微纳电子技术

微纳电子技术杂志 北大期刊 统计源期刊

Micronanoelectronic Technology

杂志简介:《微纳电子技术》杂志经新闻出版总署批准,自1964年创刊,国内刊号为13-1314/TN,是一本综合性较强的科技期刊。该刊是一份月刊,致力于发表科技领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:技术论坛、材料与结构、MEMS与传感器、加工、测量与设备

主管单位:中国电子科技集团公司
主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
国际刊号:1671-4776
国内刊号:13-1314/TN
全年订价:¥ 244.00
创刊时间:1964
所属类别:科技类
发行周期:月刊
发行地区:河北
出版语言:中文
预计审稿时间:1-3个月
综合影响因子:0.44
复合影响因子:0.45
总发文量:1755
总被引量:5170
H指数:19
引用半衰期:4.2639
立即指数:0.0139
期刊他引率:0.9041
平均引文率:16.2222
  • 介观系统中的电导量子化

    作者:任敏; 陈培毅 刊期:2005年第02期

    对介观系统电子输运性质的研究是当前凝聚态物理研究中的活跃领域.介观尺度下,由于量子力学效应,出现了一些特殊的物理现象,如电导量子化.本文从理论和实验两方面对介观输运领域的研究情况作了简要回顾,介绍了一些较新的研究成果,并讨论了电导量子化在下一代集成电路中可能的应用方向.

  • 碳纳米管FET的研究进展

    作者:李和委; 王强 刊期:2005年第02期

    对碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)的器件性能进行了讨论,并与相应的Si器件进行了比较,结果表明CNTFET对迄今传统器件具有非常竞争力;阐述了利用CNT器件制作的逻辑门电路,显示了CNTFET的集成潜力;最后指出CNTFET面临的挑战是严峻的.

  • 一种新型的微流体测量芯片的设计

    作者:李义; 郑小林; 张文献 刊期:2005年第02期

    介绍了一种新型的集成反熔丝和光敏二极管的微流体测量芯片的设计.将反熔丝发光二极管及光敏接收二极管集成到微流体装置可以通过结合集成电路技术和微加工技术来实现.这种新型的微流体芯片包括一个光敏二极管探测器,硅微通道和一个纳米级的反熔丝发光二极管.还介绍了反熔丝发光二极管的结构及工作原理、芯片的结构和制作方法、芯片的应用及其应...

  • SnS薄膜的制备及其特性研究

    作者:郑春蕊; 雷天民; 胡永红; 李红生; 刘守智 刊期:2005年第02期

    以硫代乙酰胺、三乙醇胺、氯化亚锡和氨水作反应物,氯化铵作缓冲剂,采用化学浴法在玻璃衬底上沉积SnS薄膜.用XRD,SEM等手段分别对薄膜样品的晶体结构及表面形貌进行了表征.XRD分析结果表明薄膜样品为具有斜方晶体结构的多晶SnS薄膜,SEM测量结果显示薄膜晶粒尺寸为数十纳米.此外,本文还简要分析了氯化铵在反应中的作用.

  • 掺杂Fe^3+的TiO2薄膜电极的电化学研究

    作者:霍莉; 丁克强; 王庆飞; 童汝亭 刊期:2005年第02期

    适量Fe3+掺杂可以提高TiO2薄膜电极的光催化氧化活性.采用交流阻抗谱、平带电势等方法研究了掺杂Fe3+的纳米TiO2薄膜电极的表面结构特征及其催化性能,为其光电转换机理提供了电化学依据.

  • MEMS中的牺牲层技术

    作者:张永华; 丁桂甫; 李永海; 蔡炳初 刊期:2005年第02期

    MEMS技术作为微电子技术应用的新突破,促进了现代信息技术的发展.牺牲层技术是MEMS应用中的关键,用以实现结构悬空和机械可动.本文介绍了MEMS技术发展中的几种牺牲层技术,并进行了简要评述.

