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激光处理GaN薄膜的研究

作者：陶华锋; 杨忠孝; 宁永功; 屠晶景; 徐洪艳电子科技大学; 微电子与固体电子学院; 成都; 610054

gan薄膜损伤阈值激光处理缺陷密度

摘要：通过激光损伤实验,报道了GaN薄膜10.6μm CO2激光的损伤阈值是64J/cm2;为了改善GaN薄膜质量,对其进行了10.6μm CO2激光辐照处理,结果表明,处理后GaN薄膜的缺陷密度明显降低.并对机理进行了分析.

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