杂志简介：《微电子学》杂志经新闻出版总署批准，自1971年创刊，国内刊号为50-1090/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：电路与系统设计、半导体器件与工艺、产品与可靠性、测试与封装
杂志简介：《微电子学》杂志经新闻出版总署批准，自1971年创刊，国内刊号为50-1090/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：电路与系统设计、半导体器件与工艺、产品与可靠性、测试与封装
作者：任兵兵; 张润曦; 石春琦 刊期：2017年第06期
基于0.18μm CMOS工艺,提出了一种为UHF RFID阅读器中VCO供电的低噪声、高电源抑制比LDO。根据LDO的基本结构,对噪声和电源抑制比进行了分析。采用两级结构,通过预调制级和低通滤波器来降低输出噪声,采用电源负反馈结构为带隙基准电路提供独立电源,并在功率输出级增加减法电路来提高电源抑制比。仿真结果表明,该LDO在100kHz和1 MHz处的输出噪声分...
作者：胡云斌; 胡永贵; 周前能 刊期：2017年第06期
提出了一种缓冲器阻抗动态调整的LDO结构。采用并联负反馈和阻抗动态调整技术,显著降低了缓冲级的输出阻抗,没有增加额外的静态电流,功率管栅极极点始终远在单位增益带宽之外,对稳定性没有影响。该缓冲级增大了功率管栅极的摆率,提高了LDO瞬态响应性能。基于TSMC 0.18μm 3.3VCMOS工艺进行设计,该LDO的输出电压为1.8V,压差电压为0.2V,最大输出电...
作者：廖鹏飞; 金光; 李向超; 邓军; 张颜林; 胡珂流; 刘伦才 刊期：2017年第06期
在传统无电容型LDO的基础上,设计了一种带瞬态增强的无电容型LDO。采用频率补偿方案,有效减小所需的片上补偿电容,节约了芯片面积。采用了过冲/下冲检测电路,用于检测负载瞬间变化时输出电压的变化,通过调节功率管栅极电压,提升了LDO的瞬态响应速度。采用0.13μm标准CMOS工艺,对设计的瞬态增强无电容型LDO进行仿真验证。结果表明,片上补偿电容为2...
作者：杜培德; 张旺红; 尹华 刊期：2017年第06期
目前,小型机载电子设备对二次电源体积、输入电压范围、输出电压种类、功率及效率的要求越来越高。基于单端反激拓扑和辅助绕组自驱动同步整流结构,设计了一种多路输出DC-DC电路。分析了多路电源的损耗组成、影响因素和解决措施,以指导电路设计和元器件选型,最终确定系统设计方案。重点对反激变压器设计、同步整流驱动设计和同步整流轻载损耗较...
作者：周德金; 陈珍海; 张惠国; 于宗光; 魏敬和 刊期：2017年第06期
提出了一种用于14位250MS/s ADC的数据发送器。该发送器输出采用电流模驱动方式,最高数据传输速率达3.5Gb/s,数据输出仅需要2个数据端口。电路采用180nm 1.8V1P5M CMOS工艺实现。测试结果表明,该发送器在3.5Gb/s速率下的输出信号摆幅为800mV,抖动峰峰值为100ps,功耗为32mW。采用该3.5Gb/s数据发送器的ADC在250 MHz采样率下得到的信噪比为71.1dBF...
作者：张章; 丁婧; 金永亮; 解光军 刊期：2017年第06期
提出了一种低电压超低功耗动态锁存比较器。采用了自适应双重衬底偏压技术,在适当时间将比较器进行顺向衬底偏压与零衬底偏压的切换,以取得功耗延时积（PDP）的优势最大化。为解决比较器不工作时静态功耗较大的问题,提出了一种关断结构。该比较器基于SMIC 180nm CMOS工艺,在400mV电源电压下进行了前仿真。前仿真结果表明,电路的平均功耗、响应时...
作者：宋健; 张勇; 李婷 刊期：2017年第06期
基于XFAB工艺参数,设计了一种不受电容电压系数影响的高速高精度SAR ADC。在理论上定性分析了电容电压系数对高速高精度SAR ADC的影响,并使用Matlab进行定量分析。分析结果表明,1阶与2阶电容电压系数对ADC性能的影响具有不同的特点。针对1阶电容电压系数,使用改进的分裂电容结构进行消除;针对2阶电容电压系数,使用分段数字补偿来进行校正。校正...
