杂志简介：《微电子学》杂志经新闻出版总署批准，自1971年创刊，国内刊号为50-1090/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：电路与系统设计、半导体器件与工艺、产品与可靠性、测试与封装
杂志简介：《微电子学》杂志经新闻出版总署批准，自1971年创刊，国内刊号为50-1090/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：电路与系统设计、半导体器件与工艺、产品与可靠性、测试与封装
作者：范国亮; 张国俊 刊期：2016年第03期
针对低压低功耗条件下传统电流镜运算放大器电压增益和摆率严重降低的问题,提出了一种新型增益提升和摆率增强的CMOS电流镜放大器,并对其小信号增益和摆率进行了详细分析。理论分析表明,在不影响单位增益频率和相位裕度等小信号特性的同时,极大地提高了增益和摆率。仿真结果表明,与传统的CMOS电流镜放大器相比,该新型CMOS电流镜放大器的增益提高...
作者：郑耀华; 陈思弟; 章国豪 刊期：2016年第03期
采用完全对称的双链路功率合成架构,设计了一种应用于北斗手持式终端的高输出功率的功率放大器。采用F类输出匹配网络和自适应偏置电路,使得该功率放大器获得较高的功率附加效率和较好的谐波抑制性能。电路采用InGaP/GaAs HBT工艺流片,并通过搭载基板实现了集成化芯片的研制。芯片测试结果表明,该功率放大器的小信号增益为30dB,1dB压缩点为37dBm...
作者：张瑛; 马凯学; 周洪敏; 郭宇锋 刊期：2016年第03期
对T型匹配网络构成的人工传输线的阻抗匹配特性进行了讨论,在此基础上,采用0.18μm CMOS工艺,设计了一种宽带分布式功率放大器。设计中,通过减小栅极人工传输线的吸收负载,在放大器输入端获得了良好的阻抗匹配;通过在放大器输出端增加1个L型阻抗匹配网络,实现了输出端阻抗匹配,同时有效提升了分布式放大器的增益和输出功率。仿真结果显示,该放大...
作者：赵双; 刘云涛 刊期：2016年第03期
为了提高运算放大器对电源电压的利用率,基于GSMC 0.18μm CMOS工艺模型,设计了一种高增益恒跨导轨对轨CMOS运算放大器。该运算放大器的输入级采用了互补差分对,并通过3倍电流镜法保证输入级总跨导在整个共模输入范围内恒定;为了获得较大的增益和输出摆幅,中间级采用了折叠式共源共栅结构;输出级采用了AB类输出控制电路,使输出摆幅基本实现了轨对...
作者：胡世林; 孙凯; 郝明丽 刊期：2016年第03期
基于IBM 0.18μm SOI CMOS工艺,设计了一款用于WLAN的高效率CMOS功率放大器。为了提高电路的可靠性,该放大器的驱动级和输出级均采用自适应偏置电路,使得共栅管和共源管的漏源电压分布更为均衡。该芯片采用两级共源共栅结构,片内集成了输入匹配电路和级间匹配电路。测试结果表明,该放大器的增益为23.9dB,1dB压缩点为23.9dBm,效率为39.4%。当测试...
作者：张华拓; 张国俊 刊期：2016年第03期
设计了一种高低温的高阶曲率补偿带隙基准源。利用VBE的负温度系数特性,分别在高温和低温时使双极型晶体管（BJT）导通,通过BJT的集电极电流产生与温度成指数关系的电压,对基准电压进行补偿,达到高阶补偿的效果。同时,带隙基准电压源采用调节电阻以及NPN和PNP串联的形式,可产生2.3V的基准电压。电路基于CSMC 2μm双极工艺设计,采用Hspice进行仿真...
作者：李连辉; 段吉海; 徐卫林 刊期：2016年第03期
基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一款低温漂高PSRR的带隙基准电压源。采用全新的曲率补偿电路架构,使输出基准电压源具有超低温漂系数。采用共源共栅电流镜带负反馈的结构,提高了核心电路的PSRR。利用Cadence Spectre EDA软件对电路进行设计和仿真,结果表明,在-40℃-100℃温度范围内,电路的温漂系数仅为1.8×10-6/℃,电压变化范围小于0.3mV,在1....
