微纳电子技术

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Micronanoelectronic Technology

杂志简介:《微纳电子技术》杂志经新闻出版总署批准,自1964年创刊,国内刊号为13-1314/TN,是一本综合性较强的科技期刊。该刊是一份月刊,致力于发表科技领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:技术论坛、材料与结构、MEMS与传感器、加工、测量与设备

主管单位:中国电子科技集团公司
主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
国际刊号:1671-4776
国内刊号:13-1314/TN
全年订价:¥ 244.00
创刊时间:1964
所属类别:科技类
发行周期:月刊
发行地区:河北
出版语言:中文
预计审稿时间:1-3个月
综合影响因子:0.44
复合影响因子:0.45
总发文量:1755
总被引量:5170
H指数:19
引用半衰期:4.2639
立即指数:0.0139
期刊他引率:0.9041
平均引文率:16.2222
  • 中美纳电子技术发展对比研究(续)

    作者:郭树田 刊期:2006年第09期

    3 中美纳米技术经费支持对比 3.1 美国 NNI计划出台之前,美国政府对纳米技术研发的投入力度并不算大,如1997年投入约为1.16亿美元,比日本政府的投入(1.20亿美元)稍低,但也比除日和西欧国家之外的其他国家(包括中国、加拿大、澳大利亚、韩国、新加坡以及前苏联各共和国等)政府投入的总和(约0.71亿美元)高得多:NNI计划出台之后,美...

  • 铁电存储器的研究进展

    作者:付承菊; 郭冬云 刊期:2006年第09期

    介绍了铁电存储器的存储原理,同时对两种铁电存储器(铁电随机存取存储器和铁电场效应晶体管存储器)的研究进展、当前存在的问题以及我国目前在这一领域的研究现状进行了简单介绍,并对今后的技术发展进行了展望。

  • 光子晶体垂直腔表面发射激光器及最佳化设计

    作者:张瑞君 刊期:2006年第09期

    单基模垂直腔表面发射激光器(VCSEL)在光网络数据传输、光互连、光存储和激光打印中有潜在的应用前景。光子晶体垂直腔表面发射激光器(PC—VCSEL)已成为备受关注的研究课题。介绍了PC—VCSEL的结构、最佳化设计及特性。

  • 单分散闪锌矿型CdSe量子点的合成及表征

    作者:冯启彪; 马向阳; 杨德仁 刊期:2006年第09期

    采用TOPO辅助油相合成的化学方法制备出单分散的CdSe量子点。通过透射电子显微镜、X射线粉末衍射、粒径分布、紫外-可见吸收光谱和光致发光谱等多种测试手段对产物进行了表征,结果表明,CdSe量子点具有闪锌矿型(立方)晶体结构、粒径均匀、尺寸分布窄、发光性能良好的特点。此外,对闪锌矿型CdSe量子点的形成进行了初步分析。

  • C60,M@C60电子传输特性研究

    作者:沈海军; 付光俊; 陈裕 刊期:2006年第09期

    采用扩展的Hǖckel方法与格林函数方法,分析了双Au电极作用下,C60,M@C60(M=Si,Ge)富勒烯分子的电子结构与导电性,并对三种富勒烯分子的电子结构与电子输运特性进行了对比。研究结果表明,三种富勒烯分子与Au电极“接触”后,其最高占据分子轨道与最低未占据分子轨道间的能隙减小,它们与Au电极之间的结合既有共价键的成分,又有离子键的成...

  • 仿壁虎微纳米粘附阵列的工艺制作

    作者:陈士荣; 梅涛; 倪林; 单建华; 王辉静 刊期:2006年第09期

    介绍了采用微纳米加工技术制作仿壁虎脚趾粘附阵列的工艺方法。用ICP设备制作具有微米孔阵列的硅模板,用聚合物浇注,脱模后得到直径分别为2μm和5μm的微米阵列;浇注具有纳米孔径的氧化铝模板,脱模后得到直径约100nm的柔性纳米阵列。

  • 硅压力传感器芯片设计分析与优化设计

    作者:赵艳平; 丁建宁; 杨继昌; 王权; 薛伟 刊期:2006年第09期

    用弹性力学和板壳力学理论分析了半导体硅压阻式压力传感器方形膜片的受力分布,为力敏电阻在应变膜上的布置提供依据;利用有限元分析方法和借助ANSYS仿真软件,对微型硅压阻式高温压力传感器应变膜进行了一系列的分析和计算机模拟,探讨了传感器方形应变膜简化应力模型的合理性以及温度对应力差分布的影响,得到了直观可靠的结果。

