微纳电子技术杂志 北大期刊 统计源期刊

光学高分子薄膜纳米结构与性能关系的探讨

作者：朱传凤; 韩梅娟; 商广义; 万立骏; 沈玉全; 邱玲; 郝聚民 刊期：2005年第06期

应用AFM及力曲线的统计方法(force curve method)和Tapping/Phase功能,比较系统地研究了Glass/ITO基底上旋涂厚度为5μm的非线性光学功能高分子薄膜.结果发现,不同基底对于薄膜结构及分子构象没有明显影响.客体分子(molecule-2)在常温条件下能够以氢键的方式镶嵌在主体高分子(molecule-1)链上的-OH官能团周围和相邻的分子链间,形成特征的纳米级带...

法科学家首次成功控制单分子的行动

刊期：2005年第06期

法国国家科研中心的科学家最近在世界上首次成功利用隧道显微镜探针，让单个分子做出了各种动作。这一成果对今后人类精确控制单分子级大小的机械，进而开发出纳米机器人将产生重要影响。直到目前为止，电子控制只能够在多个分子的水平上进行，对于单个分子的制造和运动，人们还未总结出特定的物理和化学规律。在化学领域，人们已经知道如何制造...

美科学家改进纳米抗癌技术

刊期：2005年第06期

美国加利福尼亚技术研究所的科学家利用一种名叫环式糊精的糖性物质合成了一种聚合物，用它包裹住携带小分子干扰RNA的纳米粒子。实验中，经过上述处理的纳米粒子因为体积非常小，所以很容易进入实验鼠的血管。粒子同时携带一种能够黏在肿瘤细胞上的分子，一旦黏合成功，粒子中的小分子干扰RNA就开始发挥作用，抑制癌细胞生长基因的表达，阻止癌...

中韩两国签署纳米技术合作意向书

刊期：2005年第06期

在4月26日召开的中韩纳米技术交流会上，两国签署了两项合作意向书。由中国国家纳米中心王琛副主任和韩国KETI安硕铉副院长，签署了中国国家纳米中心-KETI(韩国电子部品研究院)合作意向书；由中国半导体行业协会徐小田秘书长与安硕铉副院长签署了中国半导体行业协会-KETI(韩国电子部品研究院)合作意向书。

中韩纳米科技交流会在北京清华科技园召开

刊期：2005年第06期

中韩纳米科技交流会2005年4月26日在北京清华科技园创新大厦召开。会议由中国国家纳米中心和韩国电子部品研究院主办，韩国电子部品研究院(KETI)北京代表处承办，韩国电子部品研究院北京代表处首席代表赵涎宰主持了开幕会。

自组装——自底而上的纳米制造方法（续）

作者：阿兰·奥瑞尔登; 曾安培; 赵志龙 刊期：2005年第06期

3.3蛋白质模板化自组装 真核细胞二噻骨架(Cytroskeleton)的微管组元是具有外径25 nm和长度几个毫米的蛋白质丝.它们具有较大的几何长径比,是适于组装磁性和电传导性纳米丝的生物分子模板.吸附在微管表面的钯催化剂诱发非电镀镍层,Kirsch等人证实了这种三维微管镀金属法.近年来,Lindquist等人采用淀粉纤维体自组装出导电纳米丝[63].存在于改性蛋...

生物样品富集微芯片

作者：刘康栋; 李刚; 金庆辉; 赵建龙 刊期：2005年第06期

微全分析系统(micro total analytical system,μTAS)是一个快速发展的领域,生物样品的富集和提取是样品分析的重要环节.由于生物样品种类多、成分复杂,在微芯片上富集和分离较为困难,是微全分析系统发展需要突破的瓶颈之一.介绍了不同类型的生物样品微富集芯片工作的原理、近来的研究进展情况以及存在的问题.

GaN材料湿法刻蚀的研究与进展

作者：黄生荣; 陈朝 刊期：2005年第06期

回顾了近年来GaN材料湿法刻蚀的研究进展,着重探讨了GaN材料光辅助化学湿法刻蚀的机理、p-GaN材料湿法刻蚀的难点以及湿法刻蚀在GaN材料研究中的应用.

响应[N（NH3）3]气体TiO2敏感材料低阻化研究

作者：艾玉杰; 裴素华 刊期：2005年第06期

通过N2气氛高温退火、Nb2O5掺杂和采用梳状电极结构等方法,成功提高了TiO2基敏感材料的电导率.实验证明,降低氧分压可增强TiO2自身半导化程度;掺入10%左右Nb2O5,Nb5+替代Ti4+形成固溶体,可使TiO2得到最佳半导化效果;采用梳状电极结构,可以在一定程度上减小器件阻值,从而为制造低阻、高灵敏度、高选择性动物食品测鲜传感器开辟了一条新途径.

更正启事：

刊期：2005年第06期

一种新型3D微镜结构的静电驱动电压特性分析

作者：王宝东; 万江文; 冯仁剑 刊期：2005年第06期

介绍了一种新型3D静电驱动微镜结构,对结构的下电极形状进行了改进,分析和比较了它们的几何参数与驱动电压之间的关系.通过理论分析表明,在其他几何参数一致的情况下,方形下电极单极板微镜结构的驱动电压比1/4圆形下电极单极板微镜结构的驱动电压小.

单晶硅各向异性腐蚀的微观动态模拟

作者：姚娉; 闫卫平; 马灵芝; 杜立群; 郭吉洪 刊期：2005年第06期

根据单晶硅各向异性腐蚀的特点,以晶格内部原子键密度为主要因素,温度、腐蚀液浓度等环境因素为校正因子,建立了一个新颖的硅各向异性腐蚀的计算机模拟模型.在VC++开发环境下利用OpenGL技术,实现了硅各向异性腐蚀过程的三维微观动态模拟,为深刻理解硅的各向异性腐蚀过程提供了直观的界面.

ICP刻蚀技术与模型

作者：张鉴; 黄庆安 刊期：2005年第06期

从ICP刻蚀装置、ICP刻蚀技术及模拟模型以及可用于ICP刻蚀模拟的CAD工具研究现状等几方面,对ICP刻蚀过程中所涉及的原理和模型做了较为详细的介绍和比较,以使对ICP刻蚀技术及模型有一个较为全面的认识.