杂志简介：《固体电子学研究与进展》杂志经新闻出版总署批准，自1981年创刊，国内刊号为32-1110/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：三维集成射频微系统(专栏)、器件物理与器件模拟、射频微波与太赫兹、光电子学、硅微电子学、材料与工艺、研究简讯
杂志简介：《固体电子学研究与进展》杂志经新闻出版总署批准，自1981年创刊，国内刊号为32-1110/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：三维集成射频微系统(专栏)、器件物理与器件模拟、射频微波与太赫兹、光电子学、硅微电子学、材料与工艺、研究简讯
作者：吴少兵; 李建平; 李忠辉; 高建峰; 黄念宁 刊期：2018年第02期
报道了Ka波段GaN自偏压低噪声三级放大电路的研制结果。在高Al含量的AlGaN/GaN HEMT外延结构上,采用电子束直写工艺制备了栅长100nm的＂T＂型栅结构。器件直流测试最大电流密度为1.55A/mm,最大跨导为490mS/mm;小信号测试外推其fT和fmax分别为95GHz及230GHz。采用该工艺制备的自偏压三级放大电路工作电压7V,在33~47GHz小信号增益大于20dB,噪声系...
作者：赵映红; 钱峰; 郑惟彬 刊期：2018年第02期
设计了一款Ku波段工作频率为13.0-15.5GHz的GaN MMIC高线性功率放大器,采用0.25μm GaN HEMT工艺,电路采用两级放大器的结构。通过两种不同的末级匹配网络的设计,对比分析匹配网络的设计对功率放大器效率与线性度的影响。一种是匹配到最佳功率附加效率（PAE）的末级匹配网络,一种则是匹配到最佳线性度的末级匹配网络（用最佳三阶交调产物与载波比...
作者：刘岳巍; 杨瑞霞 刊期：2018年第02期
研究了一种霍尔迁移率在片测试方法,通过在片测量反型层电荷密度ns和反型层方块电阻Rs得到反型层载流子的霍尔迁移率。通过在待测芯片上固定一个环形磁体获得一个高强度磁场,并且测试磁体与芯片距离和磁场强度的关系。讨论了反型层电荷密度ns和反型层方块电阻Rs的测试原理和方法,采用多次测量求导的办法,消除了霍尔电压测试过程中由于样品制备和...
作者：李维勤; 李超 刊期：2018年第02期
结合数值模拟和实验测量,以石英样品为例,研究了低于1keV的低能电子束照射下的动态带电特性。结果表明,使得电子总产额σ为1的第一临界能量约为200eV;随着电子束照射,表面电位逐渐趋于稳定;σ逐渐增大至一个略小于1的稳定值。随着电子束能量的增大,σ从不同初始值变化到相同稳定值的暂态时间基本不变;表面电位随电子束能量变化在约600eV时呈现一个...
作者：王嘉文; 陶洪琪 刊期：2018年第02期
分析了谐波控制理论提高功放效率的原理。对南京电子器件研究所的GaN HEMT器件进行了负载牵引测试。根据测试结果发现,通过谐波控制可以有效提升该器件的效率,在8GHz时能获得10%的效率提升。应用谐波控制理论设计了一款X波段单级MMIC功放。经连续波测试,该功放芯片在8.6~9.5GHz范围内漏极效率达到48%~56%。
作者：梅亮; 崔冬; 张华; 曹珂 刊期：2018年第02期
提出了一种新型宽带24通道V波段综合孔径辐射计。通过改变本振频率,辐射计可在7个频点上工作,总带宽达到了1.4GHz。详细介绍了天线、接收通道、本振、电源等模块的设计。设计时广泛采用了单片微波集成电路（MMIC）,实现了高增益和低噪声特性。对增益、噪声系数、1dB压缩点等参数进行了测试,结果表明24个接收通道的性能一致性较好。使用该辐射计...
作者：王磊; 唐长文 刊期：2018年第02期
介绍了一种应用于5.8GHz频段的专用短距离无线通信接收机前端,采用超外差低中频正交架构,通过合理规划接收机前端两次混频的频率可以有效解决镜像干扰和两条正交通路的失配。该前端包括低功耗的噪声抵消的低噪声放大器,其负载采用电容电感谐振电路,谐振频率可调,并具有一定的工艺稳定性。第一次混频采用电压模式无源混频器,第二次混频采用电流模...
