杂志简介：《微电子学》杂志经新闻出版总署批准，自1971年创刊，国内刊号为50-1090/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：电路与系统设计、半导体器件与工艺、产品与可靠性、测试与封装
杂志简介：《微电子学》杂志经新闻出版总署批准，自1971年创刊，国内刊号为50-1090/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：电路与系统设计、半导体器件与工艺、产品与可靠性、测试与封装
作者：辛晓宁 李萌 刊期：2013年第04期
在分析传统Brokaw结构带隙基准电路的基础上,采用分段曲率补偿技术,结合电阻修调技术,实现了一个高精度带隙基准电压源.基于HHNEC 0.35 μm BCD工艺,采用Cadence的Specture进行仿真,结果表明,该带隙基准源在3.3V工作电压下稳定输出2.5V电压,在-40℃～85℃温度范围内具有不超过2.254×10-6/℃的低温度系数和105 dB的高电源抑制比.
作者：胡勇 彭晓宏 刘云康 吕本强 朱治鼎 刊期：2013年第04期
提出了一种新型电流模式的带隙基准电压源结构,与传统带隙基准源不同,通过电流模式高阶曲率补偿技术,消除了高阶温度系数对基准电压的影响,得到一个与温度相关性较小的基准电压.电路采用Chartered 0.35μm工艺进行设计,仿真验证结果表明,在-40℃～125℃温度范围内,温度系数为7.25×10-6/℃,基准电压平均值为1.114 V,电源抑制比为-89.28 dB.
作者：陈铖颖 黑勇 戴澜 胡晓宇 刊期：2013年第04期
自动增益控制环路是由可变增益放大器和负反馈回路构成的闭环系统,被广泛应用于助听器、磁盘驱动电路及各类无线通信电路.采用SMIC 0.13 μm 1P8M CMOS工艺,设计了一款用于助听器SOC的低功耗自动增益控制环路.该电路采用数字反馈回路进行增益控制.后仿真结果表明,在1V电源电压下,输入信号为8 kHz,输出信号峰峰值为126mV时,电路的无杂散动态范围为...
作者：邢光辉 张万荣 谢红云 丁春宝 郭振杰 路志义 张瑜洁 张卿远 刊期：2013年第04期
提出了一种基于有源可调衰减器的超宽带可变增益放大器,以有源可调衰减器作为可变增益放大器的核心,并与高增益放大器级联,在3.1～10.6 GHz超宽频带内实现了宽动态增益调节范围.基于Jazz 0.35 μm SiGe HBT工艺,完成了超宽带可变增益放大器的设计,利用安捷伦公司的ADS仿真软件进行仿真验证.结果表明,在3.1～10.6 GHz的超宽频带内,当电压在0.7～2....
作者：李新 杨国坤 王业飞 刊期：2013年第04期
基于TSMC 0.25 μm工艺,设计了一种复合共源共栅两级CMOS运算放大器.与传统CMOS运算放大器相比,该运放利用MOS管工作在弱反型区时跨导较大、工作电流较小的特点,有效提高了运放的增益,同时降低了功耗,提高了输出电压摆幅.运放结构简单,降低了补偿难度,3.5 pF的补偿电容就可以支持运放稳定工作.仿真与实验数据表明,设计的运算放大器直流增益可达11...
作者：杨旭 胡烽 周泽坤 张波 刊期：2013年第04期
提出了一种适用于PDP行驱动电路的矩阵控制方法,并设计了行驱动逻辑控制电路.与常规的控制方法相比,矩阵控制方法使高压MOS管的数量减少70％以上,极大地减小了芯片面积.仿真结果表明,采用该矩阵控制方法的PDP行驱动电路,在减小芯片面积的同时,实现了移位寄存输出96位的功能,仿真结果与理论分析一致.
作者：黎俐 方健 刊期：2013年第04期
基于低压BCD工艺,与华润上华合作开发了1μm 600 V BCD工艺平台,可以集成600V高压LDMOS和高压结终端.基于此工艺平台,设计了一种高压半桥栅驱动电路.该电路具有独立的低端和高端输入通道,内置长达1 μs的死区时间,防止高低端同时导通.采用双脉冲电平位移结构完成15～615V的电平位移,同时集成过流和欠压等保护功能.高端采用新型的电平位移结构,版图...
