首页 期刊 微纳电子技术 光刻中驻波效应的影响分析 【正文】

光刻中驻波效应的影响分析

作者:刘世杰; 杜惊雷; 肖啸; 唐雄贵; 彭钦军; 刘建莉; 郭永康 四川大学物理学院; 四川; 成都; 610064; 陕西理工学院物理系; 陕西; 汉中; 723001; 四川大学物理学院; 四川; 成都; 610064
光刻   驻波效应   曝光剂量   显影轮廓   厚胶  

摘要:驻波效应是抗蚀剂在曝光过程中的寄生现象.一般认为,驻波效应对薄胶的光刻图形有较大的影响,而对厚胶的光刻图形影响不大.根据DILL曝光模型进行了模拟计算,分析了在曝光过程中抗蚀剂折射率的改变对驻波强度和位置的影响以及驻波效应引起抗蚀剂曝光剂量分布的变化,并结合MACK显影模型分析了当抗蚀剂的厚度改变时,驻波效应对其显影轮廓的影响程度,计算分析得出了一个可以不采用后烘工序的抗蚀剂厚度值.

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