杂志简介：《微电子学》杂志经新闻出版总署批准，自1971年创刊，国内刊号为50-1090/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：电路与系统设计、半导体器件与工艺、产品与可靠性、测试与封装
杂志简介：《微电子学》杂志经新闻出版总署批准，自1971年创刊，国内刊号为50-1090/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：电路与系统设计、半导体器件与工艺、产品与可靠性、测试与封装
作者：舒芋钧; 梅沣易; 余有灵; 吴江枫 刊期：2017年第02期
设计了一个5位330 MS/s的异步数字斜坡模数转换器（ADC）。采用中芯国际55nm工艺和Cadence Virtuoso软件,对电路进行设计和仿真。供电电源为1.2V,改进后的延迟单元将延迟时间缩短到50ps。另外,该电路中的比较器采用自动关闭方式,节省了功耗。输入电压峰峰值为0.4V时,仿真得到信噪失真比（SNDR）为28.19dB,有效位（ENOB）为4.39位,无杂散噪声动态...
作者：梅沣易; 舒芋钧; 余有灵; 吴江枫 刊期：2017年第02期
基于55nm CMOS工艺,设计了一种10位150 MS/s的逐次逼近模数转换器（SAR ADC）。将融合电容切换方式（MCS Scheme）与分离电容式DAC（Split CDAC）相结合,提出了一种新型的电容切换方式,极大地降低了ADC的功耗。采用非二进制冗余算法,减少了ADC的判决误差,提高了采样速率。在15 MHz和74.5 MHz的输入信号下,信号噪声失真比（SNDR）分别为51.5dB和4...
作者：岳宏卫; 邓进丽; 朱智勇; 段吉海; 韦雪明 刊期：2017年第02期
提出了一种超低功耗、无BJT的基于亚阈值CMOS特性的基准电压源。采用正负温度系数电流求和的方式来获得与温度无关的电流,再转换成基准电压;采用共源共栅电流镜来提高电源电压抑制比和电压调整率。基于SMIC 0.18μm CMOS工艺进行仿真,结果表明,在-20℃～135℃温度范围内,温漂系数为2.97×10^-5/℃;在0.9～3.3V电源电压范围内,电压调整率为0.089%;...
作者：陈钢; 王卫东 刊期：2017年第02期
采用2个双端差分输入放大器（DDIA）,设计了一种新型高精度曲率补偿的带隙基准源。其中一个DDIA产生PTAT电流,得到1阶补偿的基准电压,另一个DDIA产生与温度非线性相关的补偿电压,对基准电压的温度曲线进行曲率补偿,得到高阶温度补偿的参考电压。该电路基于SMIC 0.18μm标准CMOS工艺,仿真结果表明：在3.3V电源电压下,基准输出电压为1.171 9V;在-40...
作者：胡云斌; 胡永贵; 周勇; 顾宇晴; 陈振中 刊期：2017年第02期
基于低压技术,利用亚阈值区MOS管代替寄生BJT管,设计了一种工作在低电源电压下的基准电压源,并对基准电压进行了温度补偿。采用TSMC 0.18μm CMOS工艺对电路进行了设计和仿真。仿真结果显示：电路正常工作的最低电源电压为0.6V,当电源在0.6～2.0V范围内变化,基准输出电压仅变化了1.75mV;在0.6V电源电压下,-20℃～125℃温度范围内,温度系数为2.8×1...
作者：周勇; 胡刚毅; 沈晓峰; 胡云斌; 顾宇晴; 陈遐迩 刊期：2017年第02期
在0.18μm标准CMOS工艺模型下,利用亚阈值MOS管以及深线性区MOS管的特性,设计了一种全MOS型基准电压源。该基准源不使用电阻,具有超低功耗、低温度系数的特点,并且可在电源电压低于1V的情况下正常工作。当电源电压为1.2V,温度范围为-55℃～125℃,该基准源的温度系数为2.67×10^-5/℃,电源抑制比为-45.42dB@100Hz,功耗为105.96nW。
作者：王巍; 胡凤; 鲍孝圆; 黄孟佳; 杨皓; 杨正琳; 袁军 刊期：2017年第02期
基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种高增益单端3级级联60GHz低噪声放大器。级间匹配采用LC谐振,以减小传输损耗,引入的级间电感L与上级输出寄生电容、下级输入寄生电容谐振,以减小寄生效应的影响。在3.3V供电电压下,60GHz频率处的功率增益S21达到21.8dB,噪声系数NF为6.1dB;在58-65GHz频段内,输入和输出反射系数S11和S22均小于-10dB。
作者：张瑛; 马凯学; 张长春; 周洪敏; 郭宇锋 刊期：2017年第02期
宽带功率放大器的应用对于提升脉冲多普勒雷达等军用和民用系统的性能具有重要的意义。采用0.18μm CMOS工艺,设计了一种非均匀结构的宽带分布式功率放大器。采用峰化电感以提高放大器的增益,在漏极人工传输线的输出端增加L型匹配网络,改善了放大器的阻抗匹配特性。仿真结果表明,该放大器在1.5～15GHz频率范围内的增益为10.7dB,带内增益平坦度为±...
