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《微纳电子技术》理事会6月25日在河北石家庄成立

刊期：2005年第07期

2005年6月25日，《微纳电子技术》理事会成立大会在其主办单位中国电子科技集团公司第十三研究所的所在地石家庄市举行。

名词术语释义——纳米材料国家标准

刊期：2005年第07期

这是由国家标准化管理委员会2005年3月21日的，2005年4月1日正式实施的纳米材料国家标准。该标准包括七项内容：一项术语标准《纳米材料术语》(GB／T19619—2004)；两项检测方法标准：《纳米粉末粒度分布的测定X射线小角散射法》，《气体吸附BET法测定固态物质比表面积》；四项产品标准：《纳米镍粉》、《纳米氧化锌》、《超微细碳酸钙》和《纳...

名词术语释义——高k材料

刊期：2005年第07期

在不同晶体管之间需要更好的绝缘，以避免电流泄漏。在90nm工艺之后，不同晶体管的间距变得非常之短，电流泄漏现象变得异常严重。虽然采用SOI可以有效隔断各电极向衬底流动的漏电流，使其只能够通过晶体管流动，但它对于同级晶体管之间的阻隔效果并不理想；继续用二氧化硅做为晶体管绝缘层也是不可取的。用高k值的氧化物材料来制造晶体管的栅极...

名词术语释义——第一代纳米芯片

刊期：2005年第07期

2000年，半导体行业开始悄无声息地开始生产“纳米芯片”，这是器件线宽小于100nm的芯片，也就是用栅宽小于100nm的晶体管设计出的电路芯片，由此标志着第一代纳米芯片的诞生，现在市面上集成电路的栅宽都不足50nm，在今天普通台式电脑中，可以见到这些器件。在栅极宽度减少到100nm以下时，晶体管的速度和数量都得到了显著的增长。

共振隧穿器件及其集成技术发展趋势和最新进展

作者：郭维廉; 牛萍娟; 苗长云 刊期：2005年第07期

介绍了共振隧穿器件及其特点,论述了该类器件及其集成技术的发展趋势和最新进展,特别是SiO2/Si/SiO2共振隧穿二极管及其集成电路的研制成功是一个突破性的进展.

一维ZnO纳米结构的电子场发射研究

作者：丰平; 万青; 王太宏 刊期：2005年第07期

在大量制备一维ZnO纳米结构的基础上,研究了这些纳米结构的场发射性能.对于四角状ZnO纳米结构,获得1.0 mA/cm2的电流密度只需要4.5 V/μm的电场;对于线状ZnO纳米结构,获得1.0 mA/cm2的电流密度需要6.5 V/μm的电场.由于其特殊的结构,四角状ZnO一维纳米结构在真空电子器件方面有很好的应用前景.

量子点激光器

作者：陈鹏; 刘育梁 刊期：2005年第07期

主要介绍了量子点激光器的产生、量子点的生长制作、激光器基本结构和性能、最新进展和未来发展要解决的问题.

聚合条件对P（St—CO—AA）乳胶粒子结构的影响

作者：甘治平; 官建国; 王振杰 刊期：2005年第07期

用无皂乳液聚合法,通过控制聚合时电解质浓度([M])、丙烯酸浓度([AA])及其加入时机等条件合成了粒径和表面羧基含量可控的P(St-co-AA)乳胶粒子,研究了P(St-co-AA)乳胶粒子的结构随聚合条件变化的规律.结果表明,聚合时体系中[AA]越高、加入AA越晚、[M]越低,所获得的乳胶粒子的粒径越小;[AA]越高、AA加入的越早,则表面羧基含量越高.

半导体量子点自组织生长的计算机模拟研究

作者：娄朝刚; 韩建栋; 李献杰 刊期：2005年第07期

采用平均场模型和非平均场模型对半导体量子点的自组织生长过程进行了计算机模拟研究.结果表明两种模型给出了相似的量子点的大小分布,但在平均尺寸、数量以及覆盖面积随时间的变化上存在着差别,针对这些差别给出了解释.

SRO薄膜的倒筒式直流溅射生长

作者：黄雄飞; 吴传贵; 熊杰; 刘兴钊 刊期：2005年第07期

利用单片机实现微加速度计性能自动测试

作者：冯宇翔; 董景新; 赵长德; 吴天准 刊期：2005年第07期

利用ATMEL公司的高速嵌入式单片机实现MEMS加速度计性能指标的自动测试,对系统中的模拟地与数字地分离、正负电压上电时间控制、温度信息采集、串口通讯协议等细节作了详细分析.结果表明,这是一个低价而可靠的微加速度计自动测试解决方案.

整体式微纳操作器结构分析与改进

作者：马奎; 董卫军; 戴辉 刊期：2005年第07期

结合微操作机器人的特点,提出一种新型的三维整体式微纳操作器,利用有限元分析方法,在制造出整体式微纳操作器之前,对其进行了模拟测试,并从中找出了不足,基于Patran软件,研究出对静止力的模拟方法,同时给出了最终的结构设计图.

ULSI关键工艺技术——纳米级化学机械抛光

作者：张楷亮; 宋志棠; 封松林; CHEN; Bomy 刊期：2005年第07期

IC器件尺寸的纳米化,要求高的光刻曝光分辨率,在采用短波长和大数值孔径曝光系统提高分辨率的同时导致了焦深变浅,进而对晶片表面的平坦化要求越来越高.在比较了IC工艺中的四种平坦化技术基础上,重点综述了唯一可以实现全局平坦化的化学机械抛光(CMP)方法的发展、应用及展望.

降低CMP用SiO2溶胶中金属离子含量及其机理探析

作者：张建新; 刘玉岭; 王娟; 张元 刊期：2005年第07期

探析了阳、阴离子树脂对SiO2溶胶中金属离子交换去除的机理,确定阳-阴-阳三步法对SiO2溶胶进行金属离子去除,而后由有机碱调节pH值至碱性稳定区,从而制得高纯度、高稳定性微电子CMP用SiO2溶胶产品.

SEMI2005技术创新项目

刊期：2005年第07期