摘要：传统硅材料器件在高温、高压、高开关频率等诸多应用领域受到限制,而以碳化硅SiC为代表的新型宽禁带半导体材料出现,突破了电力电子器件的发展瓶颈,成为未来功率半导体器件发展的必然趋势。探讨高压SiC器件的发展和现状,通过SiC材料和硅材料的性能比较,分析SiC的优点,以及SiC器件在变换器设计中应用的技术和面临挑战。

注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社