集成电路应用杂志 部级期刊
Applications of IC
杂志简介：《集成电路应用》杂志经新闻出版总署批准，自1984年创刊，国内刊号为31-1325/TN，是一本综合性较强的电力期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电力领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：产业评论、市场分析、设计与研究、工艺与制造、创新应用、新产品、区域动态、读者信箱
杂志简介：《集成电路应用》杂志经新闻出版总署批准，自1984年创刊，国内刊号为31-1325/TN，是一本综合性较强的电力期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电力领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：产业评论、市场分析、设计与研究、工艺与制造、创新应用、新产品、区域动态、读者信箱
作者：高成; 王长鑫; 黄姣英; 曹阳 刊期：2019年第08期
以集成电路的特征尺寸和工艺水平为分类标准,将标准手册中的可靠性预计模型与实际的加速寿命试验数据进行结合,得到集成电路可靠性预计修正方法。通过此可靠性预计修正方法,能计算出集成电路的工艺修正系数数值,进而应用于可靠性预计模型之中,对集成电路可靠性预计方法进行修正。修正后的可靠性预计方法能够更加准确的对其可靠性进行预计,解决了...
作者：张炜 刊期：2019年第08期
GPU已经被广泛应用于卷积神经网络加速,而传统的GPU执行单元主要适用于对3D图形渲染进行加速,其性能功耗比与神经网络专用加速芯片有一定的差距。针对卷积神经网络计算和数据的特点,在充分利用GPU现有计算单元的基础上,提出了新的稀疏矩阵加速单元的设计方案,解决了GPU加速神经网络低性能功耗比的问题。
作者：于冰 刊期：2019年第08期
作为GPU(图形处理器)中的核心,渲染流水线的执行速度决定了整个GPU的性能,其中通过设计和实现高速的共享存储器来保存渲染流水线中的中间结果,可以有效提升整个渲染流水线的性能。同时可以实现对CS(computer shader)相关指令的支持,提升GPU的计算能力。
作者：陈瑞阳 刊期：2019年第08期
视频编码器中的码率控制模块可以通过调整量化参数QP来控制每一帧的比特数,使编码器输出比特流具有比较平滑的比特率曲线。提出一种软硬件协同视频编码器中的码率控制实现方法,可以应用于大部分具有通用运算单元的视频编码器中。
作者：郑巨定 刊期：2019年第08期
曲面细分技术由于在图像渲染方面发挥着非常显著的作用,所以它是DirectX 11不可或缺的一项技术。在图形处理器芯片GPU的硬件设计流程中,曲面细分技术的硬件实现使得CPU资源的耗费大大减低,硬件的利用率大大的提升,达到用最低的资源获得最好的渲染效果。该方案在充分理解Tessellation的背景知识下,将Tessellation分五级流水线,用较少的硬件资源,...
作者：程长虹; 孙杰; 胡少坚 刊期：2019年第08期
分析集成电路的自动化验证PDK方法,以及PDK验证过程中遇到的难点问题。通过Skill汇编语言建立系统化的PDK自动化验证界面工具。这是一套适用于不同工艺,嵌套在Cadence virtuoso平台下的PDK自动化验证方法,可以大大提高PDK验证的质量和效率。
作者：陈杰; 刘勇 刊期：2019年第08期
为提高带宽,很多类型的Memory都采用了Double Data Rate(DDR)interface,它对在内存控制器(memory controller)设计过程中的时序收敛和后仿真提出了挑战。探讨利用静态时序分析工具解决这个问题的方法。
作者：赵彦飞; 温景超; 刘思嘉; 于望 刊期：2019年第08期
随着我国航天高速发展,电气系统电源架构和技术指标趋于多样化,作为核心元器件之一的电源转换器为电气系统提供高精度电压和大负载,其使用数量大幅增加。电源转换器呈现出电压、电流范围广、引脚接口多样化、精度与质量可靠性要求高等特点,逐渐暴露出传统测试平台在大功率电源转换器方面的测试问题,主要表现为测试精度低。通过高性能接口创新设...
