集成电路应用

集成电路应用杂志 部级期刊

Applications of IC

杂志简介:《集成电路应用》杂志经新闻出版总署批准,自1984年创刊,国内刊号为31-1325/TN,是一本综合性较强的电力期刊。该刊是一份月刊,致力于发表电力领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:产业评论、市场分析、设计与研究、工艺与制造、创新应用、新产品、区域动态、读者信箱

主管单位:中国电子信息产业集团有限公司
主办单位:上海贝岭股份有限公司
国际刊号:1674-2583
国内刊号:31-1325/TN
全年订价:¥ 1060.00
创刊时间:1984
所属类别:电力类
发行周期:月刊
发行地区:上海
出版语言:中文
预计审稿时间:1个月内
综合影响因子:0.49
复合影响因子:0.13
总发文量:4724
总被引量:3589
H指数:16
立即指数:0.0055
期刊他引率:1
  • 3000亿,催生出中国半导体中坚

    作者:姚钢 刊期:2006年第03期

    除了制造环节形成一个相对领先者——中芯国际(SMIC)外,中国的半导体公司一直处于群龙无首的状态。不过,在成熟的半导体市场中,“榜样的力量”却起着举足轻重的作用。在近日召开的2006年中国半导体市场年会上,信产部电子信息产品管理司副司长丁文武表示,尽管中国IC产业“十一五”规划目前仍处在草案审定阶段,但推动大公司战略的整体思路...

  • SI:若中国IP保护长期缺位,害人也不利已

    作者:姚钢 刊期:2006年第03期

    由Semiconductor Insights(SI)主办、中国半导体行业协会(CSIA)和上海硅知识产权交易中心(SSIPEX)协办的“知识产权保护对中国IC行业影响”论坛,日前在上海举行。中国半导体行业协会知识产权工作部部长徐小田演讲时指出,中国目前正在通过教育、服务,加强行业自律为主要形式,努力创造出一个优良的半导体IP保护环境,对经界定的侵权行为...

  • Micron在中国除了DRAM还有NAND Flash和CMOS Sensor

    作者:姚钢 刊期:2006年第03期

    Micron一直被视为全球DRAM知名供应商。不过,目前Micron正着力推动其它几个针对手持设备的产品线如CellularRAM、NAND Flash和移动CMOS Sensor的市场拓展。Micron战略行销区域经理Miguel Barvo表示,“围绕应用市场的需求变化适时进行产品结构的调整是Micron一贯的策略,但不是以放弃传统的DRAM业务去开辟新的产品市场。”此话可解释为,Micron...

  • 长虹研制成功虹芯一号

    刊期:2006年第03期

    长虹日前宣布具备自主知识产权的“虹芯一号”数字自动会聚芯片进入整机批量应用阶段后,据长虹技术中心副主任张恩阳介绍,长虹第一块自行开发的“虹芯二号”智能遥控芯片也已开始投入规模生产。同时,获科技部863计划专项资金支持的。虹芯三号”网络数字音视频处理SOC芯片和“虹芯四号”数字高清图像自动处理专用芯片,均已进入仿真测试、流片...

  • 思比科开发CMOS手机摄像芯片

    刊期:2006年第03期

    北京思比科微电子自主研发了可用于汽车电子、手机、笔记本摄像头、医疗电子等行业的CMOS摄像芯片。该项技术拥有6项发明专利的200万像素CMOS摄像芯片,已通过了技术测试。

  • 中芯国际天津厂月产能突破1.8万片

    刊期:2006年第03期

    中芯国际(天津)生产线改造项目进展顺利,净化厂房、部分动力设施和环安设施进行改造基本完成,目前月产已达到1.8万片,采用的制程技术从0.35微米到0.13微米。

  • 美国ASSET在上海成立边界扫描技术中心

    刊期:2006年第03期

    美国ASSET InterTech宣布在上海成立了边界扫描技术中心。边界扫描技术(IEEE 1149.1/JTAG)是将测试数据等读入芯片、从芯片中读出的技术。

  • Asat加快制造业务向中国转移

    刊期:2006年第03期

    美国半导体封装与测试服务供应商Asat Holdings Ltd.最近表示,将把全部制造业务转移到东莞新厂,并于今年4月底前完成,这比原计划提前了4个月。

  • Total Solution给了我们什么?

    作者:姚钢 刊期:2006年第03期

    但凡国际领先的芯片供应商来中国推销其产品时,都不会忘记一个关键词-Total Solution-中国的0EM们一旦采用了这样的Solution就可实现终端产品的快速上市、实现低成本、良好的品质保证、甚至0EM的产品可较容易进入国际市场,等等……。但这些“布道”者们唯独没有提及,中国的0EMs用了他们的Solutions对提升自身技术能力有何帮助。

  • 纳米压印模板需要高质量的检测技术

    刊期:2006年第03期

    纳米压印光刻经学术和行业团体近十年的研究之后,已逐渐开始对半导体行业产生引导作用。简单地讲,纳米压印是把一个1×的模板压进一个柔性层,从而在衬底上制作图形。斯坦福大学的电子工程教授Fabian Pease说:“它引人注意之处是具有半导体行业现在非常感兴趣的分辨率,即远低于100nm的线条,而在这个范围内,如果无法用纳米压印光刻来实现,...

  • 应力硅技术是否影响器件可靠性

    刊期:2006年第03期

    虽然采用应力工程技术可以通过增强迁移率实现令人难以置信的性能增益,但也会引起器件的可靠性退化。尤其是还必须把负偏置温度不稳定性(NBTI)退化程度与要求实现的性能增益进行权衡。由于NBTI可使pMOSFET器件的阈值电压发生变化,因此NBTI是一项重要的可靠性要求。

  • 用“尺子”实现纳米精密光刻校准

    刊期:2006年第03期

    计量校准总是由两部分组成:精密度和准确度。就如Sematech定义的,统计过程控制准确度是指测量值或观测值与实际值或公认参考值的接近程度,精密度是指反复测量的固有偏差的度量。很明显,出于校准目的,精密度总是比准确度更重要,特别是为了使各种平台测量之间的变化尽可能小时对设备的准确匹配。这样,就可以理解这些年来检测和工艺设备OEM...

  • 超高数值孔径浸没式光刻面临的挑战:偏振效应

    刊期:2006年第03期

    浸没式光刻要实现32纳米技术乃至进一步向下延伸,在高折射率液体,光学镜头以及光刻胶等关键技术领域需要要不断取得突破性的进展。为了得到更高的分辨率,超高数值孔径浸没式光刻技术势在必行,由此而产生的光学偏振问题会日益突出,现在光刻领域的专家已经开始着手解决这个问题。

  • 用于亚65纳米光刻的双层抗蚀剂

    作者:Daisuke; Kawana; Sanlin; Hu; J.K.Lee 刊期:2006年第03期

    采用含硅量较高(23wt%)的新型光致抗蚀剂实现了55nm的各种特性,获得了较高的耐腐蚀性能,并降低了线条边缘粗糙度。结果还表明,这种新型的光致抗蚀剂与浸没式光刻工艺具有良好的一致性。

  • 引领新一代高级封装的光刻技术

    作者:Manish; Ranjan 刊期:2006年第03期

    在当今飞速发展的电子环境中,芯片制造商和封装技术供应商们发现传统的前段制造设备,诸如光刻步进器等,可能会实现成本高效的后段工艺流程(BEOL)器件封装。尽管高级封装市场的发展空间最初是被PCs行业的蓬勃发展带动起来的,但是现在它们已经不再是主要的增长催化因素。通信以及手持设备,如手机、PDAs(个人数字助理)、便携式游戏机以及...