微电子学

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Microelectronics

杂志简介:《微电子学》杂志经新闻出版总署批准,自1971年创刊,国内刊号为50-1090/TN,是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊,致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:电路与系统设计、半导体器件与工艺、产品与可靠性、测试与封装

主管单位:中国电子科技集团公司
主办单位:四川固体电路研究所
国际刊号:1004-3365
国内刊号:50-1090/TN
全年订价:¥ 244.00
创刊时间:1971
所属类别:电子类
发行周期:双月刊
发行地区:重庆
出版语言:中文
预计审稿时间:1-3个月
综合影响因子:0.42
复合影响因子:0.37
总发文量:2261
总被引量:6053
H指数:19
引用半衰期:3.4516
立即指数:0.0239
期刊他引率:0.8608
平均引文率:7.933
  • 互连线间容性交叉耦合对时序分析的影响

    作者:刘晓晓; 马光胜; 冯刚; 王冠军 刊期:2006年第06期

    集成电路的性能越来越受到互连线间寄生效应的影响,特别是引起互连线跳变模式相关延迟的容性交叉耦合已成为影响线路延迟的一个重要因素。为了提高分层的时序分析方法的准确性,文章引入了局部伪交叉耦合和全局伪交叉耦合的概念,提出了一种利用模块间功能关系识别由于模块间连接产生的全局伪交叉耦合的综合分析方法。实验数据证明了考虑全局伪...

  • 混合集成电路常见装配结构热阻分析

    作者:刘中其; 唐喆 刊期:2006年第06期

    从常规电子产品热设计基础理论的理解分析入手,结合实际应用,阐述了混合集成电路典型装配结构热阻的简便分析方法;绘制了多种典型结构的内热阻与发热芯片面积的关系曲线和外热阻与封装表面积的关系曲线;提出了通过典型结构热阻曲线分析产品芯片结温的方法,及相应问题的处理办法;对一般混合集成电路的非精确热设计有一定的参考意义。

  • 本征击穿电场与禁带宽度的关系

    作者:王立模 刊期:2006年第06期

    在汇集实验数据的基础上,提出了对半导体和绝缘体材料的本征击穿电场与其禁带宽度之间关系的通用表达式。根据半导体与绝缘体本征击穿电场规律的不同,首次有依据地提出了用禁带宽度Eg值对材料进行明确统一分类的定量判据:击穿场判据。给出了直接用禁带宽度Eg表示的半导材料的各种简化优质系数表达式。基于文章提出的关系式,计算了多种重要的...

  • 基于采样保持器的滤波电路研究

    作者:闫杰; 王百鸣 刊期:2006年第06期

    研究和探讨了基于采样保持器的滤波电路——采样保持滤波SHF电路,即利用采样保持器的采样保持特性,对某些特定波形模拟信号进行滤波处理。理论分析表明,这种SHF电路是可行的;实验仿真也证实,相对于传统的有源RC滤波电路,这种SHF电路具有更优异的处理效果。SHF电路结构在一定程度上解决了有源RC滤波电路对某些特定信号处理不足的问题。

  • 一种跟踪负载电流变化的LDO频率补偿方法

    作者:权进国; 杨华中; 张刚强 刊期:2006年第06期

    分析了低压差稳压芯片(LDO)的环路频率特性及其与负载电流的关系,提出了跟踪负载电流变化的LDO频率补偿思路和方法,并给出了具体的电路实现。在意法半导体公司的0.8μm BCD工艺下的仿真结果表明,该电路能显著提高LDO的频率稳定性和瞬态响应。

  • 低压降CMOS稳压器的电源噪声抑制分析

    作者:胡建赟; 何艳; 黄晨灵; 闽昊 刊期:2006年第06期

    通过对低压降CMOS稳压器工作原理的分析,给出了一种频域分析模型。基于此模型,对低压降稳压器的电源噪声抑制进行了分析和研究,得到了低压降稳压器在频域的传递函数;依据此传递函数,给出了改善电源噪声抑制的方法。此外,给出了几种有效提高电源噪声抑制的方法和电路。

  • 基于EPP并口的视频芯片验证

    作者:梅魁志; 黄畅; 曾强; 吴奇 刊期:2006年第06期

    增强型并口(EPP)是一种PC机与外设之间简单而可靠的通讯手段。文章使用硬件描述语言Verilog,实现了基于该协议数据读写规范的EPP上传和下载IP核设计,以标准的同步FIFO接口,为FPGA原型与PC机提供实时芯片验证的中间输出和测试矢量输入。并以JPEG2000编码芯片和数字视频解码芯片的验证实例,说明了该IP核在复杂芯片设计的实时验证中的有效应...

