微纳电子技术杂志 北大期刊 统计源期刊

SiC和GaN电子材料和器件的几个科学问题

作者：李效白 刊期：2004年第11期

扼要地叙述了宽禁带半导体SiC和GaN电子材料和器件的发展状况,介绍了SiC多形体、AlGaN/GaN异质结极化效应、GaN器件的电流塌陷效应和陷阱效应、SiC和GaN器件的特征工艺问题(离子注入、金属化等)以及温度升高时SiC载流子的冻析效应等.

微流控分析芯片制作中的低温键合技术

作者：辛龙涛; 陈华; 夏之宁 刊期：2004年第11期

微流控分析芯片制作方法的研究是微流控分析的基础.制作性能良好的微流控分析芯片时,基片与盖片的键合技术十分重要.本文针对近年来发展迅速的低温键合技术,对各种方法进行了评价,并对其发展前景进行了展望.

RTD多值逻辑电路原理与电路模拟

作者：刘宏伟; 牛萍娟; 郭维廉 刊期：2004年第11期

由共振隧穿二极管(RTD)和高电子迁移率晶体管(HEMT)构成的多值逻辑(MVL)电路可以用最少的器件来完成一定的逻辑功能,达到大大简化电路的目的.共振隧穿二极管和高电子迁移率晶体管属于量子器件,具有高频高速的特点,所以这一逻辑电路有很好的应用前景.本文就多值逻辑电路中的几个典型电路用Pspice软件进行电路模拟,得到了与理论分析一致的模拟结果...

纳米金属氧化物粉体的液相制备和表征进展

作者：刘辉; 朱梅英; 魏雨 刊期：2004年第11期

根据国内外研究者的报道及作者近几年来对纳米金属氧化物的制备研究结果,介绍了纳米金属氧化物液相法制备中常用的方法及表征手段,并探讨了纳米粉体制备过程中的团聚和反团聚措施.

退火温度对纳米ZnO薄膜结构与发光特性的影响

作者：陈晓清; 谢自力; 张荣; 修向前; 顾书林; 韩平; 施毅; 郑有炓 刊期：2004年第11期

利用溶胶-凝胶法在硅衬底上制备了纳米ZnO薄膜.研究了热处理对ZnO薄膜的质量与发光性能的影响.结果表明,纳米ZnO薄膜具有六方纤锌矿结构,并且,随着退火温度的升高,ZnO的晶粒变大,c轴取向性变好,紫外发光强度增强.

MOEMS静电旋转结构的Pull-in现象分析

作者：岳宁煜; 万江文 刊期：2004年第11期

对MOEMS静电旋转结构的Pull-in(吸合)现象进行了理论分析,重点研究了平板电极旋转结构和摆动梳齿旋转结构.摆动梳齿旋转结构不出现Pull-in现象的原因是电容变化率为恒值;平板电极旋转结构在电极旋转过程中电容变化率持续增大是Pull-in现象出现的根本原因,设计平板电极旋转驱动器时,如果需要得到较大的稳态旋转角度,可以通过合适的结构参数减小电...

微机电系统的微细加工技术

作者：孔祥东; 张玉林; 宋会英; 卢文娟 刊期：2004年第11期

详细阐述了硅微加工工艺以及近几年内国际上开发的一些新的加工技术,如3D电化学微加工、EFAB工艺等,并提出了目前这些方法中存在的缺陷.

硅电容压力传感器敏感器件的研究

作者：张治国; 褚斌; 李颖; 孙海玮; 祝永峰; 林洪; 刘沁; 匡石; 陈信琦 刊期：2004年第11期

研制的硅电容压力传感器芯体采用微机械加工技术,加工精度高,易于批量化生产.结构上采用对称的差动电容形式,并将其封装在专用基座中,适用于中、微压力的高精度测量,可用于目前通用压力传感器的升级产品.

光刻版图形处理过程的计算机仿真

作者：粟鹏义; 陈开盛; 曹庄琪 刊期：2004年第11期

采用有限状态机模型来仿真集成电路行业中光刻版图形的处理过程,涵括了层次处理、涨缩处理和反转处理.将不同的处理过程定义为相应的状态,将图形处理要求定义为输入条件触发状态转换.该模型已应用于光刻版数据处理的电子设计自动化软件.

浸没式光刻技术

作者：吴龙海 刊期：2004年第11期

综合叙述了浸没式光刻技术的基本工作原理和相对于157 nm干式光刻技术的优势,简要介绍了当前的研发动态并对其具体实现的问题进行探讨.

罗门哈斯电子材料公司推出用于90nm低k系列阻挡层研磨液

刊期：2004年第11期