杂志简介：《微电子学》杂志经新闻出版总署批准，自1971年创刊，国内刊号为50-1090/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：电路与系统设计、半导体器件与工艺、产品与可靠性、测试与封装
杂志简介：《微电子学》杂志经新闻出版总署批准，自1971年创刊，国内刊号为50-1090/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：电路与系统设计、半导体器件与工艺、产品与可靠性、测试与封装
作者：张俊安; 冯雯雯; 刘军; 付东兵; 杨毓军; 罗璞; 李广军 刊期：2017年第04期
综合论述了高速电流舵结构D/A转换器设计中的多项关键技术。以近年发表的高速电流舵结构D/A转换器的论文和公开的专利为基础,以电流舵结构D/A转换器设计中所遇到的多种非理想因素为依据,分类介绍了每种关键技术的原理、特点,并给出评价,提出了这些技术在电路级实现时需要考虑的因素。
作者：田也; 陆序长; 谢亮; 金湘亮 刊期：2017年第04期
设计了一种适用于过高磁场抗扰度的电容式隔离型全差分Σ-Δ调制器。它采用单环2阶1位量化的前馈积分器结构,运用斩波技术降低低频噪声和直流失调。与传统的全差分结构相比,该调制器的每级积分器均采用4个采样电容,在一个时钟周期内能实现两次采样与积分,所需的外部时钟频率仅为传统积分器的一半,降低了运放的压摆率及单位增益带宽的设计要求,实现...
作者：范东风; 沈红伟; 王立芳; 王岩 刊期：2017年第04期
提出了一种基于开关电容的基准电压源,其输出基准电压低于1.25 V。通过增加输出级电路,保证了连续时间内输出稳定的基准电压。采用开关电容电路消除了运放输入失调电压的不利影响。采用SMIC 0.13μm EEPROM工艺进行了流片,电路面积为0.007 mm~2。测试结果表明,该基准电压源在常温下输出的基准电压为820 m V,在1.1~1.7 V电源电压范围内的电压调整...
作者：秦少宏; 胡永贵; 胡云斌; 青旭东; 周勇; 钟黎 刊期：2017年第04期
设计了一种高电源抑制比（PSRR）、低温漂的无电阻带隙基准源。在传统无电阻带隙基准电压源的基础上引入反馈环路,实现了对电压的箝制,减小了沟道长度调制效应和失调电压,提高了带隙基准源的PSRR。引入正温度补偿电路,减小了带隙基准源的温度系数。采用TSMC 0.18μm CMOS工艺对电路进行了仿真。结果表明,在3 V工作电压下,在低频下带隙基准源的PSR...
作者：尹洪剑; 万辉; 高炜祺 刊期：2017年第04期
基于XFAB 0.6μm CMOS工艺,设计了一种具有大电流驱动能力的低温度系数带隙基准电压源。通过设置不同温度系数的电阻的比值,实现带隙基准的2阶曲率补偿。采用新的电路结构,使基准源具有驱动10 m A以上负载电流的能力。经过Hspice仿真验证,常温基准输出电压为2.496 V,-55℃～125℃温度范围内的温度系数是3.1×10~（-6）/℃;低频时,电源电压抑制比为...
作者：陈婷; 何进; 陈鹏伟; 王豪; 常胜; 黄启俊 刊期：2017年第04期
基于0.13μm CMOS工艺,设计了一种工作于K波段的低噪声放大器。输入匹配采用一种改良π型匹配网络,输出匹配采用L＋π型匹配网络,避免了电容击穿的风险和源端大电感的引入。电路使用级间L型匹配的方式,利用第一级电路的输出寄生电容和第二级电路的输入寄生电容,有效地提高了电路的增益,降低了噪声。仿真结果表明,该低噪声放大电路为单电源1.5 V供电...
作者：孔娃; 夏景; 施丽娟; 杨利霞; 詹永照 刊期：2017年第04期
为了满足功率放大器对高效率和宽带的要求,介绍了一种连续逆F类功率放大器设计方法。在分析连续逆F类模式的基波和谐波阻抗基础上,提出了一种阶跃阻抗匹配网络电路。为了验证方法的有效性,设计并实现了一个1.7~2.9 GHz宽带的连续逆F类功率放大器。测试结果表明,在工作带宽内,增益波动小于2 d B,饱和功率大于40.5 d Bm,峰值效率为65%~76%。该方法...