作者：雷倩倩; 杨延飞; 刘耀武; 张国青 刊期：2017年第06期
针对全球定位系统（GPS）接收机中宽动态范围的要求,提出了一种伪指数近似可变增益放大器（VGA）。该VGA在改进的吉尔伯特单元基础上,采用电压-电流转换电路构成伪指数函数,通过两级级联方式来实现宽线性增益范围,且电路结构对温度不敏感。测试结果表明,当控制电压在0.41.45V变化时,该VGA的线性增益范围为2080dB。在50dB线性增益范围内,增益随温...
作者：周茜; 邓进丽; 岳宏卫; 朱智勇; 龚全熙; 孙晓菲 刊期：2017年第06期
提出了一种超低温漂、低功耗亚阈值全CMOS基准电压源。利用工作在亚阈值区的3.3V MOS管与1.8V MOS管的栅源电压差,产生具有负温度系数的ΔVTH和具有正温度系数的VT,经过相互调节,得到与温度无关的基准电压。采用了共源共栅电流镜,以降低电源抑制比（PSRR）和电压调整率。基于SMIC 0.18μm CMOS工艺对电路进行了仿真。仿真结果表明,在-22℃-142℃温...
作者：尹勇生; 易昕; 邓红辉 刊期：2017年第06期
根据带隙基准电压源工作原理,设计了一种带2阶温度补偿的负反馈箝位CMOS基准电压源。不同于带放大电路的带隙基准电压源,该基准电压源不会受到失调的影响,采用的负反馈箝位技术使电路输出更稳定。加入了高阶补偿电路,改善了带隙基准电压源的温漂特性。电路输出阻抗的增大有效提高了电源抑制比。基于0.18μm CMOS工艺,采用Cadence Spectre软件对该...
作者：甘明富; 冯筱佳; 王成鹤 刊期：2017年第06期
基于高速亚微米互补双极工艺,设计了一种用于视频信号处理的高速宽带运算放大器。电路内部采用高速输入差分对、电流型放大单元、Rail-to-Rail输出单元等结构进行信号传输和放大。对开环增益提升、高速电压-电流信号转换、满摆幅输出设计以及频率稳定性补偿等关键技术进行分析,利用Spectre软件进行仿真。流片后的测试结果表明,在±5V工作电压下,...
作者：吴畏; 邓宁 刊期：2017年第06期
基于NXP 0.16μm CMOS工艺,设计并实现了一种温度、电容混合传感器的接口电路。温度传感器的前端基于双极型晶体管的温度依赖特性,将温度信息转换为与温度有关的电压信息;电容传感器的前端基于开关电容电路,将电容值转换为与电容有关的电荷。两个传感器共用一个2阶Δ-Σ模数转换器,以减小芯片面积。测试结果表明,在-55℃125℃范围内,温度传感器的准...
作者：王巍; 李双巧; 徐媛媛; 杨正琳; 袁军; 王冠宇; 何雍春 刊期：2017年第06期
以{2^n-1,2^n,2^n＋1,2^（n-1）-1,2^（n＋1）-1}为余数基,在余数系统（RNS）的基础上设计了一种128抽头有限脉冲响应（FIR）滤波器。针对大位宽输入,利用基于华莱士（Wallace）树结构的纯组合逻辑电路,实现了二进制到余数的转换。相较于一般抽头中乘法器级联加法器的结构,设计的乘累加（MAC）单元将加法运算合并到部分积求和中,减少了一级模加...
作者：李景虎; 刘梦飞; 张兴宝 刊期：2017年第06期
提出了一种具有工艺和温度自校正功能的环形振荡器。相较于传统的环形振荡器,该环形振荡器增加了温度校正模块和工艺校正模块。当工艺角变化为ss→tt→ff,工艺校正模块会相应地调整延迟单元的供电电压,校正由工艺角引起的振荡频率变化。当温度在-40℃-125℃范围内变化时,温度校正模块为延迟单元提供一个与温度无关的电流,以稳定振荡频率。该环形...
作者：张玲; 梅军进; 王伟征 刊期：2017年第06期
相比于2D芯片,3D芯片具有更高的功率密度和更低的热导率。针对散热问题,多层3D芯片一般采用具有较高热导率的铜填充硅通孔（TSV）。为提高3D芯片的成品率,在温度条件限制下,对3D芯片进行TSV的容错结构设计非常重要。分析了带有TSV的3D芯片温度模型,提出了3D芯片温度模型的TSV修复方法。根据温度要求设计总的TSV数,将这些TSV分为若干个组,每组由m...
