集成电路应用

集成电路应用杂志 部级期刊

Applications of IC

杂志简介:《集成电路应用》杂志经新闻出版总署批准,自1984年创刊,国内刊号为31-1325/TN,是一本综合性较强的电力期刊。该刊是一份月刊,致力于发表电力领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:产业评论、市场分析、设计与研究、工艺与制造、创新应用、新产品、区域动态、读者信箱

主管单位:中国电子信息产业集团有限公司
主办单位:上海贝岭股份有限公司
国际刊号:1674-2583
国内刊号:31-1325/TN
全年订价:¥ 1060.00
创刊时间:1984
所属类别:电力类
发行周期:月刊
发行地区:上海
出版语言:中文
预计审稿时间:1个月内
综合影响因子:0.49
复合影响因子:0.13
总发文量:4724
总被引量:3589
H指数:16
立即指数:0.0055
期刊他引率:1
  • 嵌入式FPGA技术发展现状及启示

    作者:冯园园; 张倩 刊期:2018年第08期

    阐述并分析了嵌入式 FPGA 技术的起源、优势、现状、主要研发企业、应用前景等,并结合当前嵌入式 FPGA 技术的发展情况,总结了对我国的启示.内容包括 eFPGA 进一步发扬 FPGA 的灵活性优势,美国政府高度重视 eFPGA 的发展,初创公司加速推进 eFPGA 技术发展,eFPGA 市场应用前景巨大.

  • 碳化硅半导体技术和市场应用综述

    作者:曹峻 刊期:2018年第08期

    随着新能源产业的快速发展,宽禁带半导体越来越受到人们的关注.其中,碳化硅半导体已经开始在多个工业领域得到了广泛应用.在此,针对宽禁带半导体的材料性能、碳化硅半导体的功率器件进行了介绍.此外,也对碳化硅功率器件的封装技术进行了介绍.然后,对于使用碳化硅功率器件较多的应用领域进行了分析.最后,对于未来碳化硅半导体行业的技术发展趋势...

  • InP基HEMT栅槽设计和研究

    作者:武利翻; 苗瑞霞 刊期:2018年第08期

    InP 基 HEMT 器件制作中,栅槽刻蚀工艺是形成良好的肖特基接触栅的关键工艺.针对这一问题,研究了用丁二酸和 H2O2 混合液作为 InP 基 HEMT 器件栅槽腐蚀液,确定栅槽完全腐蚀并获得较好的表面平整度的最优时间.首先用单片 InGaAs 和单片 InAlAs 材料进行单步腐蚀,最终得到腐蚀液对这两种材料的腐蚀速度;其次对 InP 基 HEMT 器件外延材料进行光刻,...

  • 无线芯片中数字预失真技术的应用与性能影响因素分析

    作者:徐建忠 刊期:2018年第08期

    数字预失真(DPD, Digital Pre-Distortion)技术作为补偿电路非线性特性的一种手段,通常应用于各种射频发射电路中,来提升功率放大器近饱和区的线性度,最终改善大功率的 EVM/ACPR 等指标.在移动通信领域,无线芯片的发射通路 DPD 功能开发调试过程中,会碰到影响DPD 性能的各种因素,对此进行了一些分析归纳.

  • 数字芯片低功耗的电压时钟设计研究

    作者:杨斌; 余作明; 范艳艳; 史亚维; 郭涛 刊期:2018年第08期

    随着数字芯片功能的不断强大和处理速度的不断加快,低功耗已经成为芯片设计中的关键指标之-.通过对数字芯片的功耗分析研究,在满足性能保证功能的前提下,在电压和时钟方面提出了-些低功耗设计方法.

  • 碳化硅功率模块封装技术进展

    作者:曹峻; 张兆强 刊期:2018年第08期

    近年来,随着新能源产业的快速发展,电力电子系统对功率半导体器件性能提出了更高的要求,作为宽禁带半导体材料的碳化硅功率器件以其相对于传统硅基器件的优异性能,正引起大家的广泛关注.与此同时,碳化硅器件的封装技术正成为限制器件性能发挥的瓶颈.从封装结构和材料角度,探讨了碳化硅功率模块封装技术的最新进展.

  • 超导磁储能研究

    作者:许崇伟; 贾明潇; 耿传玉; 孙浩; 刘双喜 刊期:2018年第08期

    在未来智能电网的发展过程中,一方面为了完成充足的能源储备,迫切需要容纳更多的新能源发电系统;另一方面为了满足电力用户的各种用电需求,还需要改善电能质量并提高供电的可靠性.但是,可再生能源的间歇性以及电力用户的负载功率需求的波动往往会造成电力系统供需不平衡的问题.因此,需要引入各种电力储能装置,以实现实时、高效的电网能量调控.其...

