杂志简介：《固体电子学研究与进展》杂志经新闻出版总署批准，自1981年创刊，国内刊号为32-1110/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：三维集成射频微系统(专栏)、器件物理与器件模拟、射频微波与太赫兹、光电子学、硅微电子学、材料与工艺、研究简讯
杂志简介：《固体电子学研究与进展》杂志经新闻出版总署批准，自1981年创刊，国内刊号为32-1110/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：三维集成射频微系统(专栏)、器件物理与器件模拟、射频微波与太赫兹、光电子学、硅微电子学、材料与工艺、研究简讯
作者：郁鑫鑫; 周建军; 王艳丰; 邱风; 孔月婵; 王宏兴; 陈堂胜 刊期：2019年第02期
报道了一种具有高正向电流密度和高反向击穿场强的垂直型金刚石肖特基势垒二极管器件。采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术在高掺p+单晶金刚石衬底上外延了一层275 nm厚的低掺p-金刚石漂移层,并通过在样品背面和正面分别制备欧姆和肖特基接触电极完成了器件的研制。欧姆接触比接触电阻率低至1.73×10-5Ω·cm^2,肖特基接触理想因子1.87,势垒...
作者：杨立杰; 李士颜; 刘昊; 黄润华; 李赟; 柏松 刊期：2019年第02期
报道了在60μm厚、掺杂浓度1.3×10^15 cm^-3的外延层上制备4H-SiC功率DMOSFET器件的研究结果。器件击穿电压大于6.5 kV,导通电流大于5 A,相对于之前的报道结果,器件导通能力提升了25倍。器件采用由55根环组成的,450μm宽的浮空场限环作为器件终端结构。通过1 250°C热氧化工艺和NO退火技术,完成器件栅介质层制备。通过横向MOSFET测试图形,提取器件...
作者：张满红; 曹正春 刊期：2019年第02期
提出了一种基于双极性扩散方程的PIN二极管的一维物理计算模型。该模型主要针对PIN二极管的正向温度特性研究,考虑了载流子扩散系数、载流子迁移率、禁带变窄效应、载流子寿命随温度变化的影响。介绍了双极性扩散方程的傅里叶级数解,利用方程的傅里叶级数解推导得到一组微分方程,并采用迭代法求解。利用该模型计算分析了4H-SiC PIN二极管在298~4...
作者：冷贺彬; 朱平 刊期：2019年第02期
利用高禁带宽度的SiC材料,设计了一种基于SiC的NPN双极型晶体管,该晶体管采用多层缓变掺杂基区结构实现。在完成晶体管结构设计基础上,仿真分析了晶体管的直流电流增益、击穿特性以及频率特性。在工艺方面,设计完成了晶体管制备工艺流程与版图。仿真结果表明,SiC双极型晶体管具有击穿电压高(BVCEO=900 V)、特征频率高(fT=5 GHz),晶体管增益适中(...
作者：李晓鹏; 王志功; 张有涛; 张敏; 程伟; 张翼; 陈新宇 刊期：2019年第02期
介绍了一种基于0.7μm磷化铟(InP)双异质结双极型晶体管(DHBT)工艺的超高速全加器,将加法运算与数据同步锁存融合设计来提高计算速度,采用多数决定运算法则设计单层晶体管并联型进位电路来降低功耗。测试结果表明,全加器的最高时钟频率达32.2 GHz,包含锁存器的全加器整体电路功耗为350 mW。
作者：成海峰; 朱翔; 郭健 刊期：2019年第02期
介绍了一种采用圆波导TE01模式转换实现的W波段低损耗径向功率合成器。设计出了16路圆波导TE01模径向合成器和圆波导TE01模转换器,整体结构简洁紧凑,利于加工制造。对合成器在85~105 GHz的频带内进行了背靠背测试,驻波低于1.35。扣除模式转换器的损耗,单个径向合成器损耗小于0.35 dB,合成效率大于92%。
作者：陈正廉; 林罡 刊期：2019年第02期
通过对结构和性能的分析与优化,设计并研制了不同场板和宽槽条件下的高工作电压GaAs HFET器件。直流和射频测试结果表明:提升场板长度和宽槽宽度可以有效提高器件的工作电压。器件在南京电子器件研究所流片,最终制备出的器件性能为:击穿电压大于84 V,在20 V工作电压下截止频率为9 GHz,3 GHz时功率增益为15.87 dB、功率附加效率为53%。
作者：吕明明; 马龙; 尹衍庄; 孙绪保 刊期：2019年第02期
采用哑铃型缺陷地结构(DGS)设计了一种新型的双频微带天线,天线的主要辐射单元为一对对称的L形贴片,L形贴片所包围的中间区域敷以圆弧形贴片和一个竖向的矩形连接带并将二者融合为一个整体,实现了天线的双频特性。引入哑铃型的DGS结构,并给出了DGS结构的等效电路图,通过改变DGS结构的尺寸改变了等效电路的电感和电容从而改变了天线的频率特性。...
