杂志简介：《固体电子学研究与进展》杂志经新闻出版总署批准，自1981年创刊，国内刊号为32-1110/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：三维集成射频微系统(专栏)、器件物理与器件模拟、射频微波与太赫兹、光电子学、硅微电子学、材料与工艺、研究简讯
杂志简介：《固体电子学研究与进展》杂志经新闻出版总署批准，自1981年创刊，国内刊号为32-1110/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：三维集成射频微系统(专栏)、器件物理与器件模拟、射频微波与太赫兹、光电子学、硅微电子学、材料与工艺、研究简讯
作者：毕津顺 海潮和 刊期：2008年第04期
对动态阈值nMOSFET阈值电压随温度退化特性进行了一阶近似推导和分析。动态阈值nMOSFET较之普通nMOSFET，降低了阈值电压温度特性对温度、沟道掺杂浓度及栅氧厚度等因素的敏感程度。讨论了动态阈值nMOSFET优秀阈值电压温度特性的内在机理。动态阈值nMOSFET优秀的阈值电压随温度退化特性使之非常适合工作于高温恶劣环境。
作者：张永 李成 赖虹凯 陈松岩 康俊勇 成步文 王启明 刊期：2008年第04期
制作了基区Ge组分分别为0．20和0．23的多发射极指数双台面结构SiGe异质结双极型晶体管（HBT）。实验结果表明，基区Ge组分的微小增加，引起了较大的基极复合电流，但减小了总的基极电流，提高了发射结的注入效率，电流增益成倍地提高。Ge组分从0．20增加到0．23，HBT的最大直流电流增益从60增加到158，提高了约2．6倍。
作者：刘战 沈静静 顾晓峰 于宗光 胡西多 臧佳锋 刊期：2008年第04期
采用三次样线方法（SADI）与高阶紧致差分相结合的方法计算用于半导体器件模拟的漂移扩散模型（DD）模型，并实现了该算法在半导体器件模拟中的应用。数值计算表明，这种方法可以降低方程的迭代次数约35％．并明显减少方程的求解时间。
作者：戴春祥 孙颖 朱大中 刊期：2008年第04期
为了降低阵列化光寻址电位传感器（LAPS Array）非敏感区域的噪声干扰，提出一种新的结构，对非敏感区域进行重掺杂，并在其表面生长厚氧化层。用同样的激光束照射，非敏感区域的光电流比敏感区域降低20dB以上。针对阵列化LAPS的特点，研究了电极位置变化、光源强度变化对测量结果的影响。给出了阵列化LAPS在不同应用中电极位置设置的建议，同时...
作者：李静强 杨瑞霞 冯震 邱旭 王勇 冯志红 默江辉 杨克武 张志国 刊期：2008年第04期
采用自主研发的SiC衬底GaNHEMT外延材料，研制了总栅宽为2mmGaNHEMT，利用负载牵引系统测试器件的阻抗特性，得出该器件源漏阻抗实部分别为6Ω和22Ω；设计并制作了四管芯合成器件的阻抗匹配网络．在频率为8GHz下测试，饱和输出功率为30W，功率增益在6dB以上，功率附加效率为38％，该结果目前在国内为首次报道。
作者：骆新江 杨瑞霞 吴景峰 周晓龙 姜霞 刊期：2008年第04期
运用微波在片测试技术和IC—CAP模型提取软件对总栅宽为850p．mPHEMT器件进行了大信号建模，并利用此模型，采用分布式放大器与电抗匹配相结合的方法，制备了一款三级宽带功率放大器。实验测试结果和ADS仿真结果相吻合。其测试结果为：在6～18GHz频段内，平均输出功率P。为33dBm。功率增益G，在22-24dB之间，功率附加效率PAE在23％～28％之间，...
作者：曹海勇 陈效建 钱峰 刊期：2008年第04期
报道了一个采用级联型单级分布式结构的宽带单片功率放大器的设计方法和研制结果。文中通过拓扑比较和人工传输线理论研究，分析出该功放设计的难点，并基于仿真实验，给出解决方案。最终研制的两级单片功放在6～18GHz频率范围内线性增益13．5dB，平坦度士1dB，输入输出驻波比均小于2。全频带上，饱和输出功率为300-450mW，功率附加效率大于15％...