作者：郑岩; 李志强; 刘昱; 黄水龙; 张以涛 刊期：2017年第04期
基于IBM SOI 0.18μm CMOS工艺,设计了一种高功率附加效率（PAE）的E类功率放大器,由驱动级和输出级两级构成。驱动级采用E类结构,使输出级能更好地实现开与关。输出级采用电感谐振寄生电容,提高了效率。输出级的共栅管采用自偏置的方式,防止晶体管被击穿。两级之间使用了改善输出级电压和电流交叠的网络。仿真结果表明,在2.8 V电源电压下,工作频...
作者：张会; 钱国明 刊期：2017年第04期
采用RC负反馈、源极电感负反馈等方法,设计并制作了一种基于MMIC技术的3～15 GHz超宽带低噪声放大器,在超宽带范围内实现了优良的回波损耗和平坦的高增益。采用0.15μm Ga As p HEMT工艺进行设计,该放大器的芯片尺寸为2 mm×1 mm,直流功耗为200 m W。在片测试结果表明,带内增益高达28 d B,4～12 GHz带宽范围内的噪声系数低于2 d B,输入/输出回波损...
作者：彭尧; 何进; 陈鹏伟; 王豪; 常胜; 黄启俊 刊期：2017年第04期
基于130 nm CMOS工艺,设计了工作于K波段的双平衡下变频混频器。在传统吉尔伯特单元基础上采用电流复用注入结构,减小了开关级的偏置电流,提升了开关性能。在开关级源端引入谐振电感,消除了开关共源节点处的寄生电容,抑制了射频信号的泄露,提高了增益,减小了噪声。仿真结果表明,输入射频信号为24 GHz,本振信号为24.5 GHz,本振输入功率为-3 d Bm...
作者：杨虹; 黄亚男; 李儒章; 庞宇 刊期：2017年第04期
以Toffoli门族为基础,采用ESOP综合方法设计了一种4位可逆二进制加/减法器。引入了＂共享控制位提取＂的优化方法,并提出一种＂传输线复用＂的新思路,对可逆电路进行了优化。利用Quartus II软件进行了电路仿真,结果表明,该加/减法器的性能指标达到设计目标。该电路的量子代价、辅助输入、垃圾输出等性能指标均有较大程度的优化。
作者：王博; 韦保林; 周峰; 韦雪明; 徐卫林; 段吉海 刊期：2017年第04期
设计了一种应用于自动增益控制放大器（AGC）的电流镜结构型峰值检测器。采用两个不同泄放电流的基本检测电路,并引入由比较器和与门构成的自适应控制电路,克服了传统峰值检测器中电容电荷泄放电流过小导致响应时间过长和电容电荷泄放电流过大导致检测结果波动这两个矛盾问题。采用SMIC 0.18μm CMOS工艺进行了仿真。后仿真结果表明,该峰值检测器...
作者：郭玮; 冯全源; 庄圣贤 刊期：2017年第04期
针对恒定导通时间（COT）控制架构Buck变换器的开关频率随输入与输出电压变化较大的问题,在COT架构的基础上,引入输入电压前馈,使开关管导通时间与输入电压成反比,同时引入输出电压反馈,使开关管导通时间与输出电压成正比,从而使系统开关频率保持恒定,简化了输出滤波器的设计,减小了电磁干扰。Hspice软件仿真结果表明,导通时间随输入与输出电压...
作者：易茂祥; 丁力; 张林; 李扬; 黄正峰 刊期：2017年第04期
N型多米诺或门是高性能集成电路常用的动态单元,负偏置温度不稳定性（NBTI）引起的PMOS管老化问题已成为降低多米诺或门电路可靠性的主要因素之一。仿真分析表明,N型多米诺或门中各种PMOS管受NBTI的影响有明显差别。针对这种差异,提出一种双阈值配置的抗老化多米诺或门。对电路老化起关键作用的保持PMOS管和反相器PMOS管采用低阈值电压设计。仿...
作者：陈文凯; 李斌; 吴朝晖 刊期：2017年第04期
提出了一种用于片内数字驱动的瞬态增强NMOS低压差线性稳压器（LDO）。该LDO采用电容耦合动态偏置和双环路推挽式驱动调整管,极大地提高了电路的瞬态响应速度。基于0.35μm BCD工艺的仿真结果表明,负载电流在0.1～100 m A之间的跃迁时间为100 ns时,电路的下冲电压为42 m V,过冲电压为66 m V,稳定时间仅为323 ns。该LDO电路的总体静态电流约为50μA...
