首页 期刊 固体电子学研究与进展 功率器件漏电流的PEM定位和分析 【正文】

功率器件漏电流的PEM定位和分析

作者:吴顶和 方强 邵雪峰 俞宏坤 复旦大学材料科学系 上海200433 快捷半导体(苏州)有限公司 江苏苏州215021
光发射显微镜   功率器件   漏电流定位   失效分析  

摘要:光发射显微镜(PEM)系统是应用于微电子器件漏电流定位和分析的有效工具。利用PEM系统的激光光束诱导阻抗变化(OBIRCH)功能和光发射(EMMI)功能,从正面可直接对功率器件大的漏电流进行定位观察。利用PEM的EMMI功能,还可从背面对器件微弱的漏电流进行定位和分析。介绍了PEM系统对功率器件芯片不同量级的漏电流进行定位与分析的应用,为分析功率器件漏电流失效提供依据。

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