  • GaN基HEMT器件的表面陷阱电荷输运过程实验研究

    作者:罗谦; 杜江锋; 靳翀; 龙飞; 周伟; 夏建新; 杨谟华 刊期:2006年第06期

    基于特制的无台面AlGaN/GaN HEMT,设计了一种实验方法,用以研究AlGaN/GaN外延表面陷阱态间的电荷输运过程。经实验证实,在器件电流崩塌效应中,存在表面陷阱电荷输运,并确定了相关时间常数。针对应力后电流崩塌驰豫过程,实验监测到小于0.1s和大于10s两类时间常数,其中较大的常数对应于表面陷阱电荷的输运过程。此结论可望用于对AlGaN/...

  • 14位流水线A/D转换器采样电容值的优化

    作者:袁小星; 张世林; 姚素英; 徐江涛 刊期:2006年第06期

    针对14位流水线A/D转换器中各级采样电容值的优化问题,提出了在系统模型中加入热噪声模型的方法。在14位流水线A/D转换器结构下,通过系统级仿真,得出采样保持放大器(SHA)的采样电容Cs必须大于10pF,第一级余数放大器的采样电容必须大于2pF,才能使有限的采样电容引起系统信噪比的衰减小于1dB的结论。

  • 热激励硅谐振梁压力传感器开环测试系统设计

    作者:许弟建; 王定军; 徐世六 刊期:2006年第06期

    设计了一个开环测试系统,利用锁相放大器能够对微弱信号进行有效检测的特点,采用交流激励、二倍频拾振的方法,实现了对热激励硅谐振梁压力传感器谐振输出的微弱信号的检测。该测试系统能够快速测得传感器的幅频特性曲线;通过处理,得到传感器的压力一频率特性。整个测试过程由程序控制实现。

  • 射频高损耗硅基双互连线建模

    作者:金香菊; 朱磊; 尤焕成; 王向展; 杨谟华 刊期:2006年第06期

    针对高损耗硅衬底,采用部分元等效电路法和准静磁积分公式,将衬底涡流等效为衬底镜像电流,建立射频硅基双互连线等效电路模型。该模型考虑了趋肤效应、邻近效应和衬底损耗对互连线串联电感Ls和串联电阻Rs频率特性的制约。通过与全波分析方法对比,验证了在20GHz范围内由该模型导出的互连线等效电感L、等效电阻R误差均在8%以内。该模型可望应...

  • 高压SOI-LDMOS截止频率研究

    作者:孙伟锋; 俞军军; 易扬波; 陆生礼 刊期:2006年第06期

    建立了高压SOI-LDMOS截止频率ft的提取方法,并借助半导体器件专业软件Tsuprem-4和Medici,对截止频率ft与栅源电压Kgs和漏源电压Vds的关系进行了分析;研究了栅氧化层厚度、漂移区注入剂量、SOI层厚度和场极板长度等四个关键参数对截止频率的影响;最后,提出了提高SOI—LDMOS截止频率的方法。

  • SOI SRAM灵敏放大器中动态体放电技术研究

    作者:赵琳娜; 潘培勇; 陶建中; 薛忠杰 刊期:2006年第06期

    在SOI SRAM锁存器型灵敏放大器中,设计了一对小的下拉管,用来动态地释放交叉耦合反相器中N管上的体电荷。这种动态体放电的方法有效地解决了部分耗尽SOI CMOS器件体电位不匹配的问题,得到了可重复性低阈值电压,提高了SRAM的读取速度。

  • 基于Bark小波变换参数的语音寂声/语声段检测

    作者:曹建林; 赵力 刊期:2006年第06期

    提出了一种基于Bark小波变换参数的语音寂声/语声段检测方法。利用Bark小波的频率分级和能量聚焦能力,提取语音信号在不同子带上的统计参数;引入基于模糊熵的参数有效性分析,获得所有子带参数中分辨能力和稳定性最大的参数作为识别参数。仿真试验证明,该方法在不同噪声条件下稳定有效;比照传统参数,该方法在准确率和鲁棒性上都有较大幅度...

  • 系统芯片的可测性设计与测试

    作者:谢永乐; 陈光 刊期:2006年第06期

    阐述了系统芯片(SoC)测试相比传统IC测试的困难,SoC可测性设计与测试结构模型,包括测试存取配置、芯核外测试层,以及测试激励源与测试响应汇聚及其配置特性、实现方法与学术研究进展,介绍了基于可复用内嵌芯核的SoC国际测试标准IEEE P1500的相关规约;最后,建议了在SoC可测性设计及测试中需要密切关注的几个理论问题。