  • ULSI多层铜布线CMP影响因素分析研究

    作者:刘博; 刘玉岭; 孙鸣; 贾英茜; 刘长宇 刊期:2006年第09期

    研究了ULSI多层互连工艺中铜布线的CMP的机理;对影响抛光速率和抛光后表面状态的诸因素,如抛光条件、抛光方式和抛光耗材进行了分析;特别针对抛光液对铜布线CMP的影响,提出了目前存在的主要问题,并对未来的研究方向和研究内容进行了展望。

  • 名词术语释义——大马士革镶嵌工艺

    刊期:2006年第09期

    采用Cu—CMP的大马士革镶嵌工艺是目前唯一成熟和已经成功用于IC制造中的铜图形化工艺。据预测,到了0.1μm工艺阶段,将有90%的半导体生产线采用铜布线工艺。在多层布线立体结构中,要求保证每层全局平坦化,Cu—CMP能够兼顾硅晶片全局和局部平坦化。

  • 等离子淋浴在离子注入工艺中的应用

    作者:彭立波; 易文杰; 刘仁杰 刊期:2006年第09期

    阐述了等离子淋浴技术的工作原理和特点。介绍了在离子注入工艺中采用等离子淋浴来中和晶片表面的电荷积累,可将晶片表面的电荷积累电压控制在安全范围;应用等离子淋浴实现低能离子柬的电中性传输,可提高低能离子柬的传输效率和柬通道的最大传输柬流。最后介绍了国外在这两方面的研究应用情况。

  • 高濂课题组实现纳米结构可控制备和组装

    刊期:2006年第09期

    最近,中科院上海硅酸盐所宣布,高濂研究员带领的课题组成功使氧化铈(100)面纳米晶体按一定尺寸和一定的方向,自动组装成特定的形状?该成果在纳米材料制备领域开辟了一片崭新的天地,《美国化学会会志》第29期刊登了论文评价说:“这一成果对于理解纳米材料的结晶学特点和探索纳米晶体在催化、磁学、纳电子学领域的应用都非常重要。”

  • 罗门哈斯电子材料公司与道康宁宣布合作开发旋涂式硅硬膜技术

    刊期:2006年第09期

    罗门哈斯电子材料公司微电子技术事业部与道康宁公司日前宣布延展双方的共同开发协议,针对65nm以下的快闪DRAM和逻辑元件合作开发创新的旋涂式硅硬膜抗反射涂层产品。这项合作是在两年前展开的,在此期间成功推出首款商用旋涂式硬膜材料,并有多家亚洲客户将它导入高量产快闪DRAM的生产中。

  • 热电将参展AnalyticaChina2006

    刊期:2006年第09期

    世界领先的分析仪器研发和制造商热电公司近日宣布将在第三届慕尼黑上海分析生化展(AnalyticaChina2006)上展出用于RoHS的突破性分析仪器。AnalyticaChina是国内分析和生化技术领域重要的国际性博览,将于2006年9月19—21日期间在上海浦东新国际博览中心举行。届时,热电公司将在W2展厅,A022号展位现场演示全面应对实验室和生产的分析解决方...

  • 美科学家制造出纳米化学传感晶体管

    刊期:2006年第09期

    纳米尺寸的传感单元对所探测的物质格外敏感,科学家们一在寻求把它们整合到电子设备中去的方法,关键是这些纳米尺寸的单元应该选择什么样的材料。美国纽约哥伦比亚大学有机化学家Colin Nuckolls使用有机分子作电线、碳纳米管做电极,制作出了可以探测爆炸物等混合物的超灵敏传感器。相关研究结果已在美国国家科学院会议记录上在线发表。

  • 美开发出延长细胞存活期的纳米新技术

    刊期:2006年第09期

    Sandia国际实验室和新墨西哥大学的材料学家Jeff Brinker和他的同事们使用硅和脂肪层的纳米级网状结构包裹细胞,可以使细胞在化工制造和传感器中存活更长的时间。他们把细胞放入溶解了硅的磷脂(一种组成细胞膜的重要脂肪化合物)中,细胞很快在表面形成一个由水和脂类组成的约2μm厚的壳层。纳米级厚的硅和脂类在细胞外交替形成了一个1~2μm厚...