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Ieee Transactions On Electron Devices
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Ieee Transactions On Electron Devices

SCISCIE

IEEE Transactions On Electron Devices杂志

中科院分区：3区 JCR分区：Q2 预计审稿周期：约4.7个月

《Ieee Transactions On Electron Devices》是一本由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版的工程技术国际刊物，国际简称为IEEE T ELECTRON DEV，中文名称IEEE Transactions On Electron Devices。该刊创刊于1954年，出版周期为Monthly。 《Ieee Transactions On Electron Devices》2026年影响因子为3.6，被收录于国际知名权威数据库SCI、SCIE。

ISSN：0018-9383
研究方向：工程技术-工程：电子与电气
是否预警：否
E-ISSN：1557-9646
出版地区：UNITED STATES
Gold OA文章占比：3.41%
语言：English
是否OA：未开放
OA被引用占比：
出版商：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
出版周期：Monthly
影响因子：3.6
创刊时间：1954
年发文量：1015
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杂志简介 中科院分区 JCR分区 CiteScore 发文统计 通讯方式 相关杂志 期刊导航

Ieee Transactions On Electron Devices 杂志简介

《Ieee Transactions On Electron Devices》重点专注发布工程技术-工程：电子与电气领域的新研究，旨在促进和传播该领域相关的新技术和新知识。鼓励该领域研究者详细地发表他们的高质量实验研究和理论结果。该杂志创刊至今，在工程技术-工程：电子与电气领域，有较高影响力，对来稿文章质量要求较高，稿件投稿过审难度较大。欢迎广大同领域研究者投稿该杂志。

Ieee Transactions On Electron Devices 杂志中科院分区

中科院SCI分区数据
《新锐期刊分区表》（2026年3月发布）
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 3区 3区 否 否
期刊分区表（2025年3月升级版）
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 3区 3区 否 否
期刊分区表（2023年12月升级版）
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 2区 3区 否 否
期刊分区表（2022年12月升级版）
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 2区 3区 否 否
期刊分区表（2021年12月升级版）
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 2区 3区 否 否
期刊分区表（2021年12月基础版）
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 3区 3区 否 否
期刊分区表（2020年12月升级版）
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 2区 2区 是 否
中科院分区趋势图
影响因子趋势图

中科院JCR分区：中科院JCR期刊分区（又称分区表、分区数据）是中国科学院文献情报中心世界科学前沿分析中心的科学研究成果，是衡量学术期刊影响力的一个重要指标，一般而言，发表在1区和2区的SCI论文，通常被认为是该学科领域的比较重要的成果。

影响因子：是汤森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引证报告(Journal Citation Reports,JCR)中的一项数据，现已成为国际上通用的期刊评价指标，不仅是一种测度期刊有用性和显示度的指标，而且也是测度期刊的学术水平，乃至论文质量的重要指标。

Ieee Transactions On Electron Devices 杂志JCR分区

Web of Science 数据库
2025-2026年最新版
按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 142 / 369

61.7
学科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 72 / 191

62.6
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 150 / 371

59.7
学科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 64 / 191

66.75
2024-2025年最新版
按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 143 / 368

61.3
学科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 71 / 187

62.3
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 149 / 368

59.65
学科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 65 / 187

65.51
2023-2024年最新版
按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 143 / 352

59.5
学科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 68 / 179

62.3
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 145 / 354

59.18
学科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 61 / 179

66.2

Ieee Transactions On Electron Devices CiteScore 评价数据（2026年6月最新版）

  • CiteScore：6.5
  • SJR：0.809
  • SNIP：1.398

CiteScore 排名

学科类别 分区 排名 百分位
大类：Engineering 小类：Electrical and Electronic Engineering Q1 235 / 1030

77%
大类：Engineering 小类：Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 82 / 318

74%
CiteScore趋势图
年发文量趋势图

CiteScore：是由Elsevier2016年发布的一个评价学术期刊质量的指标，该指标是指期刊发表的单篇文章平均被引用次数。CiteScore和影响因子的作用是一样的，都是可以体现期刊质量的重要指标，给选刊的作者了解期刊水平提供帮助。

Ieee Transactions On Electron Devices 杂志发文统计

文章名称引用次数

  • Critical Role of Interlayer in Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric FET Nonvolatile Memory Performance28
  • 2-D Layered Materials for Next-Generation Electronics: Opportunities and Challenges20
  • Improved Switching Stability and the Effect of an Internal Series Resistor in HfO2/TiOX Bilayer ReRAM Cells18
  • Physical Insights on Negative Capacitance Transistors in Nonhysteresis and Hysteresis Regimes: MFMIS Versus MFIS Structures17
  • 2-D Analytical Drain Current Model of Double-Gate Heterojunction TFETs With a SiO2/HfO2 Stacked Gate-Oxide Structure15
  • Cryogenic MOS Transistor Model15
  • Performance Assessment of the Charge-Plasma-Based Cylindrical GAA Vertical Nanowire TFET With Impact of Interface Trap Charges15
  • Layout Design Correlated With Self-Heating Effect in Stacked Nanosheet Transistors14
  • Dirac Electrons at the Source: Breaking the 60-mV/Decade Switching Limit13
  • Performance and V-TH Stability in E-Mode GaN Fully Recessed MIS-FETs and Partially Recessed MIS-HEMTs With LPCVD-SiNx/PECVD-SiNx Gate Dielectric Stack12

国家/地区发文量

  • CHINA MAINLAND741
  • USA455
  • India399
  • Taiwan232
  • South Korea181
  • GERMANY (FED REP GER)149
  • Japan123
  • Italy111
  • France110
  • England100

机构发文发文量

  • INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM)239
  • UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE & TECHNOLOGY OF CHINA123
  • CHINESE ACADEMY OF SCIENCES92
  • NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY81
  • UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM76
  • IMEC74
  • PEKING UNIVERSITY66
  • XIDIAN UNIVERSITY58
  • CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)57
  • NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY50

Ieee Transactions On Electron Devices 杂志社通讯方式

《Ieee Transactions On Electron Devices》杂志通讯方式为：IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。详细征稿细则请查阅杂志社征稿要求。本站可提供SCI投稿辅导服务，SCI检索，确保稿件信息安全保密，合乎学术规范，详情请咨询客服。

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