  • 超高清AVS2编转码加密系统的研究和实现

    作者:李国平; 李萍 刊期:2018年第08期

    随着数字视频内容清晰度的不断提升,视频的容量也在不断地变大,对于传输和存储的压力也随之增加,视频的编码、转码是解决带宽问题的最佳手段.在编转码的过程中有效地对视频内容进行数字版权的管理,具有很高的科学和社会价值.提出一种基于 AVS2 的超高清编转码加密系统,该系统在编转码的过程中对视频的关键帧进行加密,从而在不大幅增加编码器运算...

  • 逆F高功率高效率饱和功率放大器

    作者:白云芳 刊期:2018年第08期

    射频功率放大器应用范围比较广,关键指标为功率和效率,逆 F 类型功率放大器利用谐波阻抗控制,可以做到高功率,高效率.利用多工艺的联合仿真,使功率和效率做到仿真和测试的更好拟合,这将大大节省产品的开发.

  • 一种快速的基于并行编码结构的码率控制算法

    作者:李国平; 丁敏 刊期:2018年第08期

    为了在满足信道带宽和传输时延限制的情况下有效传输视频数据,需要对视频编码过程进行码率控制.针对超高清视频,传统编码算法存在计算量大,实时编码速度跟不上的问题,提出了并行编码方式,如帧间并行,波前并行编码(WPP)等.但在并行编码框架下码率控制又是个难题,尤其是在 WPP 编码方式下的帧内码率控制.提出一种帧内宏块级码率控制算法,通过测...

  • LDMOS器件ESD保护能力的一种优化结构

    作者:苏庆; 苗彬彬 刊期:2018年第08期

    目前,高压工艺技术已经变得越来越成熟,其应用领域也越来越广泛.但是其 ESD 保护技术却一直受到狭窄的设计窗口,可靠性等问题困扰. 如何在现有高压工艺平台上,设计出满足要求的保护器件一直是高压工艺的难题.从开发的难易度考虑,LDMOS 是被广泛采用的器件.通过对利用 LDMOS 的寄生特性应用于 ESD 保护的机理进行分析,并指出其设计的难点和原因,...

  • N型高压DDDMOS热载流子损伤研究

    作者:苗彬彬; 苏庆 刊期:2018年第08期

    高压场效应管是 BCD 工艺中的核心器件,常用有 LDMOS(Lateral-Double-Diffused MOS,横向双扩散场效应晶体管)和 DDDMOS(Double-Diffuse-Drain MOS,双扩散漏场效应晶体管)两种.由于 DDDMOS 实现结构简单且工艺流程与传统 CMOS 工艺兼容,被大量应用于 LCD 驱动电路,电源芯片管理电路等对耐压要求不高的高压电路.随着 DDDMOS 器件尺寸的不断缩...

  • 集成电路制造企业安全文化建设的探索

    作者:徐永飞 刊期:2018年第08期

    集成电路制造工艺的特性,制程中的扩散、离子植入、化学气相沉积、蚀刻和光刻等工序中所使用的危险化学品,大多具有易燃性、可燃性、有毒性、腐蚀性等危害特性,给生产中带来了火灾、爆炸、中毒等潜在的高安全风险.成功的集成电路制造企业安全文化主要体现在健全的安全管理体制、有效的安全措施与制度的建设,以及通过各种方式培养员工警钟长鸣的...

  • DRAM异常情况的处理方法

    作者:余作明; 杨斌; 范艳艳 刊期:2018年第08期

    分析 DRAM 可能出现的异常情况,以及可能产生的后果,并阐述了处理异常情况的几种方法.一是通过监测外部非法命令,二是通过监测内部电压、内部温度超标情况,三是通过监测内部刷新命令,四是通过发送特殊的强制退出异常情况的命令.

  • 基于斩波技术的高性能LED调光系统实现

    作者:尤勇; 罗丙寅 刊期:2018年第08期

    高性能的 LED 调光系统对调光深度以及深度调光比下的调光一致性有较高要求,通过分析一款有源功率因数校正的高精度隔离式原边反馈恒流控制芯片,拆解深度调光情况下离散原因,引入斩波调制技术对采样信号流中存在的失调电压进行了消除.并将该斩波调制技术应用于恒流 LED 驱动芯片,在具有高的功率因数和极低的总谐波失真的情况下,实现 0~10 V 调...