杂志简介：《固体电子学研究与进展》杂志经新闻出版总署批准，自1981年创刊，国内刊号为32-1110/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：三维集成射频微系统(专栏)、器件物理与器件模拟、射频微波与太赫兹、光电子学、硅微电子学、材料与工艺、研究简讯
杂志简介：《固体电子学研究与进展》杂志经新闻出版总署批准，自1981年创刊，国内刊号为32-1110/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：三维集成射频微系统(专栏)、器件物理与器件模拟、射频微波与太赫兹、光电子学、硅微电子学、材料与工艺、研究简讯
作者：薛舫时 孔月婵 董逊 周建军 李忠辉 陈辰 刊期：2011年第05期
介绍了国际上AlInN势垒HFET的最新发展。从器件性能分析中发现这种新势垒显著提高了沟道电子气密度,增大了强场漂移速度,消除应变提高了器件可靠性和热稳定性,能在高温下有效工作,使GaN HFET研究走上新的台阶。但是薄势垒引起的大栅流和电流崩塌是阻碍器件性能提高和实际应用的主要瓶颈。利用AlInN/AlGaN异质界面的大能带带阶和强极化电荷来剪裁...
作者：董逊 孔月婵 周建军 倪金玉 李忠辉 李亮 张东国 彭大青 刊期：2011年第05期
基于能带理论设计并利用MOCVD技术在76.2 mm蓝宝石衬底上生长了不同GaN沟道层厚度的AlGaN/GaN/AlGaN双异质结材料。室温霍尔测试结果表明：双异质结材料的二维电子气面密度随沟道层厚度增加有所升高并趋于饱和;二维电子气迁移率则随沟道厚度增加明显升高。200 nm厚GaN沟道的双异质结材料方块电阻平均值344.2Ω/□,方阻不均匀性1.69%。HEMT器件工...
作者：任春江 王泉慧 刘海琪 王雯 李忠辉 孔月婵 蒋浩 钟世昌 陈堂胜 张斌 刊期：2011年第05期
报道了采用I线步进光刻实现的76.2 mm SiC衬底0.5μm GaN HEMT。器件正面工艺光刻均采用了I线步进光刻来实现,背面用通孔接地。栅脚介质刻蚀采用一种优化的低损伤RIE刻蚀方法实现了60°左右的侧壁倾斜角,降低了栅脚附近峰值电场强度,提高器件性能和可靠性。研制的GaN HEMT器件fT为15 GHz,fmax为24 GHz,6 GHz下的MSG为17 dB,满足C波段及以下频段应...
作者：刘海琪 王泉慧 焦刚 任春江 陈堂胜 刊期：2011年第05期
介绍了改进GaN功率MMIC背面通孔工艺的相关方法,并对通孔进行了可靠性方面的测试与分析。通过优化机械研磨的方法,减薄圆片至75μm左右,保持片内不均匀性在4%以内;利用ICP对基于SiC衬底的GaN功率MMIC进行了背面通孔工艺的优化,减少了孔底的柱状生成物。随后的可靠性测试测得圆片通孔的平均电阻值为6.3 mΩ,平均电感值为17.2 nH;对通孔样品在0.4 A...
作者：钟世昌 陈堂胜 张斌 任春江 陈辰 高涛 刊期：2011年第05期
主要研究第三代半导体AlGaN/GaN功率管内匹配问题。采用8个2.5 mm GaN功率芯片设计、合成以及内匹配电路的测试,在漏极电压40 V,脉冲占空比10%,脉宽100μs的条件下进行功率匹配,实现了GaN功率HEMT在X波段8 GHz 140 W功率输出的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω,功率增益大于6 dB,功率附加效率达到28.66%,输出功率密度高达7 ...
作者：王素新 韩静媛 袁爱国 刊期：2011年第05期
利用传递矩阵的方法研究了含有一个方势垒的单层石墨烯的隧穿特性,得到了透射概率与入射粒子费米能以及势垒宽度、势垒高度的变化关系,并且计算了势垒的结构参数及入射粒子费米能对低温电导的影响。这些结果可以为设计基于石墨烯材料的纳米器件提供理论参考。
作者：曹琳 蒲红斌 陈治明 刊期：2011年第05期
对浮结型及超结型肖特基势垒二极管静态及动态特性进行了解析及模拟。静态特性通过解析击穿电压与导通电阻之间的关系得到。反向恢复特性通过二极管电容随反向电压变化关系解释,商用混合模拟器MEDICI模拟结果表明浮结结构具有软恢复特性,软度因子为0.949。超结结构恢复特性较硬,软度因子为0.780 7。当考虑这两种耐压结构时,必须权衡静态及动态之...
