杂志简介：《微电子学》杂志经新闻出版总署批准，自1971年创刊，国内刊号为50-1090/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：电路与系统设计、半导体器件与工艺、产品与可靠性、测试与封装
杂志简介：《微电子学》杂志经新闻出版总署批准，自1971年创刊，国内刊号为50-1090/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：电路与系统设计、半导体器件与工艺、产品与可靠性、测试与封装
作者：吕育泽; 李晋; 万天才 刊期：2018年第03期
采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种应用于全球导航卫星系统的低噪声放大器。该低噪声放大器采用小型化栅格阵列封装,内部集成了旁路控制单元,所有I/O端口均加入了ESD保护电路。对封装后的芯片进行了测试。结果表明,在GNSS频率范围内,该芯片的正向增益为20.1dB,噪声系数小于1.1dB,输入1-dB压缩点和输入3阶交调点分别为-12dBm和-5dBm,在2.7V...
作者：余得水; 何进; 陈伟; 王豪; 常胜; 黄启俊; 童志强 刊期：2018年第03期
基于55nm CMOS工艺,设计了一种工作速率为2.5Gbit/s的高灵敏度跨阻放大器（TIA）。TIA输入级电路采用三级反相器级联结构。为了提高动态范围,采用了双自动控制增益（AGC）电路来调节反馈电阻阻值。输入级电路后级的三级差分放大器进一步放大电压信号,并运用有源电感峰化技术来提高带宽,最后进行缓冲器输出。为了降低跨阻放大器的噪声,设计了基准...
作者：宋苗; 李波; 刘青凤 刊期：2018年第03期
基于0.35μm CMOS工艺,设计并制作了一种低功耗流水线型ADC。分析了ADC结构对功耗的影响,采用1.5位/级的流水线结构来最小化功耗,并提升速度。为进一步降低功耗,设计了一种不带补偿并可调节相位裕度的共源共栅跨导放大器（OTA）和改进的比较器。测试结果显示,该ADC在3V电源电压、100 MS/s采样速率下,功耗为65mW,面积为0.73mm^2,在模拟输入频率为7...
作者：周前能; 罗毅; 徐兰; 李红娟; 唐政维; 罗伟 刊期：2018年第03期
基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比（PSRR）、高阶温度补偿的带隙基准电压源（BGR）。在传统带隙基准电压源的基础上,增加了一个温度分段曲率补偿电路以及一个ΔVGS温度补偿电路,使得该BGR的温度特性得到有效改善。采用前调整器技术,使得该BGR获得高PSRR特性。仿真结果表明,当温度在-55℃-125℃范围变化时,该BGR的温度系数为8.1×1...
作者：邱双杰; 罗萍; 黄龙 刊期：2018年第03期
设计了一种用于高压H桥电路中栅驱动器的线性稳压器,为H桥高端P-LDMOS提供了稳定的开启栅电压。采用频率补偿切换和自适应偏置电流技术,以保证稳压器在周期性突变的容性负载下的稳定性,并且具有快速的瞬态响应。典型应用的仿真结果表明,与未采用以上技术的原结构相比,新结构中P-LDMOS的开启时间缩短了47%,理论最高工作频率提高了1倍。
作者：高瑜宏; 朱平 刊期：2018年第03期
提出了一种低噪声高增益CMOS跨阻放大器（TIA）,用于检测SEM成像产生的微弱信号。该TIA采用列线图解法进行设计,采用0.18μm CMOS工艺进行制作。该TIA集成了一个具有10pF结电容的光电二极管。该TIA的跨阻增益达107.3dB,带宽为12.5MHz,输入参考噪声为3.54×10^-12 A·Hz^-1/2,信噪比为8。
作者：王智玮; 陈隆章; 庞佑兵; 吕果; 马朝骥 刊期：2018年第03期
基于混合集成电路工艺,采用氧化铍衬底厚膜电路、陶瓷电容和半导体芯片,设计了一种高压运算放大器。采用ORCAD进行仿真,结果表明,该运放的供电电压为±15-±150V,输出电流为75mA,直流电压增益为95dB,转换速率为57V/μs,静态电流6 mA,单位增益带宽3MHz。该运放可被广泛用于马达控制系统、压电传感器以及打印机驱动等领域,实现了高压运算放大器的国产...