作者：张怿成; 朱永忠; 左开伟; 孟志豪 刊期：2019年第02期
对全可调微波滤波器技术进行了综述。介绍了全可调滤波器的背景和意义,归纳了各个调节技术的原理及实现方法,阐述了国内外全可调滤波器的最新研究进展,分析了稳定性和集成度研究现状,最后总结了目前存在的问题及未来发展趋势。
作者：吴超瑜; 刘超; 冯彦斌; 高文浩; 高鹏; 付贤松; 宁振动 刊期：2019年第02期
利用低压MOCVD技术制备PIN结构的InP基InGaAs外延材料。采用分层吸收渐变电荷倍增(SAGCM)结构,通过两次Zn扩散、多层介质膜淀积、Au/Zn p型欧姆接触、Au/Ge/Ni n型欧姆接触等标准半导体平面工艺,设计制造正入射平面In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管器件。该器件采用与InP衬底晶格匹配的In0.53Ga0.47As材料做吸收层,InP材料做倍增层,同时引入InG...
作者：高文浩; 冯彥斌; 李维环; 吴超瑜; 高鹏; 付贤松; 宁振动 刊期：2019年第02期
针对四元系AlGaInP红光发光二极管在制备过程中,材料的掺杂特性对于器件性能影响巨大,尤其是AlInP限制层材料的掺杂,对于器件光电性能具有明显的影响。在实际生产过程中P型掺杂浓度的波动非常大,明显影响到红光LED的发光均匀性。从不同的AlInP限制层P型掺杂浓度与LED发光亮度的关系入手,探索研究AlInP限制层P型掺杂浓度对LED发光亮度影响的规律,...
作者：林海军; 张泽旺; 陈路遥; 梁波; 邓文涛 刊期：2019年第02期
在12 bit 200 M采样率的模数转换电路(ADC)中实现了片内CMOS输入缓冲电路,输入缓冲电路采用源极跟随器电路构架。通过分析源极跟随器的非线性特点,在输入缓冲电路中加入高通滤波电路、复制电容电路等方式,有效提高了输入缓冲电路的线性度。将该输入缓冲电路用于无数字校准的12 bit 200 M采样率的流水线型模数转换电路(ADC)中,用台积电0.18μm CMO...
作者：周云波; 杨煜 刊期：2019年第02期
描述了一种双模自适应连续时间线性均衡器(CTLE)的结构和电路设计。提出了一种结合HF-Boost、DC-Degeneration模式的双模CTLE,在5 Gb/s数据速率下提供最大的14 dB信道损耗补偿能力。该CTLE能够手动调节,也能进行基于二维眼图监视器算法的完全自适应调节。给出了均衡器电路的晶体管级设计和自适应算法引擎的模块级设计,并给出了仿真和测试结果。...
作者：谢新根; 程凯; 李鑫; 孙林 刊期：2019年第02期
通过功率外壳金硅(AuSi)焊接失效案例,研究了铜-钼铜-铜(CPC)、铜-钼-铜(CMC)为热沉材料的功率外壳镀覆工艺,包括在CPC(或CMC)材料无氧铜表面高温重新形成晶格,采用外延生长型NiCo/Au替代Ni/Au镀层。镀覆工艺优化后,功率外壳金锡(AuSn)或AuSi芯片焊接可靠性得到了显著改善。
作者：夏丽; 刘宪云; 方佳怡 刊期：2019年第02期
锂离子电池性能研究和提高已成为化学电源领域热点,使用低压化学气相沉积(LPCVD)法在铜箔上制备CoSb3纳米颗粒薄膜,该薄膜不添加任何粘合剂,直接用作锂离子电池电极。50次充放电测试数据表明:使用CoSb3纳米颗粒薄膜的电极充放电性能良好,电荷存储容量较高;初始放电容量为378.8 mA·h/g,在初始充电过程中测试得到充入电容量为205.2 mA·h/g、库仑效...
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