作者：张如亮 高勇 王彩琳 苏翠 刊期：2011年第05期
波状基区结构是一种电力半导体器件的最新高功率制造技术,在p基区中引入该结构可以改善IEC-GCT的RBSOA特性与门极开关均匀性。提出该器件的工艺制造方案,数值模拟结果表明建议方案可行,所得器件结构参数符合目标要求。模拟并分析了门极挖槽工艺对波状基区形状的影响及铝杂质扩散对阳极结构的影响,挖槽工艺顺序和挖槽深度对阴极掩蔽效果有显著影...
作者：黄宏图 蔡理 彭卫东 柏鹏 杨晓阔 刘保军 李政操 刊期：2011年第05期
基于概率转移矩阵方法建立了QCA数值比较器的可靠性模型,采用多元线性回归方法定量分析了QCA数值比较器中各组成元件对整体可靠性的不同影响,并比较了元件可靠性改善度对整体可靠性改善度的不同影响。结果表明,当传输线可靠性改善度为3.00%时,整体可靠性改善度为16.51%,远高于其它元件,从而为大规模QCA数值比较器电路的可靠性设计提供了依据。
作者：王甲子 黄其煜 周伟 陈焦 方齐 芳艺 刊期：2011年第05期
染料敏化太阳能电池以其工艺简单、成本低廉、潜在的较高光电转化效率赢得了人们的青睐。论文对其工作原理合理简化,将电池考虑为由二氧化钛半导体、赝均匀介质层和电解质层三部分介质组成,应用载流子连续方程和传输方程以及泊松方程对其进行建模。讨论了电池内部各部分的电学特性和纳米管长度对电池性能的影响。
作者：王因生 陶有迁 徐全胜 金毓铨 傅义珠 丁晓明 王志楠 刊期：2011年第05期
利用红外热像显微测量峰值结温方法对L波段硅脉冲功率晶体管在脉冲射频（f=1.3 GHz,Pin=40 W,τ=150μs,D=10%）和峰值结温220°C条件下进行52 000器件小时的脉冲射频加速寿命试验。由此估算出该功率管在峰值结温125°C和上述RF条件下,器件失效率λ≤1.59×10^-7h^-1。试验分析表明,采用本试验方法可以更真实地评估射频功率管的可靠性水平。
作者：潘姚华 黄煜梅 洪志良 刊期：2011年第05期
用SMIC 0.13μm CMOS工艺实现了一个低相位噪声的6 GHz压控振荡器（VCO）。在对其相位噪声分析的基础上,通过改进和优化传统的调谐单元和噪声滤波电路以及加入源极负反馈电阻实现了一个宽带、低增益、低相位噪声VCO。测试结果显示,在中心频率频偏1 MHz处的相位噪声为-119 dBc/Hz,频率调谐范围为6.1~6.7GHz,对应的FOM值达到-188 dB。
作者：曹新亮 余宁梅 杨喆 刊期：2011年第05期
为了提高CMOS环形振荡器的稳定度,以温度传感器作为检测电路,利用单稳态电路整形、滤波,把频率变化转变为电压变化对压控振荡器（VCO）进行负反馈调节,在温度变化和电源微小波动时,抑制了频率漂移。测试结果表明：CMOS环形振荡器输出频率为3.55 GHz,在温度区间-20~80°C内最差稳定度为2.45%,优于2.5%,达到射频识别系统中对频率稳定度的要求。
作者：李凤阳 毛陆虹 徐凯 马力远 王峥 陈力颖 张世林 刊期：2011年第05期
基于ISO/IEC 18000-6C协议,对UHF无源电子标签模拟前端中的ASK解调电路、整流器、稳压电路等进行低功耗设计。解调电路中微分电路的加入扩大了解调电路工作范围,在解调电路近距离工作时,可以更有效地解调。整流电路采用了零阈值MOS管代替肖特基二极管,降低芯片成本。整流稳压电路可稳定地为芯片供电,供电电压2 V,建立时间仅为25μs。电路采用SMIC...
作者：龚晓寒 倪金华 洪志良 刘洋 刊期：2011年第05期
详细分析并实现一种改进的片上全集成低压差线性稳压器（LDO）,其负载电容为7 nF片上电容,且在0~50 mA电流负载范围下具有很好的稳定性。电路通过电压负反馈环控制降低输出等效负载电阻,并且采用了自适应极点调节方法以确保环路的稳定性。通过快通环路和高增益环路的混合控制,既能保证高的低频增益,又能满足快速响应的要求。该LDO包括输出电容7 ...
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