微电子学杂志 北大期刊 统计源期刊

智能卡RSA密钥生成的VLSI实现

作者：邹吉林; 李树国; 羊性滋 刊期：2005年第02期

目前,智能卡中的RSA密钥生成通常由软件实现,速度较慢.文章给出了一种RSA密钥生成的VLSI实现方案,在RSA协处理器基础上增加若干运算单元,来完成RSA密钥生成和加解密操作.采用这种方式,密钥生成速度快,而且面积增加不多,适合于智能卡应用.

射频集成电路测试技术研究

作者：蒲林; 任昶; 蒋和全 刊期：2005年第02期

射频集成电路(RF IC)是无线通信、雷达等电子系统中非常关键的器件,由于其高频特点,准确评估RF IC的性能具有相当的难度.文章以射频低噪声放大器(LNA)为例,运用微波理论,分析了RF IC典型参数,如S参数、带宽、P1dB、OIP3以及噪声系数等的测试原理和测试方法,并对影响RF IC性能测试的主要因素进行了分析.最后,给出了一种LNA电路的测试结果.

解决零中频架构直流漂移的自校正方案

作者：范俊; 李永明 刊期：2005年第02期

对零中频接收机中直流漂移的解决提出新的方案,利用通讯的等待时段检测,通过自校正电路扣除直流漂移量.这个方案不需要在信号通路上引入额外的电路模块,电路简单,引入的噪声小于0.1 dB,对直流漂移抑制达到97%,芯片面积增加20%,附加功耗小于5 μW.采用TSMC 0.25 μm CMOS工艺参数进行HSPICE模拟仿真,结果证明了上述结论.

低温制备应变硅沟道MoSFET栅介质研究

作者：谭静; 李竞春; 杨谟华; 徐婉静; 张静 刊期：2005年第02期

分别对300 °C下采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)和700 °C下采用热氧化技术制备应变硅沟道MOS器件栅介质薄膜进行了研究.采用PECVD制备SiO2栅介质技术研制的应变硅沟道PMOSFET(W/L＝20 μm/2 μm)跨导可达45 mS/mm(300 K), 阈值电压为1.2 V;在700 °C下采用干湿氧结合,制得电学性能良好的栅介质薄膜,并应用于应变硅沟道PMOSFET(W/L＝52 μm/4.5 ...

CMOS集成电路中Glitch Power的分析方法研究

作者：吴凯; 林争辉 刊期：2005年第02期

在集成电路中器件延迟数学模型的基础上,介绍了如何利用定时布尔函数和定时有序二值决策图对集成电路Glitch Power进行分析;借助CUDD软件包,构建了电路的Timed-OBDD表达形式,对一些典型的BenchMark进行了仿真.

考虑信号上升／下降时间的IC关键路径算法

作者：葛梁; 毛军发; 李晓春 刊期：2005年第02期

关键路径问题是数字集成电路静态时序分析中最重要的问题之一.关键路径查找的基本拓扑算法由于没有考虑输入信号上升/下降时间(slew),在实践中证明并不是完全正确的.文章提出了改进的算法,保证了关键路径查找在考虑信号slew以后的正确性.该算法具有很强的实用性,对从基本拓扑算法发展而来的其他关键路径查找算法也有重要的参考价值.

《微电子学》投稿指南

刊期：2005年第02期

高速双极晶体管工艺条件的优化研究

作者：程超; 海潮和; 孙宝刚 刊期：2005年第02期

报道了一种使用深槽隔离和注入基区及快速热退火(RTA),同时为发射极扩散和Ti硅化物退火的双层多晶硅双极技术.对内基区注入、选择性注入集电极(SIC)以及RTA等主要工艺条件对器件特性的影响进行了研究和优化.根据优化结果,制作出了性能优良的高速双极晶体管.

一种 40 ns 16 kb EEPROM的设计与实现

作者：徐飞; 贺祥庆; 张莉 刊期：2005年第02期

基于0.35 μm CMOS 工艺,设计并实现了一个3.3 V 16 kb EEPROM存储器.该电路采用2 k×8的并行结构体系.通过优化设计灵敏放大器、位线译码和字线充放电等电路,加快了读取速度,典型值仅40 ns;通过编程模式和编程电路的设计,提高了编程速度,页编程时间为2 ms,等效于每字节62 ms.重点研究了片上高压产生电路,提出了一种在不增加工艺难度和设计复杂度...

一个实用的部分耗尽SOI器件体接触仿真模型

作者：姜凡; 尹雪松; 刘忠立 刊期：2005年第02期

文章描述了PD SOI器件的体接触失效过程,介绍了一种PD SOI器件一级近似体接触电阻计算方法;提出了一种实用的体接触电阻及其版图寄生参数的模型化方法.最后,应用体接触模型,设计了一个应用于0.8 μm PD SOI 128k SRAM的灵敏放大器,给出了仿真结果.

高速集成电路电源网络的频率特性分析

作者：刘烨; 李征帆 刊期：2005年第02期

提出了用一种简单模型计算随频率变化的电感.由于稠密的部分电感矩阵使得方程求解非常困难,采用二次求逆的方法对其进行处理.采用频变电感的计算方法,分析了三种类型电源网络的电感随频率变化的特性.由计算结果可知,网络的回路电感随信号频率的升高呈下降趋势,且成对分布的电源网络的回路电感最小.这为电源网络的设计和同步开关噪声的分析提供了...

一种加载缓冲器的有界偏差平面时钟布线算法

作者：马琪; 李海军; 王利兴 刊期：2005年第02期

提出了一种加载缓冲器的有界偏差平面时钟布线方法.该方法由两步组成:第一步,由平面时钟布线生成一个时延相对平衡的平面时钟树;第二步,通过在平面时钟树的适当位置插入缓冲器,得到一个有界时钟偏差的平面时钟树.

基于信息融合技术的模拟电路故障诊断

作者：彭敏放; 何怡刚; 王耀南 刊期：2005年第02期

论述了基于多类电量测试信息模糊融合的模拟电路故障诊断方法的基本原理,提出了分别基于K故障节点诊断法和最小标准差法的元件故障隶属函数构造方法,以及基于可测点电压与不同测试频率下电路增益的模糊信息融合诊断算法.分别利用此两类测试信息及K故障诊断法和最小标准差法,对电路进行初步诊断,再运用模糊变换及故障定位规则,得到融合的故障诊断...

微电路内部气氛含量分析与控制

作者：欧昌银; 李茂松; 陈鹏; 赵光辉; 胡琼 刊期：2005年第02期

微电路内部水汽含量是影响器件可靠性的主要因素,水汽的控制包括粘接材料选择、清洗、密封前预烘烤、气密性焊接,等等.文章分析了微电路内部气氛的组成及来源,并根据实际案例,提出了与热应力和机械应力相关的间隙性漏气或单向漏气原理及其解决措施;给出了计算器件漏率的数学模型和内部气氛含量控制技术.

混合集成电路内部气氛研究

作者：肖玲; 徐学良; 李伟 刊期：2005年第02期

文章介绍了混合集成电路内部气氛控制办法.由截断气氛来源入手,从材料的选用、工艺参数的设置、工艺过程的控制等三方面进行了分析,在控制混合电路内部气氛上取得了明显效果.