导型表面等离子体共振传感器理论模型的共振波长。通过基于菲涅耳方程的解析分析，得到了含有表面等离子体共振吸收峰的透射谱。通过比较不同折射率被测物的透射谱，粗略确定了集成波导型表面等离子体传感器的检测范...

微柔性铰链转动能力和精度特性研究

作者：邱丽芳; 南铁玲; 柳林 刊期：2007年第12期

对柔性铰链的转动能力和精度特性等方面进行了理论分析和研究，给出了柔性铰链的柔度矩阵和精度特性矩阵的计算公式，得到表示柔性铰链转动能力的变形量方程和表示精度特性的位移方程。用VC＋＋实现了相应的参数化程序。提出了铰链内各柔度间的比值概念，为定量地比较柔性铰链的性能提供了依据。并给出了两种MEMS柔性铰链的分析实例。

用于MEMS器件的硅材料塞贝克系数测试结构

作者：马洪宇; 黄庆安; 李伟华 刊期：2007年第12期

综述了微观尺度下利用MEMS结构测量硅材料塞贝克系数的已有工作。这些测试结构主要由电加热、电压测量和温度测量三部分构成，通过测量塞贝克电压和与之相对应的温度，从而获知塞贝克系数。加式测试结构的工艺大多与CMOS工艺兼容。指出这些方法原理简单、测量直接，但必须要求真空环境，尚无法满足普通大气环境下在线测试的要求。

ULSI铜布线阻挡层Ta CMP及抛光液的研究

作者：武亚红; 刘玉岭; 马振国; 王立发; 陈景 刊期：2007年第12期

ULSI多层铜互连线中，由于Cu与Ta的硬度不同带来抛光速率的差异，使得在CMP过程中各种缺陷如碟形坑缺陷、磨蚀缺陷板易发生。研究分析了H2O2、有机碱对Cu和Ta抛光速率的影响，并进行了不同抛光液配比的试验。实验证明，在温度为30℃、压力0．08MPa，转速60r／min、抛光液流量为160mL／min、抛光液成份为y（H2O2）：V（有机碱）：V（活性剂）：V...

基于USB2．0与CPLD的光刻机底面对准系统设计

作者：邓玖根; 张正荣; 胡松; 唐小萍; 马平 刊期：2007年第12期

介绍了光刻机底面对准系统的基本原理，并分析了传统底面对准系统存在的缺点，给出了基于USB2．0与CPLD的光刻机底面对准新系统的设计方案。论述了系统硬件和软件的实现，并对其中的关键模块进行了深入分析。与传统底面对准系统相比，该对准系统成本降低约70％，同时，系统的可靠性大幅提高。实验表明，该系统的底面对准精度达到0．25μm，满足系...

±1．5V 1．37×10^-6／℃电流模式CMOS带隙基准源的分析与设计

作者：王召; 张志勇; 赵武; 程卫东 刊期：2007年第12期

设计了电流模式曲率补偿的CMOS带隙基准源，基本原理是利用两个偏置在不同电流特性下的三极管，得到关于温度的非线性电流，补偿VEB的高阶温度项。用标准的0．6μmCMOS BSIM3v3模型库对该带隙基准源进行了仿真，结果表明在±1．5V的电源电压下，输出基准电压为-1．41855V，-55～125℃较宽的温度范围内，输出电压的变化只有0．35mV，有效温度系数达...

《微纳电子技术》征稿启示

刊期：2007年第12期

2007年第44卷总目次

刊期：2007年第12期