微纳电子技术杂志 北大期刊 统计源期刊

零维和一维半导体纳米结构

作者：万青; 丰平; 王太宏 刊期：2004年第12期

介绍了几种零维和一维无机半导体纳米结构的制备及其应用.其中,零维无机半导体纳米结构以Si,Ge量子点为代表,一维无机半导体纳米结构以碳纳米管、硅纳米线、氧化锌纳米线和氮化镓纳米结构为代表,介绍了它们的制备和应用研究动态;最后分析了纳米技术的研究和抢占技术制高点的重要性.

GaN基光电子材料及器件的研究

作者：牛萍娟; 陈乃金; 李养贤; 郭维廉 刊期：2004年第12期

GaN材料是性能优越的化合物半导体,与其相关的合金材料可以制作出高亮度蓝光、绿光发光二极管、紫外探测器、半导体蓝色激光器(LD)等具有重要应用价值的光电子器件,因而备受重视,本文综述了GaN基光电子器件研究开发现状及其应用前景.

PCR芯片和生化微分析系统

作者：庄贵生; 赵建龙 刊期：2004年第12期

介绍了PCR微芯片的最新研究进展,给出了不同结构的PCR芯片设计原理以及特点,介绍由PCR芯片为主要单元的集成微全分析系统的相关研究,同时简要介绍了对PCR的仿真模拟等.

ZnO量子点的制备及其光电性能研究进展

作者：杨玲敏; 叶志镇 刊期：2004年第12期

概述了ZnO量子点的基本制备方法及生长特点,着重回顾了目前量子限制效应对ZnO量子点光电性能影响的研究进展.

InN材料及其应用

作者：谢自力; 张荣; 毕朝霞; 刘斌; 修向前; 顾书林; 江若琏; 韩平; 朱顺明; 沈波; 施毅; 郑有炓 刊期：2004年第12期

由于具有独特的本征特性,InN材料已经成为最近两年国际上最热门的研究材料之一.本文介绍了InN材料的基本性质,探讨了材料的生长技术和应用方向.最后给出了InN材料今后发展急需解决的问题以及未来的发展应用前景.

一种新型给药微结构的封装技术研究

作者：皇甫勇; 王小鹏; 陈花玲 刊期：2004年第12期

介绍了MEMS器件封装技术发展的历史、作用及现状;概要阐述了本课题组研究的可体内降解的高分子材料新型给药微结构;最后,针对这种高分子材料给药微器件自身的特点,提出了一种新型微器件的真空热融封装技术.

硅片键合界面缺陷分布与Weibull模数的关系

作者：肖滢滢; 黄庆安; 王建华 刊期：2004年第12期

从理论推导分析了键合片的缺陷分布与Weibull模数m之间的关系.此关系与实验相符,并利用此关系很好地解释了硅片键合强度随退火温度变化的关系.

聚酰亚胺振动膜微型电场传感器

作者：龚超; 夏善红; 邓凯; 白强; 陈绍凤 刊期：2004年第12期

设计并分析了一种新型的以硅为基底、聚酰亚胺为振动膜的微型电场传感器.此种传感器利用了聚酰亚胺耐热、耐腐蚀并具有良好机械性能的特点,采用MEMS技术制造,使其具备体积小、重量轻、功耗低、便于与其他器件集成等特点,而且制作工艺简单,成本较低.本文阐述了此传感器的工作原理,并通过计算机模拟确定了增强信号的方法,同时描述了新型传感器的结...

超深亚微米层次互连特性及其布局布线优化

作者：薛振华; 李惠军 刊期：2004年第12期

随着集成电路特征尺寸进入超深亚微米层次,互连线开始成为制约系统功能和可靠性的决定性因素.本文介绍了布局布线中的几种优化步骤:拥挤驱动布局、局部布局和搜索提炼、轨道分配和搜索修补.并结合Synopsys公司的超深亚微米布局布线系统APOLLO-Ⅱ有效地解决了互连线的串扰噪声和破坏问题.

原子力显微镜微悬臂变形位移的理论计算

作者：苏景云 刊期：2004年第12期

对原子力显微镜微悬臂变形进行了研究.微悬臂工作时的变形为大变形状态,由椭圆积分理论给出微悬臂大变形[1,2]时的垂直位移和水平位移的理论公式,为微悬臂的设计制造及针尖与样品间相互作用力的计算提供了新的精确计算方法.

应用于典型疾病检测的MEMS技术课题验收

刊期：2004年第12期

近日，“863”计划微型机电系统(MEMS)重大专项总体组组织部分A类课题验收完毕。

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刊期：2004年第12期