杂志简介：《固体电子学研究与进展》杂志经新闻出版总署批准，自1981年创刊，国内刊号为32-1110/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：三维集成射频微系统(专栏)、器件物理与器件模拟、射频微波与太赫兹、光电子学、硅微电子学、材料与工艺、研究简讯
杂志简介：《固体电子学研究与进展》杂志经新闻出版总署批准，自1981年创刊，国内刊号为32-1110/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：三维集成射频微系统(专栏)、器件物理与器件模拟、射频微波与太赫兹、光电子学、硅微电子学、材料与工艺、研究简讯
作者：周少阳 柯导明 夏丹 王保童 申静 刊期：2013年第02期
提出了一个新的短沟道MOS晶体管表面势的准二维解析模型。不同于经典模型，该模型对沟道耗尽层横向剖分，由高斯定理导出沟道耗尽层电势的一维微分方程，方程考虑了漏、源的横向电场对沟道耗尽层厚度的影响。求解方程得到了耗尽层厚度与表面势的关系函数，由此得出了一个包含有沟道长度的阈值电压公式。通过MEDICI软件对多种不同参数的MOS晶体管...
作者：姜一波 曾传滨 罗家俊 韩郑生 刊期：2013年第02期
对绝缘体上硅工艺来说，静电保护可靠性是一个关键且具有挑战性的问题。着重于研究H型栅SOIMOS的维持电压，通过实验发现此器件的维持电压与栅宽紧密联系。结合TCAD仿真解释了器件的工作机理，通过建立集约模型并由HSPICE仿真，揭示了体电阻与维持电压之间的关系。
作者：张华鑫 王燕 王伟 刊期：2013年第02期
用非平衡格林函数方法研究一种自旋场效应晶体管的电子输运特性。结果表明，不考虑自旋散射的作用，当漏极电压比较小时该器件能达到很高的磁阻比率。对该器件在考虑自旋散射和不考虑自旋散射下的输出电流进行对比，发现在铁磁平行（反平行）的条件下，考虑自旋散射时的输出电流要比不考虑自旋散射时的输出电流小（大）。研究结果揭示了该器件的...
作者：刘诗尧 贺威 黄思文 刊期：2013年第02期
通过对赝MOS进行不同剂量的辐射，得到不同辐射条件下赝MOS器件的I-V特性曲线，并通过中带电压法进行分析，得出在不同辐射下S01材料的埋氧层中产生的陷阱电荷密度和界面态电荷密度参数。采用这些参数并结合Altal三维器件模拟软件模拟了硅鳍（FIN）宽度不同的三栅FET器件的总剂量辐射效应，分析陷阱电荷在埋氧层的积累和鳍宽对器件电学特性的影...
作者：郑远 吴键 艾萱 钱峰 陈新宇 杨磊 刊期：2013年第02期
利用电流复用技术设计8mm频段低噪声放大器芯片，采用0．15MmGaAsPHEMT工艺，芯片尺寸为1．73mm×0．75mm×0．1mm。测试结果显示：在32-38GHz频带内，放大器增益大于21dB，噪声系数小于1．85dB，输入、输出电压驻波比小于2．5，P1dB大于7dBm，功耗5V，28mA，采用电流复用技术比传统设计的功耗降低将近40％。
作者：张有涛 李晓鹏 张敏 陈新宇 杨磊 刊期：2013年第02期
基于1btmGaAsHBT工艺设计并实现了一种26GS／s单bit量化降速芯片。芯片采用树形级联架构，集成前端宽带比较器，综合优化各级降速单元拓扑，在功耗、速度各方面达到最优化。测试结果表明，芯片在26GS／s转换速率下，其SFDR大于8dBe，数据带宽达13GHz，显示出其在电子对抗及高速数据处理方面的潜力。
作者：韩克武 孙芸 杨明辉 孙晓玮 刊期：2013年第02期
采用矢量调制器作为新型有源相控阵的核心器件，替代传统的波束成形单元中数字移相器和数字衰减器。分析了矢量调制器幅度相位的调制原理，从数学上推导出幅度调制系数和相位调制之间的关系。与数字移相器相比，它不但能够同时进行幅度和相位调制，还具有更加精确的调制精度。设计研制了8X8小型相控阵天线系统，介绍了相控阵系统的构成。通过闭...
