固体电子学研究与进展

固体电子学研究与进展杂志 北大期刊 统计源期刊

Research & Progress of SSE Solid State Electronics

杂志简介:《固体电子学研究与进展》杂志经新闻出版总署批准,自1981年创刊,国内刊号为32-1110/TN,是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊,致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:三维集成射频微系统(专栏)、器件物理与器件模拟、射频微波与太赫兹、光电子学、硅微电子学、材料与工艺、研究简讯

主管单位:中国电子科技集团公司
主办单位:南京电子器件研究所
国际刊号:1000-3819
国内刊号:32-1110/TN
全年订价:¥ 220.00
创刊时间:1981
所属类别:电子类
发行周期:双月刊
发行地区:江苏
出版语言:中文
预计审稿时间:1-3个月
综合影响因子:0.43
复合影响因子:0.29
总发文量:1277
总被引量:2651
H指数:12
引用半衰期:3.7381
立即指数:0.0082
期刊他引率:0.837
平均引文率:7.9426
  • 2~6GHz100W宽带GaN固态功率放大器设计

    作者:来晋明; 罗嘉 刊期:2019年第04期

    研制了一款2~6GHz100W宽带GaN固态功率放大器。设计采用四片GaN功率放大器MMIC芯片进行功率合成。为提高电路的合成效率并降低负载牵引对功率单片的影响,该固态功率放大器采用六个3dB大功率电桥实现平衡式功率合成设计,且3dB电桥利用两级8.34dB电桥级联实现。通过采用金刚石铜载体,研制的2~6GHz固态功率放大器输出功率100W,功率附加效率大于25%,...

  • W波段固态合成功放研究

    作者:朱翔; 成海峰; 郭方金; 王维波 刊期:2019年第04期

    介绍了W波段固态合成功放的研究结果。研究了W波段波导到微带之间的过渡理论,并验证了微带探针在W波段功率合成中运用的可行性,最终采用了8只GaN功率MMIC,通过高效波导功率合成的方式,在92~98GHz的频带内,实现了连续波大于6W输出功率,在98GHz最大功率可达7.4W,功率附加效率大于11%。

  • 启事

    刊期:2019年第04期

    本刊已加入《中国学术期刊(光盘版)》、《中国期刊网》、美国《化学文摘》及荷兰Scopus数据库等。凡在本刊发表的文章,将统一由编辑部全文入编上述刊、网,作者著作权使用费与本刊稿酬一次性给付。如作者不同意将文章编入上述数据库,请在来稿时声明,本刊将作适当处理。

  • 基于ASM-HEMT的AlGaN/GaN FinFET器件建模

    作者:汪流; 刘军; 陶洪琪; 孔月婵 刊期:2019年第04期

    在ASM-HEMT模型的基础上,对GaN FinFET的直流(DC)特性和S参数进行建模.在Keysight ICCAP建模软件中,通过开路和短路去嵌方法对测试结构引入的寄生去嵌.将包含ASM-HEMT模型内核的VA文件导入软件中并调用Keysight ADS仿真器进行仿真.通过调节模型参数并用仿真的结果拟合测试曲线,该模型可以准确表征GaN FinFET器件的DC特性和S参数,证明了ASM-HEMT...

  • 基于噪声矩阵变换的SiGe HBT射频等效噪声建模

    作者:曾洪波; 王军 刊期:2019年第04期

    由于小信号等效电路模型参数的精确提取是高频噪声建模的基础,利用噪声矩阵的变换,给出了硅锗异质结双极型晶体管(SiGe HBT)小信号等效噪声电路的建模过程,从器件测量的四个噪声参数中提取了电流散粒噪声,验证了小信号等效噪声电路的有效性.

  • InP DHBT准单片压控振荡器的设计

    作者:沈一鸣; 陈鹏鹏; 程伟; 张君直; 黄港膑 刊期:2019年第04期

    设计了一款K波段准单片压控振荡器.其中负阻电路部分采用1.6μm InP DHBT工艺,以单片形式制作,谐振电路及变容管外置,键合引线形式连接负阻单片.当电源电压4V、调谐电压0~15V时,该电路输出频率为17.97~20.13GHz,输出功率大于2dBm,工作电流18mA.当调谐电压13V、输出频率19.95GHz时,相位噪声达到-90.1dBc/Hz@100kHz.

  • 基于柔性LCP基板的微带线传输损耗特性研究

    作者:刘维红; 王永健; 周六可; 康昕 刊期:2019年第04期

    研究讨论了液晶高分子聚合物(Liquid crystal polymer,LCP)柔性基板的50Ω标准微带线的损耗特性,提出了一种考虑传输线高频特性的建模技术.通过一系列建模流程将这种技术应用到实际计算中,并与仿真结果和实测结果相对比.结果表明,随着频率升高,由于趋肤深度和表面粗糙度引起的导体损耗计算数据和实测数据有较高拟合度.并且验证了LCP基板有着极低...