作者：龚鸿州; 钱兴成; 王元庆 刊期：2018年第02期
提出了一种W波段波导-微带转换结构。该转换结构采用探针耦合转换的形式实现微波信号从矩形波导（BJ-900）到微带传输线的转换,并利用介质板实现波导口的密封。设计制作背靠背转换结构,在75~105GHz频率范围内测试结果：回波损耗优于-10dB,插入损耗小于3dB,泄漏率小于1×10-9Pa·m3/s。
作者：孙春明; 张晶; 祝子翔; 陈锋 刊期：2018年第02期
为了拓宽1 550nm InGaAlAs超辐射发光二极管（SLD）的输出光谱,采用三量子阱结构（分别对应1 530、1 550、1 570nm中心激射波长）作为有源区制作了1 550nm SLD,并在器件非出射端部分制作成非注入吸收区,通过吸收区抑制激射。实验结果表明研制的SLD最大输出功率为26.1mW时,中心波长为1 567nm。最大光谱半高宽（FWHM）大于44nm。此外,器件即使在最...
作者：于莉媛; 杨磊; 田海涛; 牛萍娟; 何金刚 刊期：2018年第02期
研究了低能电子束辐照对GaN基白光LED发光性能的影响。利用电子束模拟空间电子辐射,对白光LED灯板进行电子束辐照,并与辐照前的灯板比较,研究其光学性能,尤其是色度学性能的变化。试验结果表明,在电子束辐照后,LED的光效退化,色温增强,蓝光峰值波长蓝移,荧光粉激发作用增强。最后总结了辐照前后的平均蓝光峰值波长、黄光相对峰强以及色温的变化...
作者：王耀华; 高明超; 刘江; 冷国庆; 赵哿; 金锐; 温家良; 潘艳 刊期：2018年第02期
针对柔性直流输电关键装备高压直流断路器的特殊需求,基于现有工艺平台开发了一款宽安全工作区的3 300V/50A压接式IGBT芯片。为降低2~4 ms过电流冲击过程中的芯片温升,纵向采用非穿通结构。同时,采用阶梯栅氧结构,引入第二雪崩区,降低动态闩锁发生的风险,提高器件的安全工作区。为适用于压接封装,开发了厚金属电极工艺,实现对压力的缓冲。将此结...
作者：马艺珂; 梁海莲; 顾晓峰; 王鑫; 刘湖云 刊期：2018年第02期
针对静电放电（ESD）防护过程中ESD防护器件开启速度慢、易引起栅氧击穿或电路烧毁的问题,提出了一种可控硅（SCR）结构的ESD防护器件开启速度的优化方法。首先,基于0.35μm Bipolar-CMOS-DMOS（BCD）工艺制备了P~＋浮空和P~＋接地SCR结构器件,通过分析阱间距对P~＋接地SCR影响,获知当阱间距增至8.68μm时,器件开启速度快且过击穿电压低。其次,对...
作者：张浩磊; 朱健; 黄镇 刊期：2018年第02期
针对基于MEMS传感器的航姿参考系统精度不高、数据易漂移导致测量无人载体航姿数据不准确的问题,设计了基于四元数与自适应互补滤波相结合的改进自适应互补滤波算法。通过对MEMS加速度计与磁强计输出数据、MEMS陀螺仪的积分数据进行补偿、数据融合,减小积分漂移。仿真实验数据表明,该改进互补滤波算法可抑制外部噪声对输出数据准确性的影响,提高...
作者：蒋曲博; 甘永进; 梁国令; 甘国妹; 胡良红; 宁维莲 刊期：2018年第02期
相比于由聚N-乙烯咔唑和C60混合而成的混合物材料,在相同条件下,由聚N-乙烯咔唑与C60共价结合所得的聚合物材料（PVK-C60）所组成的光伏器件的性能得到显著的提高。在PVK-C60共聚物中,咔唑团充当施主,共价结合的球壳状碳分子（富勒烯）C60充当受主。开路电压从混合物器件的0.25V提高到了PVK-C60共聚物器件的大于1V。PVK-C60的吸收边扩展到了整个...
作者：丁蕾; 陈靖; 杜国平; 刘米丰; 王立春 刊期：2018年第02期
研究了基于圆片级苯并环丁烯（Benzocyclobutence,BCB）键合技术的Cu-Cu互连的界面情况。提出一种Cu凸点插针形式的圆片级BCB键合结构,研究BCB预固化程度、键合压力以及BCB与Cu厚度差等因素对晶圆界面键合质量的影响,并对此键合结构进行了键合空洞检测与剖面SEM分析,以及温循可靠性评价。结果表明,当预固化温度为210℃、键合压力为2×105 Pa,电流...
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