杂志简介：《固体电子学研究与进展》杂志经新闻出版总署批准，自1981年创刊，国内刊号为32-1110/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：三维集成射频微系统(专栏)、器件物理与器件模拟、射频微波与太赫兹、光电子学、硅微电子学、材料与工艺、研究简讯
杂志简介：《固体电子学研究与进展》杂志经新闻出版总署批准，自1981年创刊，国内刊号为32-1110/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：三维集成射频微系统(专栏)、器件物理与器件模拟、射频微波与太赫兹、光电子学、硅微电子学、材料与工艺、研究简讯
作者：薛舫时 刊期：2017年第03期
从不同栅电压下异质结能带和电子气状态研究出发,研究了GaN HFET栅压变化时的异质结充放电过程。通过自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程计算出不同偏置电压下内、外沟道的导带底。引入局域电子气势垒来甄别沟道中的漂移电子气和局域电子气的不同输运行为。详细研究了栅、漏偏置变化时的异质结充放电和局域电子气充放电。从这两种新的充放电效应...
作者：陈韬; 陈志勇; 蒋浩; 魏星; 杨兴; 陈新宇; 李忠辉; 陈堂胜 刊期：2017年第03期
报道了针对移动通信基站应用的GaN HEMT的研制。通过采用NiAu势垒,降低器件栅极漏电,从而提高器件击穿电压。同时通过优化V型栅,降低了峰值电场,提高器件击穿电压30%以上。GaN HEMT器件设计采用双场板结构,工艺采用0.5μm栅长,工作电压50V,在2.3~2.7GHz带内峰值输出功率280 W,功率附加效率>64%,线性度-30dBc@PAR=5dB,器件抗失配比(VSWR)至5∶1,器...
作者：刘航志; 周郁明; 袁晨; 陈涛 刊期：2017年第03期
位于SiO2/SiC界面处密度较高的陷阱,不仅俘获SiC MOSFET沟道中的载流子,而且对沟道中的载流子形成散射、降低载流子的迁移率,因而严重影响了SiC MOSFET的开关特性。目前商业化的半导体器件仿真软件中迁移率模型是基于Si器件开发,不能体现SiO2/SiC界面处的陷阱对沟道中载流子的散射作用。通过引入能正确反映界面陷阱对载流子作用的迁移率模型,利...
作者：赵爱峰; 王军; 胡帅 刊期：2017年第03期
基于双极结型晶体管(BJT)大信号简洁模型,采用在基极和集电极节点之间添加RC延迟噪声电流的方法对SiGe HBT高频相关噪声进行建模,将模型与现有的Transport模型、SPICE模型、Van Vliet模型进行对比来体现该建模方法的准确性,同时再对模型进行四噪声参数的提取,将提取结果与实测的结果进行比较来验证它的有效性。
作者：牟文杰; 赵琳娜; 翟阳; 朱培敏; 陈雷雷; 闫大为; 顾晓峰 刊期：2017年第03期
在自支撑衬底n-GaN外延片上制备了圆形Ni/Au/n-GaN肖特基接触结构,测量和分析器件的变温电流-电压（I-V）特性,研究了其正向和反向电流的输运机制。结果表明:在正向偏压下,随着温度从300K增加至420K,器件的理想因子由1.8减小至1.2,表明在高温下复合机制逐渐被热发射机制替代;在反向小偏压下,漏电流表现显著的温度和电压依赖特性,且ln（I）-E1/2...
作者：王赫余; 王颖 刊期：2017年第03期
设计了一个混合P-i-N和多晶硅/4H-SiC异质结的二极管结构(MPH diode)。当正向偏置时,异质结区在低电压下开启,随着正偏电压的不断加大,P~+4H-SiC区域注入少数载流子到漂移区,在异质结下就会有明显的电导调制效应。异质结部分的正向传导增强,即使在高电流密度时,大多数的电流运输也会通过异质结区,这样会使得正向压降和储存电荷之间有一个很好的...
作者：郭怀新; 韩平; 陈堂胜 刊期：2017年第03期
针对大功率器件散热瓶颈问题,基于GaN功率芯片,利用有限元分析方法开展了芯片近结区热特性模拟方法的研究。建立了芯片近结区散热能力仿真评估的三维理论模型,系统地研究了不同的初始条件、边界条件、晶格热效应及结构理论假设等因素对仿真精度的影响,分析了理论建模因素对计算结果的影响的原因。同时采用红外热成像仪对不同功率下的GaN芯片结温...