  • 一种基于LTCC的宽阻带高抑制带通滤波器的设计

    作者:常钰敏; 罗雨; 戴永胜 刊期:2019年第04期

    提出了一种基于LTCC技术的新型宽阻带高抑制带通滤波器的实现方法。通过金属柱加载接地电容形成谐振单元,一方面能够有效缩小滤波器的体积,另一方面由于其高阶谐波分量远离中心频率且被有效地抑制,实现了高频端衰减性较好的宽阻带。采用六级谐振器提高滤波器的矩形系数和带外抑制性能。最终设计了一款中心频率为4.55GHz、带宽为1.3GHz的带通滤波...

  • 基于LTCC的小型化超宽带高通滤波器

    作者:方洁; 庄智强; 戴永胜 刊期:2019年第04期

    基于高频波段设计了一款2.26GHz超宽带高通滤波器,利用LTCC(低温共烧陶瓷)材料合成,解决了滤波器稳定性和小型化的需求问题。该滤波器采用LC集总结构形式构成,在ANSYS HFSS软件进行三维建模仿真。滤波器采用单层屏蔽层,减少了电感电容对地寄生的产生,并且在不增加元器件基础上,利用结构中已存在的电感电容之间的电磁耦合产生传输零点,实现了一个...

  • 一种带有金属边框的LTE/WWAN/5G手机天线设计

    作者:郑国庆; 王友保 刊期:2019年第04期

    提出一种带有金属边框的LTE/WWAN/5G频段手机天线,该天线由金属边框与地板构成的缝隙天线结构、馈电枝节与边框构成的IFA天线结构、连接在地板上的单极子天线结构等组合而成。将金属边框作为天线的一部分,极大地缩小了天线占有介质基板的面积,使得介质基板上净空面积减小到65mm×5mm,而5mm地板窄净空宽度有利于天线应用于高屏占比的手机。测试结...

  • Si空位缺陷对Ca2Si电子结构及光学性质的影响研究

    作者:邓永荣; 陈秋琳; 骆远征; 闫万珺 刊期:2019年第04期

    基于第一性原理的方法计算了含Si空位缺陷Ca2Si的几何结构、能带结构、电子态密度及光学性质。计算结果表明,Si空位缺陷出现使Ca2Si的晶胞体积增大,带隙变宽,导电类型为n型,静态介电常数、反射率增大,介电函数虚部ε2、吸收系数向低能方向移动。

  • 具有共模反馈和浮栅输入级的CMOS满幅运算放大器设计

    作者:曹新亮 刊期:2019年第04期

    利用输入跨导恒定技术设计了一种新的满幅运算放大器。该放大器利用浮栅差分对和负反馈电路作为输入级,将共模电平钳位在某一确定值,以保持输入跨导恒定。结合中间级、输出级的设计形成一个输入和输出均达到满幅度要求的整体运放结构。选用0.35μmCMOS工艺,对输入级和rail-to-rail运算放大器进行仿真分析。测试结果显示,这种电路新结构有利于拓展...

  • 一种60GHz高速无线通信系统宽带低功耗基带电路

    作者:张坤; 张润曦; 石春琦 刊期:2019年第04期

    实现了一种宽带低功耗正交模拟基带电路,接收(RX)基带和发射(TX)基带包含可变增益放大器(VGA)、低通滤波器(LPF)和直流偏移消除(DCOC)电路.RX VGA采用改进型Cherry-Hooper放大器结构,实现宽增益范围;TX VGA采用改进型折叠式吉尔伯特放大器结构,增强输入线性度;RX LPF和TX LPF均采用Nauta-OTA作跨导的八阶Gm-C滤波器结构,具有高带宽和高电流效率...

  • 基于FBAR技术的S波段低插损滤波器

    作者:赵洪元; 夏燕; 王亚宁; 朱健 刊期:2019年第04期

    研制了基于薄膜体声波技术的S波段低插损带通滤波器。该滤波器芯片典型测试性能为,相对带宽1.3%,插损优于2dB、回波损耗优于-12dB、带外抑制40dB、温漂系数-11×10^-6/℃。该滤波器芯片采用薄膜体声波谐振器(FBAR)作为基本构成单元,使用AlN压电材料、空气腔作为底部声反射结构,机电耦合特性优良、声学损耗小。使用该FBAR滤波器芯片可构成多通道滤...

  • 101.6mm(4英寸)0.7μm InP HBT工艺及其应用

    作者:戴鹏飞; 李征; 戴姜平; 常龙; 姚靖懿; 程伟; 任春江 刊期:2019年第04期

    报道了采用多层布线的101.6mm(4英寸)0.7μm InP HBT圆片工艺.器件工艺中台面均采用湿法腐蚀工艺,结合自对准光刻和BCB互联平坦化工艺,并集成了金属薄膜电阻和MIM电容.研制得到的0.7μm InPHBT器件电流增益截止频率(fT)为330GHz,最大振荡频率(fmax)为300GHz,可满足100GHz以下各频段的混频、倍频、放大等微波集成电路以及20GHz以下数模混合集成电路...