根据最新信息《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》期刊在JCR分区中的排名如下:
按JCI指标学科分区在学科为ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC,收录子集:,位于Q3区,排名186 / 369,百分位49.7PHYSICS, APPLIED,收录子集:,位于Q3区,排名107 / 191,百分位44.2ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC,收录子集:,位于Q3区,排名193 / 371,百分位48.11PHYSICS, APPLIED,收录子集:,位于Q2区,排名93 / 191,百分位51.57按JCI指标学科分区在学科为ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC,收录子集:,位于Q3区,排名198 / 368,百分位46.3PHYSICS, APPLIED,收录子集:,位于Q3区,排名114 / 187,百分位39.3ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC,收录子集:,位于Q3区,排名192 / 368,百分位47.96PHYSICS, APPLIED,收录子集:,位于Q3区,排名99 / 187,百分位47.33。
投稿咨询| 按JCI指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
| 学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 186 / 369 |
49.7 |
| 学科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 107 / 191 |
44.2 |
| 学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 193 / 371 |
48.11 |
| 学科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q2 | 93 / 191 |
51.57 |
| 按JCI指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
| 学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 198 / 368 |
46.3 |
| 学科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 114 / 187 |
39.3 |
| 学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 192 / 368 |
47.96 |
| 学科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 99 / 187 |
47.33 |
| 按JCI指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
| 学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 165 / 352 |
53.3 |
| 学科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q2 | 87 / 179 |
51.7 |
| 学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 186 / 354 |
47.6 |
| 学科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 99 / 179 |
44.97 |
这表明该刊在工程:电子与电气领域具有较高的学术影响力和认可度。此外,该刊创刊时间:2001年,影响因子:2.7,出版周期:Quarterly、出版商:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.以及收录情况等信息也为其学术影响力提供了有力支持。
影响因子:是汤森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引证报告(Journal Citation Reports,JCR)中的一项数据,现已成为国际上通用的期刊评价指标,不仅是一种测度期刊有用性和显示度的指标,而且也是测度期刊的学术水平,乃至论文质量的重要指标。
声明:以上信息摘自网络公开资料,如有不准确,请联系我们。