摘要：极紫外光刻技术（EUVL）是半导体制造实现22nrll及其以下节点的下一代光刻技术。在曝光过程中，EUVL物镜的每一面反射镜吸收35％～40％的入射极紫外（EUV）能量，使反射镜发生热和结构变形，影响投影物镜系统的成像性能。基于数值孔径为0．3，满足22nm技术节点的产业化EuV投影物镜，采用有限元分析（FEA）的方法研究反射镜变形分布，再将变形导入光学设计软件CODEV中，研究反射镜变形其对成像特性的影响。研究结果表明：当达到硅片的EUV能量为321mw，产量为每小时100片时，反射镜最高升温9．77℃，通光孔径内的最大变形为5．89nm；若采用相干因子0．5的部分相干光照明，变形对22nm线宽产生6．956nm的畸变和3．414％的线宽误差。

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