作者：汪珍胜 陈效建 郑惟彬 李辉 刊期：2008年第04期
由于行波管“山丘状”功率增益特性需要补偿，提出了具有增益均衡功能的新型宽带单片放大器结构。利用FET作可调元件的嵌入式低损无源滤波网络实现了增益均衡功能。设计中采用了有别于传统的分布放大器形式，选择了高效率高增益级联型单级分布放大器结构。研制出的嵌入增益均衡滤波网络的三级级联型单级分布放大器，在6～14GHz频带范围内，仅使...
作者：黄亚森 王倩 袁成 高建军 刊期：2008年第04期
对0．13pmMOSFET噪声建模和参数提取技术进行了研究，在精确地提取了小信号模型参数之后，利用噪声相关矩阵技术从测量的散射参数和射频噪声参数直接提取了栅极感应噪声电流焉、沟道噪声电流习和它们的相关系数，并用PRC模型中的参数来表示。将参数提取结果带入ADS中进行仿真，在2～8GHz频段上仿真结果与测量数据吻合良好。
作者：张敏 张有涛 陈新宇 刊期：2008年第04期
采用0．18um CMOS工艺设计并实现了1：2静态分频器。设计中为达到高速率和高灵敏度，对传统的SCFL结构D触发器进行了拓扑及版图优化。测试结果表明，电源电压为1．8V时，该分频器最高工作频率高于10．5GHz，最低工作频率低于2．5MHz（受测试条件限制），输入信号0dBm时的工作频率范围为2．5MHz～9．4GHz，芯片核心功耗9mw，核心面积50um×53um。
作者：杨非 齐宁华 孙忠良 刊期：2008年第04期
采用径向＋轴向模式匹配法完成了蓝宝石回音壁的模式分析，包括高次回音壁模式谐振频率的计算和电磁场分布，并研究了回音壁模谐振器的金属腔体设计等关键问题。制作的高Q蓝宝石谐振器在10．99GHz处，有载Q值达到了45000、插入损耗小于9dB。谐振器性能指标优越，非常适合应用于低相位噪声振荡器设计中。
作者：徐丽 黄成 徐佳 刘志明 吴建辉 刊期：2008年第04期
给出了一种用二端口矢量网络分析仪（VNA）对多端口器件进行测量的方法，该方法运用简单的迭代法，减小由于其余端口所接负载的非匹配性引入的误差，易于通过软件实现。利用该方法对三端口器件巴伦进行测量，并将最后结果与三端口VNA测得的结果进行比较。比较结果表明，幅度误差小于0．2dB，相位误差小于3°。该方法在多端口VNA不可获得的情况下...
作者：丁桂英 姜文龙 汪津 王立忠 常喜 王广德 刊期：2008年第04期
采用Alq3、TPBi和BCP分别作为电子传输材料和空穴阻挡材料，制备了三种器件，研究了用不同的空穴阻挡材料对器件性能的影响。实验结果表明：只采用30nmAlq3作电子传输层的器件的电流效率最大值为7．84cd／A（9V），而采用10nmAlq3作电子传输层，插入20nm的BCP和TPBi作空穴阻挡层的器件获得的电流效率最大值分别为9．72cd／A和12．21cd／A（9V）...
作者：顾晓玲 郭霞 林巧明 梁庭 郭晶 沈光地 刊期：2008年第04期
根据色度学基本原理，对荧光粉转换白光发光二极管（LED）和两基色、三基色白光LED进行了配色计算，得到了距离理想白光点色度坐标（1／3，1／3）小于0．5％范围内的众多基色组合，同时对光视效能、显色指数和荧光粉转换效率等参数进行了分析，提出了荧光粉转换白光LED和两基色、三基色白光LED的最佳基色组合，并在实验上对荧光粉转换白光LED进...
作者：高伟 邹德恕 郭伟玲 宋欣原 孙浩 沈光地 刊期：2008年第04期
全方位反射镜（ODR）AIGaInP发光二极管能够有效提高光提取效率。对全方位反射镜的设计及工艺进行优化：采用2／4n厚的SiO2作为介质，光刻腐蚀导电孔，带胶保护，溅射AuZnAu，剥离后，再溅射300nmAu层，形成的ODR退火后在波长630nm处的反射率为72．1％，而单次溅射AuZnAu的反射率退火后为63．2％。实验结果说明新工艺满足了欧姆接触的需要，反射...
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