杂志简介：《固体电子学研究与进展》杂志经新闻出版总署批准，自1981年创刊，国内刊号为32-1110/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：三维集成射频微系统(专栏)、器件物理与器件模拟、射频微波与太赫兹、光电子学、硅微电子学、材料与工艺、研究简讯
杂志简介：《固体电子学研究与进展》杂志经新闻出版总署批准，自1981年创刊，国内刊号为32-1110/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：三维集成射频微系统(专栏)、器件物理与器件模拟、射频微波与太赫兹、光电子学、硅微电子学、材料与工艺、研究简讯
作者：肖景林 刊期：2009年第01期
采用线性组合算符和幺正变换方法研究库仑场对非对称量子点中强耦合极化子性质的影响。导出了非对称量子点中强耦合束缚极化子的振动频率、基态能量和基态结合能随量子点的横向和纵向有效受限长度，库仑束缚势和电子一声子耦合强度的变化关系。数值计算结果表明：非对称量子点中强耦合束缚极化子的振动频率、基态能量和基态结合能随量子点的横向...
作者：关玉琴 萨茹拉 赵春旺 刊期：2009年第01期
以海森伯模型为基础，只考虑最近邻相互作用，在计人外磁场和非周期性边界条件下，应用界面重参数化（IR）方法，讨论了体各向异性场对界面自旋波存在条件的影响，结果发现：不管耦合多弱都会存在声学-声学型界面自旋波；若存在能隙，随着各向异性场的变化还会存在声学-光学型界面自旋波和光学-声学型界面自旋波。
作者：李志新 肖景林 刊期：2009年第01期
采用线性组合算符和幺正变换方法，研究了自旋对量子点中弱耦合束缚磁极化子性质的影响。考虑自旋影响时，讨论了束缚磁极化子的基态能量随量子点受限长度和磁场的变化关系。结果表明：在库仑束缚势保持不变时，磁极化子的基态能量、自旋向上（向下）分裂能都随量子点受限长度的增大而减小，随磁场的增大而增大；在磁场保持不变时，磁极化子基态...
作者：宋建军 张鹤鸣 戴显英 胡辉勇 宣荣喜 刊期：2009年第01期
应变Si材料的能带结构是研究设计高速／高性能器件和电路的理论基础。采用结合形变势理论的K．P微扰法建立了（001）面弛豫Si1-xGex衬底上生长的张应变Si的能带结构模型。结果表明：[001]、[00^-1]方向能谷构成了张应变Si导带带边，其能量值随Ge组分的增加而变小；导带劈裂能与Ge组分成线性关系；价带三个带边能级都随Ge组分的增加而增加，而且G...
作者：林细龙 徐婕 刊期：2009年第01期
目前集约建模的趋势是由基于阚值电压的模型转向基于表面势的模型，而后者需要一个对非线性Pao-Sah电压方程的精确解，作为隐含数方程，Pao-Sah电压方程必须数值求解以求得表面势。牛顿算法是一个收敛较快而常用的算法，但却易收敛到错误的根，提出一个能保证牛顿算法收敛到正确的表面势解、且具有可控的高精度及运算速度的初始值，由该初始值计...
作者：刘昶时 刊期：2009年第01期
根据X光激发电子能谱（XPS）中元素各个态的位置与价带顶、导带底的位置关系，提出了对一个已有唯像模型的修正，由这个修正模型能够利用XPS数据考察异质结的禁带在经历某些过程后是否有变化。将这个方法应用于经历^60Co辐照的Si3N4／SiO2／Si，结果表明：从SiO2到Si存在SiO2禁带的弯曲，而辐照将SiO2禁带变薄；同时，SiO2禁带的变化明显依赖于...
作者：张志国 冯震 杨克武 蔡树军 郝跃 刊期：2009年第01期
电流崩塌效应是限制AlGaN／GaN HFET高输出功率特性的一个重要因素，文中从器件研制的角度研究了AlGaN／GaN HFET的电流崩塌效应。研究结果表明，采用传统的化合物半导体器件细栅工艺制作的器件，栅边缘易发生钻蚀效应，SiN层出现钻蚀区域，器件电流崩塌明显；采用ICP刻蚀SiN后，AlGaN表面产生损伤，电流崩塌效应进一步增强；采用电子束直写方式...
