首页 期刊 上海电机学院学报 微波烧结制备ZnO压敏电阻 【正文】

微波烧结制备ZnO压敏电阻

作者:柯磊 袁艳红 杨党强 上海电机学院数理教学部 上海201306
微波烧结   zno压敏电阻   电位梯度  

摘要:采用微波烧结的方法制备出ZnO压敏电阻,并对试样的物相组成、微观形貌和电学性能进行了表征。结果表明,微波烧结制备的ZnO压敏电阻与常规烧结具有相同的物相结构,平均晶粒尺寸为2.1μm;试样的电位梯度、漏电流、非线性系数分别为2 479.1V/mm,6.60μA,22.6;晶界势垒形状尖锐,势垒高度为0.88eV,耗尽层宽度为16nm。与常规绕结ZnO压敏电阻相比,微波烧结过程加热均匀,使试样的微观结构具有较好的一致性,提升了烧结质量,优化了ZnO压敏电阻的电学性能。

注:因版权方要求,不能公开全文,如需全文,请咨询杂志社