微纳电子技术杂志 北大期刊 统计源期刊

纳米器件的发展动态

作者：翁寿松 刊期：2005年第08期

介绍了纳米CMOS器件、纳米电子器件和量子器件的发展动态,提出以信息载体来分类纳米器件的方式.在纳米CMOS器件方面,主要介绍近半年来65 nm工艺及器件的最新动态;在纳米电子器件方面,主要介绍共振隧穿器件(RTD)的动态;在量子器件方面,主要介绍量子器件和半导体自旋器件的概况.

《纳米器件系列讲座》特别稿约

刊期：2005年第08期

名词释义——低k介电材料

刊期：2005年第08期

通常把介质常数k〈3的材料称为低后材料。

《纳米器件系列讲座》预告

刊期：2005年第08期

GaN基短波光电器件的研究进展

作者：刘亦安; 薛成山; 庄惠照; 吴玉新; 田德恒; 何建廷 刊期：2005年第08期

介绍了GaN基发光器件、电子器件以及GaN基紫外光(UV)探测器的研制和发展概况,描述了GaN基短波光电器件的研究进展并对其应用前景进行了展望.

纳米CeO2的制备方法及应用研究进展

作者：陈汝芬 刊期：2005年第08期

综述了纳米CeO2的几种主要制备方法及其研究进展,并介绍了纳米CeO2的主要应用领域和研究前沿.

C60富勒稀分子的电子传输特性

作者：沈海军; 穆先才 刊期：2005年第08期

采用扩展的Huckel方法与格林函数方法,分析了双Au电极作用下C60富勒稀分子的电子结构与电子输运特性.结果表明,C60富勒稀分子与Au电极"接触"后,其分子轨道能级发生了较大的变化,HOMO,LUMO间的能隙显著减小;C60与Au电极之间的结合既有共价键的成分,又有离子键的成分;C60富勒稀分子的电压-电导率曲线以及伏安曲线表现出了微妙的量子特性.

低k氟化非晶碳层间介质对芯片性能的影响

作者：蒋昱; 吴振宇; 汪家友 刊期：2005年第08期

讨论了通过合理设计的工艺流程将低k氟化非晶碳材料应用到制造工艺中作为互连介质对集成电路性能的影响.基于一个互连结构简化模型计算出采用低k氟化非晶碳材料作为互连介质后RC延迟、功率耗散和线间串扰的变化情况.采用低k氟化非晶碳介质后,RC延迟和功率耗散随着互连长度的增大而减小,线间串扰也得到显著抑制.

X波段交直流分离的MEMS开关的设计与研究

作者：蔡洁; 廖小平; 朱健 刊期：2005年第08期

介绍了一种带直流驱动电极交直流分离的MEMS开关,研究了影响开关阈值电压的因素,运用缩腰设计、尺寸优化等方法降低开关的阈值电压;运用阻抗匹配方法降低开关的反射损耗;利用等效电感的设计提高所需频段的隔离度.使用Coventor和HFSS软件模拟,设计的开关阈值电压小于20 V,在X波段插入损耗低于0.1dB,反射损耗低于-25dB,谐振点处隔离度高于40dB.

BioMEMS和人体植入式生物微系统

作者：刘菁; 赵建龙; 金庆辉 刊期：2005年第08期

MEMS技术在医药科学技术的一个重要应用是植入人体内的生物微系统(BioMEMS).该系统集微传感器、微驱动器、微流体系统、微光学系统及微机械元件于一体,用于体内器官的诊断、体内器官功能修复或替代,其治疗效果确切,已成为关系本世纪医学与人类健康进步的重要领域.本文介绍了近年来不同功能类别植入式BioMEMS的发展状况,说明了MEMS工艺、方法及材...

薄膜体声波谐振器技术

作者：唐孝明; 唐高弟; 张海 刊期：2005年第08期

以微加工技术制作的薄膜体声波谐振器以及由它连接组成的滤波器为重点,介绍了其工作原理、结构模型以及相关参数,提出了一种薄膜体声波谐振器设计,并模拟了其构成射频带通滤波器的频率特性.

基于EDA虚拟实验室仿真精确度优化算法的研究

作者：王喜媛; 王勇; 叶明; 王庆毅 刊期：2005年第08期

描述了一种减少仿真时所需计算次数的新技术,使得产品的优化可通过参数的变化来实现,并介绍一种改进SA的算法对获得的结果进行优化.

名词释义——化学机械抛光（CMP）

刊期：2005年第08期

CMP是利用抛光机、抛光液、抛光垫、抛光布在一定的工艺条件下实现材料表面高平坦化的一种技术。CMP技术来源于硅片抛光工艺 所用的设备和材料都与硅片抛光用的设备、材料等相似。利用这种技术可以使多层SiO2介质平面化和实现多层金属高密度互连，使多层电路结构能在一个近乎平坦的平面上进行制备，加速了低电阻率Cu取代Al作为互连线的步伐，降...

新型URE-2000S型紫外单、双面深度光刻机研制

作者：马平; 杨春利; 胡松; 赵立新 刊期：2005年第08期

重点介绍新近开发的用于单、双面深度曝光的URE-2000S新型紫外光刻设备的技术背景、工作原理、结构组成、技术措施以及总体性能.该设备采用了国内首创的CCD图像底面对准技术、单曝光头实现双面对准曝光,具有双面套刻对准精度高、操作简单、工作高效等优点.实验表明,该设备总体性能处于国产双面光刻的先进水平,接近国外同类产品水平.

欧洲纳技术R＆D

刊期：2005年第08期

欧洲纳技术R＆D在过去几个月中已经加速。欧盟将要采用一项纳米技术行动方案，最近已开始征集其第7次框架规划的纳米技术方案。2004年年底，IMEC研究所发起了纳技术合作研究计划，旨在适应其亚45nm硅平台。最近European Big Three的公告显示了互连和晶体管以及器件级的存储器和太阳能电池方面的良好进展。