摘要：【本刊讯】中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室杨涛课题组，在三元合金铟砷锑（InAsSb）纳米线制备及机理研究方面取得了系列重要进展，为未来制备高度集成的Ⅲ-Ⅴ族纳米器件开拓了新的技术路线。
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