  • 静电活塞式驱动的分立式微镜的快速仿真

    作者:饶伏波; 乔大勇; 苑伟政; 姜澄宇 刊期:2005年第02期

    用解析的方法对典型的基于SUMMIT工艺、静电活塞式驱动的分立式微镜进行了快速的静态与动态仿真,避免了有限元法的繁琐性.在微镜阵列变形时的孔径函数不能用解析表达式表示的情况下,应用MATLAB软件实现了快速傅里叶变换,得到了单色平面波经微镜阵列反射后的的远场衍射花样.

  • 二维整体式微米工作台解耦问题的研究

    作者:马奎; 戴晖; 董卫军 刊期:2005年第02期

    在对整体式柔性运动机构分析的基础上,提出了一种能够消除多维微运动机构间耦合误差的整体式微米级运动机构,并借助Ansys的分析工具对研究结果进行了静力学分析及其优化.在此基础上开发出一个整体式二维解耦工作台.

  • BP-212正性光刻胶的抗蚀特性研究

    作者:郑志霞; 冯勇建; 张丹; 林雁飞 刊期:2005年第02期

    BP-212正性光刻胶作为掩膜在BHF腐蚀液中腐蚀十几分钟后,光刻胶被腐蚀液破坏而浮胶.玻璃或热生长的二氧化硅深槽腐蚀时间要求几十分钟,传统解决办法是多次光刻腐蚀.本文研究了光刻胶抗腐蚀特性,得出足够的活化时间、合适的匀胶转速、多次坚膜腐蚀可以延长产生浮胶时间的结论.

  • 低k绝缘层及其设备

    作者:翁寿松 刊期:2005年第02期

    铜互连、金属间低k绝缘层(k<3)和CMP工艺已成为制造高端IC的一个标准工艺.本文介绍了厚度已步入纳米尺度的低k绝缘层的最新研究动态和当前几种常用低k绝缘层材料,如FOx低k旋涂材料、黑金刚石系列低k薄膜和CORAL低k材料等.另外,还介绍了有关低k绝缘层材料的几种设备,如生长设备、蚀刻设备和低kCMP设备.

  • 道康宁推出新型导热灌封胶设备 联盟成员协助开发完整点胶流程

    刊期:2005年第02期

    全球材料、应用技术及服务的综合供应商——道康宁公司日前宣布推出新型导热灌封胶DOW CORNING SE 4451和一种已预先认证的完整点胶流程。

  • 南京大学合成纳米分子磁体

    刊期:2005年第02期

    单分子磁体和单链磁体是目前分子基磁体研究的最热门领域之一。南京大学配位化学国家重点实验室左景林、宋友和游效曾等日前为减少分子间相互作用,以修饰的氰基金属化合物作为构筑基元,设计并合成了氰基桥联的Fe—Cu十四核簇合物,它具有单分子磁体行为,自旋基态S=7,表现磁各向异性,为首例具有近似立方对称性的氰桥单分子磁体,相关研究论...

  • 中国科技大学成果入选国际物理学年度十大进展

    刊期:2005年第02期

    欧洲物理学会评选的2004年度国际物理学十大进展近日揭晓。中国科学技术大学潘建伟教授等关于“五光子纠缠和终端开放的量子态隐形传输”的研究成果人选十大进展之首,这是继不久前人选美国物理学会评选的年度国际物理学十大进展之后,该成果获得的又一殊荣。同时,这也是中国科学家在国内取得的研究成果首次同时人选国际两大物理学会的年度十大...

  • 日本开发出新型纳米开关

    刊期:2005年第02期

    日本物质材料研究机构的研究人员新开发出一种纳米开关,利用原子受电压控制后产生的排列形状变化达到开关电流的目的。这一成果发表在新一期的《自然》杂志上。

  • 日本制成长2.5cm高纯度碳纳米管

    刊期:2005年第02期

    日本产业技术综合研究所的研究人员最近采用新方法,制成了长2.5cm的高纯度单层碳纳米管,如此长度的碳纳米管能被肉眼看到,取得这样的成果可谓一大突破。