作者：朱智勇; 段吉海; 邓进丽; 徐卫林; 韦雪明 刊期：2017年第02期
提出了一种应用于逐次逼近模数转换器的高速高精度比较器。该比较器由2级预放大器、1级锁存比较器以及缓冲电路构成。在前置预放大器中采用共源共栅结构、复位和箝位技术,提高了比较器的精度和速度,降低了功耗。在锁存比较器中引入额外的正反馈路径,提高了响应速度,降低了功耗。将锁存比较器输入对管与锁存结构隔离,降低了踢回噪声的影响,提高了...
作者：赵亚; 赵鹏; 夏瑞威; 高海军 刊期：2017年第02期
提出了一种基于数字可控电感的宽带压控振荡器（VCO）。根据人工介电常数控制理论,提出了利用数字可控差分传输线实现电感可调的方法,并在ADS软件中对数字可控差分电感进行仿真和优化,最终提出了一种采用数字可控电感来实现宽带VCO的方法。在Cadence仿真环境中,采用GF 65nm CMOS工艺进行电路设计。流片后,测得电路总的频率调节范围约为6.5GHz（6...
作者：刘新; 唐政维; 安广雷 刊期：2017年第02期
提出了一种植入式神经元记录系统信号处理电路,由一个带通放大器和流水线模数转换器（ADC）构成。带通放大器采用具有共模反馈的跨导运算放大器（OTA）来放大神经元信号,采用最优的2级放大器级数,减小了功耗和面积。流水线ADC采用全差分结构和CDS技术,减小了非线性失真,其中,MDAC采用一种新的消除技术,降低了输入漂移电压。采用0.18μm CMOS工艺...
作者：孟煦; 林福江 刊期：2017年第02期
提出了一种基于谐波注入锁定数控环形振荡器的时钟产生电路。采用注入锁定技术,极大地抑制了环形振荡器的相位噪声。在频率调谐环路关断的情况下,数控式振荡器可以正常工作,与需要一直工作的锁相环相比,大大节省了功耗。分析了电路的参考杂散性能。在65nm CMOS工艺下进行流片测试,芯片的面积约为0.2mm2。测试结果表明,设计的时钟产生电路工作在6...
作者：陈振中; 王永禄; 胡蓉彬; 陈繁; 胡云斌 刊期：2017年第02期
基于65nm CMOS工艺,设计了一种新型的CMOS主从式采样/保持电路。采用全差分开环主从式的双通道采样结构,提高了电路的线性度。采用负电压产生技术,解决了纳米级工艺下电源电压低的问题。采用Cadence Spectre软件对电路进行仿真分析。仿真结果显示,在1.9V电源电压、相干采样下,当输入频率为1.247 5GHz,峰-峰值为0.4V的正弦波信号,采样率为2.5GS/s...
作者：李铁; 张力; 邹雪城 刊期：2017年第02期
基于三维堆叠芯片间电感耦合无线互联的方法,设计了一种用于三维芯片间的低功耗单相位调制收发电路。相比于传统的双相位调制收发电路,单相位调制收发电路能将功耗降低58%,而且不牺牲收发电路的其他性能。采用新芯XMC 65nm CMOS工艺进行设计,电源电压为1.2V,收发电路的工作速度可达1Gb/s,功耗仅为1.25mW,误码率小于1×10^-13。单相位调制传输方式...
作者：鲍红艳; 卫宝跃; 刘欣; 王小松; 刘昱 刊期：2017年第02期
应用于零中频接收机,设计了一种具有4阶跳蛙结构且能有效消除直流失调的有源RC低通滤波器。该滤波器的4个可调带宽分别是180,360,720,1 400kHz,通带增益范围为0～72dB,能够实现多模移动通信的信道选择以及抵抗邻频干扰;在带宽为180kHz时,功耗仅为350μW;当增益为0dB时,该电路的直流失调抑制值为-128dB,IIP3可达30dBm,实现了信号的线性传输。该电...