作者：杨琦; 张国俊 刊期：2016年第03期
采用一种具有较高固有精度的带隙核心结构,设计了一种应用于开关电源芯片的带数字修调的高精度带隙基准电路。通过对传统Brokaw基准结构进行改进,提出了一种新型的带隙基准核心电路,使得由于失配导致的基准电压变化从6.4mV减小到3.4μV,提高了带隙基准的固有精度。基于CSMC 0.5μm BCD工艺对电路进行仿真,结果表明,在-40℃-120℃的温度范围内,基准...
作者：张玲; 王伟征 刊期：2016年第03期
低成本BIST利用映射电路对自测试线形反馈移位寄存器进行优化,将对故障覆盖率无贡献的测试向量屏蔽掉,有效提高了故障覆盖率,降低了测试功耗。映射电路的设计是低成本BIST设计的关键,为了降低其硬件开销和功耗、提高参数性能,该映射逻辑电路对测试向量的种子进行映射,并通过相容逻辑变量合并、布尔代数化简等方法对映射电路进行优化,有效地降低...
作者：李睿; 冯全源 刊期：2016年第03期
在传统带隙基准的基础上,利用曲率补偿和预稳压结构,设计了一种高性能带隙基准源。利用MOS管在亚阈值区域时的指数特性,对基准电压进行曲率补偿,使用预稳压结构提高电源抑制能力。该电路结构简单,实现了较宽的电压输入范围（2.5-10V）。在UMC 0.25μm BCD工艺上进行仿真,结果表明,电源电压为2.5-10V,基准电压变化峰峰值为142μV;温度在-40℃-150℃...
作者：钟俊达; 冷思雨; 华浩翔; 周泽坤 刊期：2016年第03期
基于双环路控制构建推挽结构,增强了功率管栅端的摆率,改善了无片外电容LDO的瞬态响应。此外,结合A类复合放大器特性,降低了功率管栅端阻抗,有利于提升LDO的频率稳定性。该LDO输入电压范围为2.0-3.5V,输出电压为1.8V,最大负载电流为100mA。当负载电流在1μs内从100μA跳变到100mA以及从100mA跳变到100μA时,最大下冲电压为128mV,最大上冲电压为170m...
作者：韩旭; 张为; 王金川; 刘艳艳 刊期：2016年第03期
提出了一种无片上电容的低压差线性稳压器（LDO）,通过增加转换速率增强电路,对LDO输出电压的变化进行探测,从而对误差放大器偏置电流进行补偿,达到改善负载瞬态响应的目的。该LDO基于0.18μm CMOS工艺设计,输出电压为1.2V,最大负载电流为100mA。仿真和测试结果表明,该LDO的瞬态负载响应改善明显,具有较好的低功耗特性,在保证电路稳定性的前提下,...
作者：孙建伟; 刘自成; 陈志铭 刊期：2016年第03期
设计了一种快速瞬态响应的无片外电容低压差线性稳压器（LDO）。采用具有摆率增强作用的缓冲级电路,可以在不额外增加静态电流的同时检测输出端电压,在负载瞬间变化时增大功率器件栅极电容的充放电电流。缓冲级电路还引入了简单的负反馈技术,增加了环路的相位裕度。采用SMIC 180nm的CMOS工艺进行设计和仿真。仿真结果表明,当输入电压为1.4-5V时,...
作者：覃仕成; 谢亮; 金湘亮 刊期：2016年第03期
设计了一款应用于MEMS麦克风的电荷泵电路。在动态的电荷传输开关型电荷泵中,增加了时钟电平倍增电路和负反馈电路,使得电荷泵在工艺偏差、温度以及电源电压变化时能够输出稳定的高压。电路基于0.3μm CMOS工艺实现,Spectre仿真结果表明,在1.6-3.6V电源电压范围及所有工艺角下,电荷泵能够输出偏差在±5%以内的14V高压,与相同条件下的传统静态电荷...
作者：周杰; 李靖; 洪志良; 黄煜梅 刊期：2016年第03期
为满足无线体域网接收机超低功耗的要求,设计了一种3-5GHz超低功耗非相关脉冲超宽带接收机射频前端电路,包括低噪声放大器（LNA）、有源巴伦和平方器。为了降低功耗,采用电流复用技术设计LNA和有源巴伦;同时设计了一种工作在亚阈值区域的全差分平方器,将基于吉尔伯特乘法器的平方器的功耗从mW级降低到μW级。此外,采用电容交叉耦合技术,提高了平...
