杂志简介：《微电子学》杂志经新闻出版总署批准，自1971年创刊，国内刊号为50-1090/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：电路与系统设计、半导体器件与工艺、产品与可靠性、测试与封装
杂志简介：《微电子学》杂志经新闻出版总署批准，自1971年创刊，国内刊号为50-1090/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：电路与系统设计、半导体器件与工艺、产品与可靠性、测试与封装
作者：毕克允 刊期：2008年第01期
二十四所40岁了，“四十不惑”。她成长不容易，却又发展得如此辉煌。在所庆之际，作为当年的一名建设者和后来发展的见证人，立时在脑海里浮现出永川老所区科研楼（102--107）、松岭坡、和尚坡、七岭坡宿舍楼，以及跳石河、小王府井、茶山（箕山）和现在重庆市南坪新所区现代厂房和办公大楼，等等。往事历历在目，每每忆及，感慨万千，为二十四...
作者：陈谋礼 刊期：2008年第01期
我是二十四所的一员老兵，1970年3月跟随石家庄十三所的搬迁队伍来到四川（现重庆）永川箕山脚下的二十四所。在这里，我度过了整整十七个春秋，曾担任过一个时期的所领导工作，经历了无锡分所分迁的全过程，也曾经参与重庆南坪所区前期建设的筹备。
作者：许居衍 刊期：2008年第01期
“以不息为体，以日新为道”——《唐·刘禹锡》老所40周年所庆，要写一篇记叙文，我原想在20周年庆文“寻思足迹”基础上改写。但在老所传来原庆文电子版后，几经修改，终难完稿。20年前，母体尚在耗散中艰难康复，子体也在新生中迷惘成长。尽管前景都可能向好，但又都不十分明朗。20年后的今天，变化实在太大了。这些变化很难在原稿上增添某些...
作者：苏万市 刘伦才 王若虚 刊期：2008年第01期
回顾了二十四所射频及模拟放大器集成电路专业方向的发展历程，并对未来发展进行了展望。按不同历史阶段，介绍了二十四所在集成运算放大器／比较器、中频／视频线性／非线性放大器、MMIC、集成射频放大器等产品类别所取得的主要成就；并对高性能模拟放大器IC技术的发展进行了讨论。
作者：严顺炳 李儒章 刊期：2008年第01期
回顾了中国电子科技集团公司第二十四研究所各类模拟／混合信号集成电路设计／测试技术的发展历程，简述了二十四所照相制版和计算机辅助设计等从无到有的历程；最后，对二十四所集成电路设计、测试技术未来的发展进行了展望。
作者：何开全 王志宽 钟怡 刊期：2008年第01期
回顾了中电科技集团公司第二十四研究所自建所以来的半导体集成电路工艺发展历程。晶圆尺寸从1．5吋（40mm）到6吋（150mm），特征线宽从10μm到0．5μm，器件特征频率从低频到射频，工作电压从5V到800V，包括射频和高压大功率的各种器件。从研制成功全国第一块大规模集成电路至今，二十四所作为全国唯一的模拟集成电路专业研究所，在各个领域均取...
作者：刘中其 曾平 刘欣 冉建桥 蒋和全 刊期：2008年第01期
回顾了二十四所混合集成电路专业方向的发展历程。按不同历史阶段，介绍了二十四所混合集成电路二十余年的技术进步轨迹和所取得的主要成就；最后，对二十四所混合集成电路未来的发展前景进行了展望。
作者：谢孟贤 古妮娜 刊期：2008年第01期
Si-BJT和Si-FET集成电路在提高频率、速度上的困难，到SiGe-HBT和SiGe-FET及其集成电路的优异特性，论述了SiGe半导体在Si基微电子技术发展中的重要作用；特别强调了应变增强载流子迁移率-应变工程技术的重要作用。介绍了SiGe器件及其集成电路的发展概况。
作者：林成鲁 刊期：2008年第01期
绝缘体上硅（SOI）是纳米技术时代的高端硅基材料。详细介绍了SOI在半导体技术领域中的应用，以及近年来为满足SOI的特殊应用要求研发的多种SOI新材料及其制备技术；综述了绝缘体上应变硅（sSOI），绝缘体上锗（GOI）等SOI技术的现状和发展动向；最后，对SOI技术的发展前景进行了展望。
作者：王敬 刊期：2008年第01期
应变硅已成为延伸摩尔定律（Moore＇s Law）的重要技术手段之一。综述了应变硅技术的发展及趋势。首先，从物理理论上分析了应变对硅沟道迁移率的影响；然后介绍了现有的各种应变硅技术；最后，分析了应变硅技术的发展趋势。
作者：幸新鹏 李冬梅 王志华 刊期：2008年第01期
带隙基准源是集成电路中的重要单元，输出不随温度、电源电压变化的基准电压或电流。简单介绍了CMOS带隙基准源的基本工作原理；指出了限制其性能的主要因素；分析了低电源电压、低功耗、高精度和高PSRR四种类型的CMOS带隙基准源。
作者：杨卫东 李儒章 刘勇 杨永辉 俞宙 孟华群 刊期：2008年第01期
介绍了一种12位带内基准的电压输出型D／A转换器的电路实现原理、线路设计及其制作工艺特点。通过采用优化设计的R-2R电阻开关网络、温度补偿齐纳基准源和带JFET输入级的输出运算放大器等模拟电路单元，基于一种P阱5μm LC^2MOS工艺，研制出该12位D／A转换器。它具有转换精度高、线性及微分误差小、功耗低、转换速度快、使用方便等优点。
作者：谭开洲 胡伟 江军 刘勇 阚玲 杨谟华 徐世六 刊期：2008年第01期
对具有埋层结构的集成大功率器件提出了导通电阻自限制二维模型。在假定条件成立时，推导出器件二维模型导通电阻自限制公式，得出了具有埋层结构的集成大功率器件结构其比导通电阻是随着面积不断增大的结论。通过实验，证实了该结论预测趋势的正确性。该结论对类似集成化大功率器件结构设计具有一定的指导作用。
作者：李德斌 梁仁荣 刘道广 许军 刊期：2008年第01期
采用二维数值模拟的方法，研究了纳米尺度栅长的绝缘层上应变硅（SSOI）动态阈值（DT）MOSFET的特性，全面分析了台阶型沟道掺杂分布和沟道长度对器件开态和关态特性的影响。结果表明，通过调整轻掺杂的表面沟道和重掺杂的体杂质分布，DTSSOI器件能在较低的电源电压下实现比非DT器件更优的性能，同时不会造成明显的器件关态漏电。从实验结果可以...
作者：陈巍巍 周卫 刘道广 许军 刊期：2008年第01期
通过合理简化和改进MEXTRAM模型，提出了一种优化的SiGe HBT集约模型和参数提取方法；精确提取了一组微波SiGe HBT的模型参数。仿真结果与测试数据的相对误差不超过3％。