作者：薛舫时 刊期：2009年第01期
自洽求解薛定谔方程和泊松方程研究了CF。等离子体处理对AlGaN／GaN异质结能带的影响。证实了强F离子注入和势垒层的腐蚀是导致沟道电子气耗尽和夹断电压正移的根源。建立了夹断电压移动与异质结构间的关联，为精确的能带剪裁奠定了基础。针对GaN HFET对肖特基势垒、欧姆接触和沟道电场分布的要求，提出了用CF4等离子体剪裁能带的方案。
作者：万建岗 高玉良 王新 刊期：2009年第01期
设计了一种工作在S波段，频带宽度为400MHz，平均占空比≤10％，脉冲宽度≤200μs的1kW固态功率放大组件。组件采用四级放大结构．将5mW左右的激励信号放大到1kW，通过优化晶体管输入／输出匹配电路，应用三级Wilkinson功分／合成器，改善了组件增益平坦度和效率。测试结果表明，该组件在工作频率范围内输出功率≥1．2kW，效率≥30％，增益平坦度...
作者：王贵 华明清 王志功 唐万春 刊期：2009年第01期
基于共源级联放大器的小信号模型，详细分析了宽带放大器的输入阻抗特性和噪声特性。利用MOS晶体管的寄生容性反馈机理，采用TSMC公司标准0．18μm CMOS工艺设计实现了单片集成宽带低噪声放大器，芯片尺寸为0．6mm×1．5mm。测试结果表明，在3．1～5．2GHz频段内，S11＜－15dB，S21＞12dB，S22＜－12dB，噪声系NF＜3．1dB。电源电压为1．8V，功耗...
作者：宋家友 王志功 彭艳军 刊期：2009年第01期
采用IBM公司刚刚推出试用的0．35μm SiGe BiCMOS开发性工艺5PAe设计并实现了一个C波段功率放大器。该放大器采用两级单端结构，除集电极扼流电感外，其余元件全部片上实现，具有集成度高、结构简单的特点。通过在管子基极和匹配电感中串联电阻实现了全频段稳定。键合测试表明，在所有电源电压下电路均能稳定工作。在Vc=3．5V，VB=7V，f=4．1GHz...
作者：余俊 黄磊 吴建辉 张萌 刊期：2009年第01期
设计了一种基于双模预分频的宽范围可编程分频器。对预分频器的逻辑电路进行了改进，提高了最高工作频率，同时，引入输入缓冲级，增加了低频时分频器的输入敏感性。基于Chartered 0．25μm厚栅CMOS工艺，在SpectreRF中仿真，分频器可在50MHz～2．2GHz频率范围正常工作。流片测试结果表明，该分频器可正常工作在作为数字电视调谐芯片本振源的PLL...
作者：张友俊 刊期：2009年第01期
提出了一种新型的周期结构双频微带带通滤波器（BPF——Bandpass filter），该结构由刻蚀在补偿微带线微带两边的两个不同周期结构构成，在3．72GHz和6．01GHz频率范围内获得了两个通带，该滤波器具有低的插入损耗、紧凑的结构和好的选择性，仿真结果和实验结果符合较好。
作者：阴亚东 陈杰 丁光彩 王海永 刊期：2009年第01期
首先讨论了普通频带切换电路及使用它的锁相环的电路结构，指出了其存在切换频带时间较长的问题，进而提出并分析了一种改进的频带切换电路。该电路在锁相环切换频带时，产生与输入参考时钟同步的复位信号用于复位鉴频鉴相器（PFD）和环路分频器，从而加快了锁相环频带的切换。该电路基于smicRF 0．18μm 1．8V CMOS工艺设计和流片验证，测试结果...
作者：谢亮 夏晓娟 孙伟锋 刊期：2009年第01期
提出了一种快闪式红外焦平面阵列读出电路。采用改进的直接注入型单元电路，积分电容大小可选，能适应大范围的光背景条件，并且增加了图像变换（倒置／反转）功能。一款128×128阵列的读出电路已经基于标准0．5μm CMOS工艺实现，整体芯片的面积为8．0mm×8．5mm。实测结果表明，此读出电路具有良好的光电转换能力，同时具有功耗低、输出摆幅大、...
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