作者：林川 杨斌 徐全胜 苑小林 高群 刊期：2013年第02期
介绍了一种S波段小型化集成功放模块的设计方法。该模块采用GaAs和硅功率芯片，通过内匹配混合集成电路技术，将两级芯片集成到金属密封管壳中。实测结果表明，在脉宽200弘s，占空比10％的测试条件下，3．1～3．4GHz全带内功率放大器输出功率能达到60W，36V电源效率大于35％，模块尺寸仅为26．5mm×15．0mm×5．0mm。
作者：陈昌明 彭烨 刊期：2013年第02期
提出了一种小型低相噪、低杂散的C波段全相参频率综合器设计方案。基带信号由DDS芯片产生，通过对环路滤波器和电路印制板的优化设计改善相噪和杂散性能，并与PLL输出的C波段点频信号进行上变频，得到所需信号。介绍了实现原理、相位噪声模型及设计方法。测试结果表明，在7．8GHz处，频综相位噪声≤-103dBc／Hz@100kHz，杂波抑制≤-61dBc。
作者：孙学文 王海彬 王程 范昕 刊期：2013年第02期
基于砷化镓场效应晶体管（GaAsFET），设计了一种低成本、结构简单的X波段振荡器。以一段传输线实现谐振网络，通过优化反馈元件及传输线电长度，实现振荡器输出无匹配设计。室温、高温、低温环境下实测振荡频率分别为9．314GHz、9．305GHz及9．323GHz对应输出功率分别为10．26dBm、9．21dBm及11．35dBm。振荡器性能稳定，可应用于弹箭无线电引...
作者：杨海峰 王岩国 王太宏 王超 张海英 陈晓哲 刊期：2013年第02期
为满足RFID射频收发器可灵活配置工作模式，并校准芯片工作频率的要求，设计了一种具有新型双缓冲存储结构和实现自适应频率校准（AFC）的可编程配置模块。采用双缓冲存储结构和数据同步方法简化设计，通过引入可变阶距因子改进自适应频率校准算法，使得频率锁定时间有效降低。采用TSMC0．18／am工艺进行后端设计并流片，芯片面积4mm^2，供电电...
作者：陈乃金 郭维廉 陈燕 王伟 张世林 毛陆虹 刊期：2013年第02期
使用pnp双极型晶体管和pMOS，按照正反馈产生负阻I-V特性的原理，采用CMOS工艺，设计研制成功CMOS负阻单元，并对它进行了实际的测试与验证，效果良好，而且可以用它作为基础性器件，构成与CMOS工艺相兼容的负阻型逻辑电路，比常规CMOS电路节省大量器件。
作者：顾纯辰 邵轲 洪志良 刊期：2013年第02期
给出了一款应用于脉冲式超宽带（IR—UWB）接收机的低功耗采样电路设计方案。该采样电路使用0-13μmCMOS工艺，采样速率达到了4．224GS／s。在设计中，应用了等效采样技术来提高采样电路的整体采样速率。同时使用了失调校准技术来消除各通道本身以及各通道之间的失调电压，该失调校准技术不需要前置放大器，不消耗静态电流。该采样电路只需要单相...
作者：于杰 张文俊 焦斌 刊期：2013年第02期
采用HHNEC0．18p．m标准CMOS工艺设计实现了多个1kb容量的阻变存储器电路。针对WO。阻变材料的操作特点，提出了可切换的写电路以及自调节的读参考电路，满足了单极（Unipolar）与双极（Bipolar）兼容操作需求的同时提高了读操作的成功率。引入位线限流模块解决了置位（set）过程需要字线限流的问题，进而可以实现包含‘0’和‘1’多位数据的并...
作者：陈刚 解玉凤 林殷茵 刊期：2013年第02期
介绍了一种用于环境温度监测的新型高精度宽电压范围的CMOS温度传感器，采用0．13μm标准CMOS工艺的厚氧器件实现，芯片面积为37μm×41μm。该温度传感器在-20～60。C的温度范围内，采用两点校正方法之后，温度误差为-0．2℃／0．5℃。该温度传感器可以在1．8～3．6V的电源电压范围内安全可靠地工作，并且具有较高的电源抑制比。测试结果表明，其输...
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