作者：崔嘉杰 王新宇 罗萍 刊期：2013年第04期
介绍了Triac调光器的基本原理,对Triac调光器应用于LED照明中存在的问题进行了分析.采用TI公司的LM3445,设计了一款原边反馈反激式LED驱动电路.试验结果证明,该驱动电路解决了Triac调光器应用中的频闪问题,满足小功率LED调光应用的实际需要.
作者：石跃 朱世鸿 黄建刚 刊期：2013年第04期
设计了一种结构新颖、适用于各种同步整流结构的零死区栅驱动电路,并在全桥输出结构的D类放大器中对其可行性进行了验证.通过控制输出同步整流功率管在开关过程中同时切换,避免了功率管寄生体二极管的开启,从而消除了体二极管导通产生的电磁干扰.基于0.6μmBCD工艺,对提出的零死区栅驱动电路进行仿真验证,结果表明,当穿通电流小于45 mA时,可以保...
作者：刘其龙 丁夏夏 李瑞兴 吴秀龙 谭守标 刊期：2013年第04期
随着半导体工艺的进步,器件特征尺寸不断缩小,晶体管漏电流呈现出增长趋势.高速SRAM位线上,过大的漏电流会引起SRAM的性能出现严重下降,甚至导致SRAM读失效的发生.特别是当位线上积累的漏电流已经超过SRAM的工作电流时,传统方法将趋于失效.提出位线自截断技术来消除过大漏电流对SRAM的不利影响.采用SMIC 65 nm CMOS工艺,设计了一款SRAM,通过仿真...
作者：黄建刚 罗明 代高强 周泽坤 明鑫 张波 刊期：2013年第04期
采用自适应恒定导通时间（Adaptive Constant On-Time,ACOT）控制模式,设计了一种高效的降压型DC/DC变换器.该电路结构简单,无需进行环路补偿,具有瞬态响应快、在全负载段内转换效率高、频率集中等优点.基于0.6 μm 16 V CD工艺,对设计的降压型DC/DC变换器进行仿真验证.结果表明,该变换器在轻载下的效率高于83％;在全负载范围内,最高效率达到97％...
作者：王多 胡焰胜 徐晓斌 陆锋 刊期：2013年第04期
分析了传统内容寻址存储器（CAM）结构,提出其功耗模型.根据功耗模型,设计了一种适用于以太网MAC地址识别的新型低功耗CAM单元结构及其预充电路.基于SMIC 0.18 μm/1.8V工艺库,利用HSPICE平台对电路进行仿真,仿真频率为100 MHz.结果表明,64×64的新型CAM阵列平均查找时间为0.8955 ns,写入功耗和查找功耗分别为22.61 μW/b和4.186μW/b,仅为传统CAM结...
作者：刘凡 苏晨 周晓丹 雷郎成 郭艾 刊期：2013年第04期
以电流舵型D/A转换器为核心,设计了一个8通道14位60 MHz D/A转换器.采用三段电流源（5＋4＋5）结构的核心D/A转换器单元,有效地保证了转换器的精度和速度;利用电荷泵锁相环进行时钟倍频和多组时钟信号的相位同步,确保电路动态性能;通过输入级引入失调来获得具有迟滞特性的低压差分信号（LVDS）接收器,实现了840 Mb/s高频数据接口功能.电路采用CM...
作者：廖建军 黄波 李文豪 刘健 尹华 刊期：2013年第04期
研究了机载28 V直流供电系统浪涌电压对DC/DC电源的危害,对影响浪涌抑制电路的各种因素进行了探讨.提出了尖峰抑制电路、过压浪涌抑制电路和欠压浪涌抑制电路的设计方案,并将过压浪涌电路和欠压浪涌电路结合起来.基于以上方法,较全面地评估了电路在启动过程中存在的问题,并设计了滞环比较器.采用提出的方案,设计了一个实验电路.仿真和实验电路测...
作者：杨建明 李琰 刊期：2013年第04期
建立了单电感多路输出（SIMO） DC-DC转换器的数学模型,通过Matlab验证了SIMO模型的可行性.为解决SIMO控制电路复杂以及静态工作电流大的问题,提出在电流域设计SIMO控制器的方法.该方法将SIMO多路输出电压反馈信号转换为电流信号,与基准电流信号和电感电流信号一并输入多环路PWM控制器,PWM控制器在电流域完成需要的运算及环路频率补偿.仿真结果...