作者：郭栋; 刘晓宇; 王溪; 赵华 刊期：2018年第03期
提出了基于GaAs微波单片集成（MMIC）的W波段高输出功率放大器模块。该模块包括MMIC功率放大器（PA）和波导-微带转换结构。采用功率合成技术和微带耦合电容,实现了低损耗匹配网络,提高了PA的增益和输出功率。采用阶梯匹配网络,拓宽了微带转换过渡的带宽。测试结果表明,在75-105GHz频率范围内,波导-微带转换结构的插入损耗为0.9-1.7dB,回波损耗...
作者：王巍; 何雍春; 徐媛媛; 杨皓; 周凯利; 袁军; 杨正琳; 王冠宇 刊期：2018年第03期
设计了一种基于维纳延迟环的时间数字转换器（TDC）。该TDC基于TSMC 0.18μm CMOS工艺进行设计,实现了高分辨率和高线性度。采用一种新型环形传播延迟结构来代替时钟信号,相比传统结构,减少了1组粗-精2级插值器的使用。粗计数器由该新型环形传播延迟结构和6位计数器构成,实现了输入的START信号与周期信号同步,测量动态范围达到208ns。粗-精2级插...
作者：唐韵扬; 高笛; 明鑫; 甄少伟; 张波 刊期：2018年第03期
设计了一种新型自适应关断时间（AFT）模式Boost电路。不同于传统的采样输入/输出电压的自适应电路,该AFT模式Boost电路直接采用真实的占空比信息,设置了自适应比较点,解决了开关频率受负载电流影响的问题。基于0.5μm CMOS工艺对电路进行仿真验证。结果表明,当输入电压在2.4-4.2V、负载电流在0.3-1.2A范围内变化时,该AFT模式Boost电路的工作频率...
作者：刘登宝; 王子谦; 白雪飞; 林福江 刊期：2018年第03期
基于SMIC 40nm CMOS工艺,提出了一种可适用于背板与芯片互连的10Gbit/s低功耗发射机。该发射机由半率前馈均衡器、时钟信号接收电路和源串联终端（SST）驱动器组成。前馈均衡器采用半率结构,以降低发射端的时钟信号频率。通过对发射端信号进行预加重,消除了码间干扰的影响。改进了SST驱动器的输出阻抗校准电路,解决了输出阻抗在不同工艺角下的波...
作者：赵彦晓; 王亚飞; 李振松; 张万荣; 丁红 刊期：2018年第03期
提出了一种高Q值、高线性度SiGe HBT有源电感。基于NPN SiGe HBT共发射极-共基极-共集电极结构,引入有源负阻网络,以提高有源电感的Q值。采用前馈电流源,提高了有源电感的线性度。基于0.35μm SiGe BiCMOS工艺对有源电感进行了仿真验证,并分析了该有源电感的电感值、Q值以及线性度。该有源电感适用于对Q值、线性度要求较高的射频电路。
作者：胡春艳; 岳素格; 陆时进; 刘琳; 张晓晨 刊期：2018年第03期
为解决纳米CMOS工艺下单粒子多节点翻转的问题,提出了一种加固存储单元（RH-12T）。在Quatro-10T存储单元基础上对电路结构进行改进,使存＂0＂节点不受高能粒子入射的影响,敏感节点对的数目是晶体管双立互锁（DICE）存储单元的一半。基于敏感节点对分离和SET缩减原理,进行了加固存储单元版图设计。在相同设计方法下,该存储单元的敏感节点间距是D...
作者：周光辉; 易茂祥; 方凯; 黄正峰 刊期：2018年第03期
电平转换电路是多电压设计中重要的组成部分,用来满足不同电压域间信号的传递。基于32nm CMOS工艺,在100℃下,分析了NBTI老化对传统电平转换电路的影响,并提出应对老化的方案。设计了一种改进的老化容忍的电平转换电路,限制了交叉耦合对的竞争,并采用多阈值技术平衡了功耗与时延。仿真结果表明,与原电路相比,该电路可以在更低的输入电压下正常工...
作者：孙汉萍; 董瑞凯; 王卓; 石跃; 李颂; 周泽坤; 张波 刊期：2018年第03期
提出了一种随温度折返式变化的电流限产生电路。该电路能起到系统级过温保护的作用。采用NTC热敏电阻来采样温度的变化信息,再放大后转换成电流,以便动态并线性地控制电流限。利用内嵌的多环路控制策略,动态引入边界限制调整环路,实现电流限的上限和下限箝位。基于标准0.35μm CMOS工艺,对折返式电流限电路进行了实现与验证。仿真结果表明,当NTC...
