摘要：制备了一种集成有太赫兹低通滤波器的高速、高灵敏度GaN／A1GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）太赫兹探测器。实验研究表明，当在太赫兹天线与引线电极之间加入低通滤波器时，太赫兹耦合天线的谐振性能恢复，室温下器件的响应度达到了1．05×10^3V／W；测试带宽为1Hz时，器件的噪声等效功率达到了4．7×10^-11W。利用该探测器单元对不同材料进行了快速扫描成像，结果表明，该探测器单元具有较好的成像分辨率，且器件的响应速度优于商用的气动探测器的和热释电探测器的。

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