首页 期刊 航空兵器 表面沟道漏电对长波光伏HgCdTe器件性能的影响 【正文】

表面沟道漏电对长波光伏HgCdTe器件性能的影响

作者:赵鸿燕; 彭震宇; 鲁正雄 中国空空导弹研究院; 河南; 洛阳; 471009
长波光伏hgcdte器件   伏安特性   表面漏电流  

摘要:研究了表面沟道漏电流对长波n-pHgCdTe光伏器件性能的影响.通过对栅控HgCdTe二极管I-V特性的研究,证实了表面势引入的表面漏电对长波HgCdTe光伏器件反向I-V特性具有较大的影响,提出了改进方向.

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