首页 期刊 天津大学学报·社会科学版 单个汉字认知过程中事件相关电位的特征表现 【正文】

单个汉字认知过程中事件相关电位的特征表现

作者:王明时; 郁洪强; 路会生; 刘忠国 天津大学精密仪器与光电子工程学院; 天津300072; 天津医科大学医学影像学系; 天津300203; 山东大学控制科学与工程学院; 济南250061
脑语言功能   汉字   拼音文字   n400   p300  

摘要:通过分析单个汉字结尾笔画匹配与非匹配事件相关电位(ERP)的差异,探讨汉字与英文在认知过程中的差异以及汉字认知的特点.研究结果表明,结尾笔画匹配和非匹配时的ERP波形存在着明显的差异:其一。非匹配的ERP波形中出现了明显的P300,这是匹配组中大多数电极位置上没有出现的成分(P〈0.05);其二,汉字结尾笔画非匹配N400的波幅明显高于匹配组(P〈0.05),N400分布在除右侧颞叶以外的大脑其余各区,左侧波幅偏高.但是,由单个汉字非匹配组与匹配组的ERP相减所得的差异波N400的波幅并无大脑半球之间的明显差异。进一步证实了汉字的认知是左右脑半球并用的认知加工过程,与英文认知加工过程中的左半球优势存在着差异.同时,还发现在所有的电极上,非匹配组N400以后的其他负性成分的波幅比匹配组N400以后的相对应的负性成分的波幅都要高,提示N400以后的其他负性成分也可能与汉字词汇后水平的整合加工过程有关。

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