杂志简介：《微电子学》杂志经新闻出版总署批准，自1971年创刊，国内刊号为50-1090/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：电路与系统设计、半导体器件与工艺、产品与可靠性、测试与封装
杂志简介：《微电子学》杂志经新闻出版总署批准，自1971年创刊，国内刊号为50-1090/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：电路与系统设计、半导体器件与工艺、产品与可靠性、测试与封装
作者：王晶 刊期：2005年第03期
数字技术的飞速发展,使A/D转换器变得越来越重要.文章扼要叙述了A/D转换器的历史发展过程,列举了几种当前流行的A/D转换器,包括全并行、两步型、插值折叠型、流水线型、逐次逼近型、Σ-Δ型A/D转换器;具体介绍了它们的结构、工作原理、性能特点、应用场合以及最新的研究进展,并对它们的性能进行了比较;最后,讨论了A/D转换器的发展趋势.
作者：张楷亮; 宋志棠; 封松林; CHEN; Bomy 刊期：2005年第03期
随着半导体行业的飞速发展,集成电路特征尺寸的微细化,半导体薄膜表面的高平坦化对器件高性能、低成本、高成品率有着重要的影响.作为唯一能实现全局平坦化方法的化学机械抛光(CMP),近年来发展迅速,应用广泛.文章综述了化学机械抛光技术的发展现状:包括化学机械抛光设备、抛光液、抛光机理模型及应用研究进展;在此基础上,对CMP下一步发展的方向...
作者：曾磊; 王建业; 孙晓翔; 杨秋冬; 黄宜平 刊期：2005年第03期
近年来,离子敏场效应晶体管(ISFET)在生物传感器领域的广泛研究取得了快速发展.综述了ISFET相对于传统离子电极(ISE)的优势,ISFET的工作原理,ISFET的分类和敏感膜;重点介绍了近年来国际上离子敏传感器在生物医学上的应用研究.针对ISFET存在的问题,展望了ISFET未来的研究和发展方向.
作者：王巍; 叶甜春; 陈大鹏; 刘明; 李兵 刊期：2005年第03期
高密度等离子体刻蚀是当今超大规模集成电路制造过程中的关键步骤.目前已经开发出许多终点检测技术.文章讨论了终点检测技术的原理,综述了目前主流刻蚀机使用的两种终点检测技术-OES和IEP-的最新进展,讨论了终点检测技术在深亚微米等离子体刻蚀工艺中的应用,以及所面临的挑战.
作者：吴超; 王红; 杨士元 刊期：2005年第03期
以复用核测试为目标的测试策略是解决SOC测试问题的基础.IEEE P1500标准是国际上正在制订的嵌入式核测试标准,该标准旨在简化核测试信息的复用,提高SOC级测试集成的效率.文章介绍了截至目前为止P1500标准的制订情况,包括嵌入式核测试的体系结构、P1500的标准化目标,以及P1500的两级服从认证等.
作者：王冲; 刘道广; 郝跃; 张进城 刊期：2005年第03期
介绍了几类常见的基于AlGaN/GaN HEMT的微波功率放大器;论述了制造微波功率放大器的两种关键工艺技术--倒装芯片集成(FC-IC)和共平面线(CPW);分析了自行研制的微波功率放大器核心器件AlGaN/GaN HEMT的性能.
作者：严利人; 陈晓程; 窦维治 刊期：2005年第03期
文章结合实例,详细介绍了一种分五个层次定义的微细结构描述语言--MSDL(Micro-Structure Description Language).包括集成电路、MEMS元器件等在内的任意微细结构,都可由所定义的描述语言进行描述.新器件的结构经由MSDL语言表述后,器件结构分析,制造可行性检查,工艺流程确定,乃至流程的实际实施等,都能够由计算机或在计算机控制下自动完成.因此,M...
作者：曾令海; 池懿; 叶明; 王文骐 刊期：2005年第03期
文章设计了一种应用于无线通信的2.4 GHz全集成对称式串并型射频收发开关,详细分析了影响这种射频收发开关性能的各种因素,并采用了相应的优化方案.经仿真,在2.5 V电压下获得了插入损耗1.0 dB、隔离度30.5 dB和1 dB压缩点为16.1 dBm的较好结果.该开关采用TSMC 0.25 μm工艺设计实现,版图面积(包括pad)为0.6 mm2.
作者：郭宇锋; 刘勇; 李肇基; 张波; 方健; 刘全旺; 张剑 刊期：2005年第03期
基于分区求解二维泊松方程,提出了阶梯掺杂漂移区SOI高压器件的浓度分布优化模型.借助此模型,对阶梯数从0到无穷时SOI RESURF结构的临界电场和击穿电压进行了研究.结果表明,对于所研究的结构,一阶或二阶掺杂可以在不提高工艺难度的情况下获得足够高的击穿电压,因而可以作为线性漂移区的理想近似.解析结果、MEDICI仿真结果和实验结果非常吻合,证...
作者：张黎; 丘水生 刊期：2005年第03期
分析了滑模控制DC/DC变换器的滑模存在条件、到达条件及稳定性,通过选择适当的状态变量,建立系统状态方程模型.提出了一种实用性较强的双环控制方案,并以Buck电路为例,设计出滑模控制电路.实验结果表明,此控制方案是可行的,它可以有效地改善变换器的动态性能,提高其鲁棒性.
作者：欧昌银; 李茂松; 胡琼 刊期：2005年第03期
阐述了大腔体器件的储能焊焊接技术,讨论了焊接基本要素,建立了焊接能量模型.分析了影响气密性的主要因素,通过改进焊接技术和优化工艺参数,解决了大腔体器件的气密性焊接技术问题.目前,大腔体器件(150～200 mm周长,对角线≤70 mm)气密性焊接的成品率已达到93%.
作者：曾大富; 刘建华; 罗驰 刊期：2005年第03期
文章介绍了MEMS传感器的几种真空密封方法,提出了一种真空密封方法的设想.
作者：方圆; 张悦; 李伟华 刊期：2005年第03期
通过对QM模型的介绍,说明了薄膜双栅MOSFET体反型现象是量子效应的结果,并对QM模型中提出的反型层质心概念进行了剖析,阐述了其重要的物理意义和应用价值.利用反型层质心概念,提出了一组形式非常简单,且与体硅单沟道MOSFET表达式十分相似的薄膜双栅MOSFET亚阈值区反型层载流子浓度和亚阈值电流的表达式,与MEDICI模拟结果的比较证明了其精确性.应...
作者：李罗生; 洪缨; 侯朝焕 刊期：2005年第03期
文章对2-1-1级联结构的高阶Σ-Δ A/D调制器的非理想特性,包括时钟抖动、MOS开关噪声、比较器迟滞性、放大器的输入噪声、单位增益带宽和有限直流增益等,进行了分析,提出了基于Matlab的高层次建模方法.通过系统仿真确定关键的电路参数和性能指标,在较高层次指导A/D转换器的电路结构级和晶体管级设计.
作者：徐学良; 肖玲 刊期：2005年第03期
通过引入铜过渡键合垫片,取消了金-铝键合系统,改用铝-铝键合,以提高功率混合集成电路内引线键合强度的可靠性等级,满足某些特殊领域的要求.运用SPC控制,对键合工艺进行了有效控制,使功率混合集成电路内引线键合强度和键合工序能力得到了较大的提高.
