首页 期刊 微波学报 通道失配条件下的阵列性能 【正文】

通道失配条件下的阵列性能

作者:李平; 史小卫; 陈蕾; 李蕊 西安电子科技大学电子工程学院; 西安710071
通道失配   相位不一致性   阵列   耦合  

摘要:针对通道失配对阵列辐射性能的影响这一问题,应用矩量法进行计算和仿真,分析其对无耦合及有耦合阵列辐射最大增益方向的增益与方向的影响,发现失配通道的幅度不一致性小于2dB、失配通道的相位不一致性小于30°时,相位不一致性与最大增益的方差及最大增益方向的方差都近似为线性关系。仿真结果及结论可作为设计允许的最大误差量的参考。

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