集成电路应用

集成电路应用杂志 部级期刊

Applications of IC

杂志简介:《集成电路应用》杂志经新闻出版总署批准,自1984年创刊,国内刊号为31-1325/TN,是一本综合性较强的电力期刊。该刊是一份月刊,致力于发表电力领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:产业评论、市场分析、设计与研究、工艺与制造、创新应用、新产品、区域动态、读者信箱

主管单位:中国电子信息产业集团有限公司
主办单位:上海贝岭股份有限公司
国际刊号:1674-2583
国内刊号:31-1325/TN
全年订价:¥ 1060.00
创刊时间:1984
所属类别:电力类
发行周期:月刊
发行地区:上海
出版语言:中文
预计审稿时间:1个月内
综合影响因子:0.49
复合影响因子:0.13
总发文量:4724
总被引量:3589
H指数:16
立即指数:0.0055
期刊他引率:1
  • 80%境外游,中国半导体走在歧途

    作者:姚钢 刊期:2006年第10期

    按中国半导体行业协会的说法.到2010年中国将成为1500亿美元的全球最大半导体需求市场。但目前中国半导体市场需求量的80%依靠进口.而中国半导体制造的产能80%用于出口。那么.造成这种大进大出的原因又是什么呢?一句话.都是本土IC设计支撑欠缺惹的“祸”。

  • Micronlc革新图形技术与客户双赢

    作者:钱敏 刊期:2006年第10期

    光刻胶、掩膜版和光刻机一直以来是构成光刻的三要素.掩膜版的技术水平直接影响着半导体光刻技术的发展.而目前几乎所有平板显示器的制造过程也必须用到光掩膜。Micronic Laser Systems AB正是提供TFT-LCD.半导体和先进电子封装制造中掩膜版生产工具.激光图形发生器的公司。

  • IC设计

    刊期:2006年第10期

    AnalogicTech收购智芯科技电源管理业务,安捷伦和浙江加州国际纳米研究院共同投资2.6亿元研发3G芯片,杭州士兰微电子获ARM926EJ-S处理器授权,安创通过ARM代工厂计划获得ARM7TDMI处理器授权,无锡IC设计基地选择Cadence为其主要EDA供应商。

  • IC制造

    刊期:2006年第10期

    苏州和舰筹建12英寸芯片厂,亿腾达新型节能硅光电池项目启动,凌讯科技DTV信道解调芯片在宏力一次流片成功,中芯国际与业界加强工艺技术合作动态。

  • 设备材料

    刊期:2006年第10期

    罗门哈斯中国研发中心正式开业,AIM在中国设焊料生产基地,安集微电子上海二期生产厂房启用,永光(苏州)光电材料项目开工。

  • AMD计划在2008年前完成其苏州厂扩产

    刊期:2006年第10期

    AMD大中华分区销售副总裁Vanoy Wong日前表示.AMD计划在2008年前完成其苏州厂的封测设备增置.以扩充产能。Wang表示.AMD苏州封装厂于2005年4月投产.目前这里大概完成AMD约三分之一的全球封装任务。AMD于2004年9月在北京成立了大中华地区总部.并在最近宣布将在上海建立一个研发中心.正在积极拓展其在中国的业务.以便更加贴近本地客户。

  • FPD

    刊期:2006年第10期

    长虹开建PDP面板生产线,上广电与富士合资成立CF厂,和鑫拟投资295万美元在北京设CF检修厂,上广电NEC的33KS/M项目建成投产。

  • 活动速递

    刊期:2006年第10期

    IC CHINA 2006对“自主创新与共赢发展”的思考,CPCA Show将与慕尼黑上海电子展同时、同地开展,KLA-Tencor技术研讨会YMS2006召开。

  • 纳米压印技术:32纳米光刻之选?

    作者:Peter; Singer 刊期:2006年第10期

    设想一下,如果能够一步实现低介电常数绝缘材料的双大马士革结构(包括通孔和金属导线槽),就能减少123步的工艺步骤。这就是纳米压印技术所能够带来的惊人之处。此外,这项技术成本低廉、潜力无限。

  • 磁学是实现高温超导的关键

    作者:Peter; Singer 刊期:2006年第10期

    工作于美国商务部国家标准和科技机构(National Institute of Standards and Technology,NIST)中子研究中心(NCNR)科学家联合田纳西大学(UT)和橡树岭国家实验室(Oak Ridge National Laboratory,ORNL)的物理学家们发表报告,有力证明了磁的波动是配对电子通用机理的关键,能使高温超导体中的电流无阻抗通过。

  • 制作金属栅的新方法

    作者:Peter; Singer 刊期:2006年第10期

    先进的栅堆垛技术的趋势与传统方法明显不同,传统方法中由氧化硅或氮氧化硅(SiON)制成的栅介质上端是重掺杂多晶硅的栅电极。虽然这些材料制作方便,但是换成金属栅和高k栅介质能在高晶体管速度和低电流泄漏方面获得更好的性能。

  • 高折射率浸没式光刻不一定是最后赢家

    作者:Aaron; Hand 刊期:2006年第10期

    ASML和Nikon最新一代的浸没式光刻设备其数值孔径(NA)已经接近了使用水作为浸没液体所能达到的光学理论极限了。在SEMICON West大会上,Nikon了它的最新一代浸没式光刻设备NSR-S610C,其数值孔径达到了1.3;而ASML的Twinscan XT:1900i的数值孔径更是达到了惊人的1.35。

  • TSMC和UMC推出不同的65nmDFM解决方案

    作者:Laura; Peters 刊期:2006年第10期

    TSMC刚推出了一种65nm可制造性设计(DFM)方案,它是一种柔性设计支持生态系统,采用可制造性统一数据格式,通过精选的EDA工具将DFM能力直接传递至设计人员的工作站。提出这个方案是为了使DFM工具,如,光刻工艺检测、CMP分析及关键区域分析等与TSMC的制造数据格式相一致。不管采用何种工具,也不论制造商是谁,这一设计方案的推出使设计人员...

  • 纳米技术逐渐成为半导体制造业的支柱

    作者:Alexander; E.; Braun 刊期:2006年第10期

    从表面看,纳米技术正在不断发展,但发展成效距离其发展目标一取代CMOS技术还相差甚远。由于纳米技术的主要发展方向定位于支持而不是超越当前技术,因此CMOS正在演变为纳米技术的发展平台。

  • 22纳米节点的光刻方案之争

    作者:汪辉 刊期:2006年第10期

    近年来193nm浸没式光刻炙手可热,不但成了65/45nm节点主流技术,而且在32nm的争夺中也毫不落下风,可能会延伸至22nm,人们甚至一度讨论起193nm会否就是“最后的波长”。通常认为,在22nm节点时不但需要折射率高于1.6的浸入液,还需采用所有已知的分辨率增强技术,包括最昂贵的Pitch.Splitting方法。所谓Pitch-Splitting是将半间距为22nm的...