摘要：进入21 世纪,随着人类社会的不断进步和近年来集成电路产业不断的更新换代,飞速发展的现代科技使得我们生活生产中对半导体产品产生了越来越高的要求,相比于第一代、第二代半导体,以GaN 为代表的第三代半导体正凭借其高电子迁移率,高禁带宽度、高电子饱和速度、耐高温,抗辐射等良好的材料性能,在微波高功率器件的研究领域拥有愈发广泛的应用前景。其中,以AlGaN/GaN HEMT 为代表的GaN 材料器件更是在无线通信和军用雷达等领域展现出巨大的发展潜力。

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