作者：程长虹; 孙杰; 胡少坚 刊期：2019年第08期
分析集成电路的版图比对电路LVS验证的必要性和难点。提出了LVS自动化验证系统架构。通过Skill汇编语言建立系统化LVS自动化验证桌面工具。这是一套适用于不同工艺的,嵌套在Cadencevirtuoso平台下的LVS自动化验证方法,可以大大提高LVS验证的质量和效率。
作者：刘宝; 顾冬雷; 胡帮亚; 计宏伟; 黄兵旺 刊期：2019年第08期
在某型无人直升机横向通道控制律设计时,由于中高频存在二阶共振特性,采用常规PID控制器无法提高姿态响应速度,通过研究基于二阶陷波器整形的方法,消除了无人直升机横向通道的二阶共振峰,提高了控制器的增益和滚转姿态响应速度,并开展了悬停状态试飞调参对比实验。实验结果表明:采用基于陷波器整形的PID控制器比常规PID控制器增益提高了3.5倍以...
作者：龙吟; 范荣伟; 罗兴华 刊期：2019年第08期
针对28 nm产品锗硅工艺产生的极微小颗粒缺陷,应用光学检测系统,探索了缺陷检测方法,建立缺陷的在线监控指标。据此建立缺陷失效模型和评估了缺陷的改善方案。对缺陷检测方法进行了系统的研究:通过热扫描检出缺陷样本,收集并分析缺陷样本在不同扫描条件组合下的信号噪声比,最终确定缺陷检测条件。根据工艺特性以及相关试验结果建立了缺陷失效模...
作者：朱巧智; 刘巍; 李润领 刊期：2019年第08期
Si MOSFET作为大规模集成电路的基础,沟道长度是决定其运行速度和集成度的重要参数。随着Si MOSFET器件尺寸不断缩小,短沟道效应(即器件阈值电压随沟道长度减小不断降低的现象)越来越严重。基于28 nm低功耗逻辑平台,研究了LDD后热处理工艺对PMOSFET器件短沟道效应的影响及物理机制。实验结果表明,通过优化热处理温度,可以显著改善PMOSFET器件短...
作者：王全; 刘林林; 冯悦怡 刊期：2019年第08期
随着CMOS工艺节点的发展,MOS器件截止频率因栅长的缩小而越来越高。而简单MOS器件布局因栅极材料电阻率高,寄生电阻大而不利于截止频率的提升。研究了多叉指MOS器件的沟道宽长比、叉指数及其排布和走线,优化MOS器件的寄生参数。经过版图设计与出版流片,验证了40 nm低功耗工艺平台上截止频率可达217 GHz,在77 GHz频率增益超过10dB,是CMOS防撞系统...
作者：王艳生; 焦爽; 秋沉沉; 徐炯 刊期：2019年第08期
成像暗线噪声和满阱电容是影响互补型金属氧化物半导体图像传感器(CMOS Image Sensor,CIS)芯片成像质量的重要性能参数。为了在单位面积内集成更多像素单元,单个像素尺寸不断缩小。一般来说,CIS芯片满阱电容与像素尺寸成正比。基于小尺寸像素而获得高满阱电容需要不断提升光电二极管的掺杂浓度。光电二极管阵列的窄间距和高掺杂浓度导致光电二极...
作者：黄庆丰 刊期：2019年第08期
在0.18μm通用平台上加入一次性编程单元(OTP)后组成的衍生工艺被广泛应用于微控制单元(MCU)设计,由于OTP的尺寸非常小,为了使OTP拥有良好的数据保持(Data Retention)能力,SAB模组工艺非常关键,尤其是SAB刻蚀工艺,不能再采用同标准0.18μm工艺平台一样的单一刻蚀方法,必须采用以干法刻蚀为主、湿法刻蚀为副,干、湿相结合的方式进行刻蚀。因OTP的数...
