集成电路应用杂志 部级期刊
Applications of IC
杂志简介：《集成电路应用》杂志经新闻出版总署批准，自1984年创刊，国内刊号为31-1325/TN，是一本综合性较强的电力期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电力领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：产业评论、市场分析、设计与研究、工艺与制造、创新应用、新产品、区域动态、读者信箱
杂志简介：《集成电路应用》杂志经新闻出版总署批准，自1984年创刊，国内刊号为31-1325/TN，是一本综合性较强的电力期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电力领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：产业评论、市场分析、设计与研究、工艺与制造、创新应用、新产品、区域动态、读者信箱
作者：姚钢 刊期：2006年第05期
自我设计、自我制造的IDM，显然与中国政府目前大力推行的“自主创新”发展战略相吻合，所以也更容易得到当地政府的各种资源，尤其是资金的支持。上海的华虹已有意重回IDM发展模式，据悉近期在北京启动的阜康同创（Fullcomp）8英寸芯片项目也号称以IDM模式开拓市场，而在昆山的德芯电子（Spectrum）8英寸生产线同样是定位于IDM。
刊期：2006年第05期
世界影响力最大的半导体产业的技术主导刊物——《半导体国际》（Semiconductor International China），近日与“上海集成电路行业协会”（SICA）结为战略合作伙伴。《半导体国际》将借助于“上海集成电路行业协会”向包括协会317名行业会员在内的半导体制造与封装产业提供强大的内容信息服务。
刊期：2006年第05期
旨在促进集成电路产业链上下游的交流与合作，推动整个产业链共同发展的2006集成电路产业链国际合作（上海）论坛暨2006长三角半导体（集成电路）行业协会联谊会，4月19日～20日在上海张江科技园举行。这是上海市集成电路行业协会连续第3年成功主办的产业盛会，设计与整机的联动、设备材料业的配套、新兴市场和产品开发成为本届论坛三大主题，对...
刊期：2006年第05期
上海市集成电路行业协会二届二次会员大会日前举行，协会秘书长蒋守雷在工作报告中指出，在全球IC市场增幅急剧下滑、原材料价格上涨等不利情况下，经上海IC产业业界全体同仁共同努力仍取得骄人业绩。在此基础上，2006年上海集成电路产业要在国家大力扶植集成电路装备业的背景下，实现芯片制造业继续做大做强、设计业有较大突破、设备制造业有明...
作者：姚钢 刊期：2006年第05期
中国电子业的主体将会是大者恒大的演变趋势，中国电子业正从依赖资源投入实现量的扩张，转向依靠技术创新实现质的提升发展取向。而中国IC产业“十一五”规划也明确体现出，推动大公司战略的整体思路。
作者：姚钢; 钱敏; 王小庆 刊期：2006年第05期
《半导体国际》借SEMICON CHINA 2006之际，对半导体设备、材料及电子制造商进行了密集采访，得出一个深刻印象就是，外来者本土化运作，并寻机与中国本地业者合作，已是中国半导体产业发展的大势所趋。其中，新需求、新产品、新技术第一时间进入中国，已是外来者竞争中国市场的利器；而本地化服务能力，也已成国际领先业者拓展中国市场的必选之...
作者：Peter; Singer 刊期：2006年第05期
由伊利诺斯大学Urbana—Champaign分校的科学家发明的晶体管激光器已发现具有基本的非线性特性，晶体管的这种新特性可使之用作双路输入、双路输出、高频信号处理器。伊利诺斯大学电气和计算机工程及物理学的约翰巴丁讲座教授Nick Holonyak Jr．说：“我们偶然发现晶体管具有这种令人称奇且充满前景的基本特性，不久的将来会出现一种新型晶体管...
作者：Peter; Singer 刊期：2006年第05期
肯塔基大学（University of Kentucky）的研究人员展示了一种比较简单的快速热处理（RTP）和退火措施，可以延长常规栅介质的寿命，缓和对高k栅介质的需求。当栅介质变得越来越薄时，栅泄漏成为主要问题，以致于某些晶体管处于关态时的能耗几乎与处于开态时相当。可靠性的退化也是一个问题。
作者：AQron; Hand 刊期：2006年第05期
正如半导体国际杂志上所说的那样，在今年的SPIE Microlithography会议上，光刻领域的技术专家们共聚一堂并发表了他们的最新研究成果。毫无疑问本次会议将会产生更多的新闻和技术热点，而近来公布的一些关于前沿浸没式光刻技术和极紫外光刻技术（EUV）的新闻以及研究成果已经受到了广泛的关注和极大的重视。
作者：Laura; Peters 刊期：2006年第05期
IBM Systems and Technology Group的质量主管Timothy Collopy于今年三月在San Jose举办的的IEEE International Reliability Physics Symposium（IRPS）上发表了题为“市场预测和技术路线可靠性方法的修正”的演讲。在该演讲中提出了建立性能更高、高可靠性和上市速度更快的市场的必要性，这是器件厂商面对新材料、结构和工艺／设计相互影响时...
作者：Alexander; E.; Braun 刊期：2006年第05期
涉足尖端技术研究工作的芯片制造商正在把无数新材料和奇特的器件结构结合起来，用于65nm及更低节点的量产。同时他们发现，在这些研究上的努力生产的结果还包括目前必须着手解决各器件各个层上出现的越来越多的细微的电缺陷和微小物理缺陷。在存储器中，可能会出现多晶硅阻塞管道问题poly-plug piping problems，从而引起BPSG（硼磷硅酸盐玻璃...
作者：John; Baliga 刊期：2006年第05期
许多MEMS器件，像加速度计、机械共振器件等，都需要在真空环境下才能实现设计功能。然而检验封装腔体是否达到了所要求的真空程度一直一来都是个棘手的问题。密歇根大学Khalil Najafi教授研究小组的研究人员最近开发出一种用微机械制造方法实现，可以在封装的封帽上完成皮拉尼真空测量的方案。使用这种方法可以完成封装的氦气检漏测试，该成果...
作者：Carlos; Mazure; Andre-Jacques; Auberton-Herve; Soitec 刊期：2006年第05期
90nm及未来技术节点的器件开发具有两个十分显著的技术设计特点。一个是注重高性能器件，另一个是靠系统芯片（SoC），包括低功率、移动射频等应用的推动。
作者：Alexander; E.; Braun 刊期：2006年第05期
随着特征尺寸的缩小，晶圆表面任何一部分都不允许闲置不用，器件越发地靠近边缘。因此对于晶圆的检查不能再忽视边缘。现有的检查平台必须升级以面对这种挑战。
作者：Bhadri; Varadarajan; Jim; Sims; Akhil; Singhal; Mike; Christensen; Gengwei; Jiang; Kevin; Ilcisin; Krishnan; Shrinivasan; Mohamad; Ayoub; Vineet; Dharmadhikari; Ming; Xi 刊期：2006年第05期
在高级CMOS器件中，高应力氮化硅（SiN）薄膜是增强应变的主要方法，如果要改善PMOS或NMOS器件性能，则分别需要采用具有压应力和张应力的氮化硅薄膜。我们对相关机理进行了回顾。根据不同的淀积和工艺处理条件的组合，从而得刭了张应力大于1．6GPa和压应力大于2．9GPa的氮化硅薄膜覆盖。