作者：叶显武 刊期：2017年第03期
报道了一款采用0.25μm GaAs功率MMIC工艺研制的Ku波段功率放大器芯片。芯片采用三级放大拓扑结构,末级输出匹配电路按照高效率设计,同时优化前后级推动比控制前级电流。级间采用有耗匹配电路设计,提高大信号状态下的稳定性。在16~18GHz频带范围内漏压8.5V、脉宽1μs、占空比40%的工作条件下线性增益大于25dB;饱和输出功率大于12 W,饱和效率大于32...
作者：杨章; 和新阳; 杨飞 刊期：2017年第03期
对影响Doherty功放回退效率的因素进行了分析,从输入功率配置、载波功放与峰值功放栅压以及相位平衡等多重角度进行了仿真,并基于此讨论了DPA(Doherty power amplifier)输出功率回退点的效率空间,从该效率空间出发,可以选择合适的功率配置和栅偏压进行功放的设计。基于GaN HEMT器件对所设计的电路进行了加工、装配和测试。测试结果显示:在2.25GH...
作者：严浩嘉; 李博文; 戴永胜 刊期：2017年第03期
提出了一种微型LTCC四级带通滤波器的实现方法。该带通滤波器由四个性能良好的谐振器组成,通过交叉耦合实现传输零点从而达到良好的阻带衰减。通过电路仿真以及电磁场三维仿真软件进行三维建模,对模型进行加工测试,滤波器的测试结果与电磁仿真结果相匹配。四级带通滤波器的中心频率为5.25GHz,带宽为500 MHz,通带范围内插入损耗均优于1.59dB,在0~...
作者：马丽; 李伟; 李佳豪; 谢加强; 康源; 王馨梅 刊期：2017年第03期
提出了一种新型的RC-IGBT器件,相比于常规RC-IGBT,新型的RC-IGBT在集电极侧引入了一个类似于栅极的多晶硅沟槽结构,不同之处是沟槽底部结构没有氧化层将多晶硅与硅体区相隔离,于是可将此重掺杂的多晶硅区作为新型的RC-IGBT的集电极的N+短路区,故称为TO-RC-IGBT(Trench oxide reverse conducting IGBT)。由于集电极P+阳极层与N+短路区之间的氧化...
作者：黄念宁; 韩克锋; 蔡立康; 王彦硕 刊期：2017年第03期
采用源漏区域孔阵列挖槽的方法降低氮化镓n型欧姆接触的合金温度,并改善合金后金属形貌。相对于非源漏区域孔阵列挖槽的氮化镓n型欧姆接触合金,合金温度可降低40℃,合金后源漏金属形貌尤其是金属侧边形貌显著改善,这对于提高相关器件及电路性能、成品率及可靠性很有好处。
作者：张鹏飞; 傅仁利; 陈寰贝; 梁秋实 刊期：2017年第03期
采用反应厚膜法实现了AlN基板表面的铜金属化,借助SEM、XRD分别对烧结后的厚膜层、还原后的铜金属化层以及界面层的成分和形貌进行了研究;测试了不同烧结温度下金属化基板的敷接强度,并探究了界面层的形成过程以及对敷接强度的影响。结果表明:烧结过后,厚膜层的主要成分是CuO和Cu2O;经过还原处理后,其表面成分转变为金属Cu;同时,随着烧结温度的...
作者：莫仲; 唐利锋; 曹坤; 庞学满 刊期：2017年第03期
激光切割工艺是高温共烧陶瓷生坯加工过程中重要技术之一,文中研究了这种激光切割氧化铝陶瓷工艺,其脉冲峰值功率及光斑聚焦大小决定了切割效果。结果表明控制激光频率、扫描速度及重复次数,可得到较好的切割槽深和切割槽宽。
作者：姚春燕; 王华 刊期：2017年第03期
采用ABAQUS有限元软件,对封装工艺进行研究,建立金属外壳封装热应力仿真模型。在典型的弹塑性力学模拟理论的基础上,将金属塑性行为引入到该外壳封装热应力模拟计算中,对比了引入金属塑性行为前后外壳封装热应力分布及大小变化,系统地分析了金属塑性行为对外壳热应力分布和形式的影响机制。结果显示,未考虑金属塑性行为时,计算的封装最大应力远...
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