首页 期刊 物理学报 PbTe/CdTe量子点的光学增益 【正文】

PbTe/CdTe量子点的光学增益

作者:徐天宁 吴惠桢 斯剑霄 浙江大学物理系 杭州310027
光学增益   铅盐矿半导体  

摘要:PbTe/CdTe量子点是一类新型异系低维结构材料,实验发现具有强的室温中红外光致发光现象.为研究这一材料体系的发光特性,建立了理论模型,计算了PbTe/CdTe量子点的光学跃迁和增益.模型基于k·P包络波函数方法并考虑了PbTe能带结构的各向异性.分析了量子点光学增益与量子点尺寸、注入载流子浓度的关系.结果表明,当注入载流子浓度在(0.3-3)×10^18cm^3范围时,尺寸为15-20nm的量子点可以产生大于5000cm^3的光学增益,增益峰位于400meV(3.1μm)附近.量子点尺寸的增大使得增益峰强减小,而量子点尺寸的减小又导致产生光学增益需要更高的注入载流子浓度,优化的PbTe量子点尺寸为15-20nm.

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