杂志简介：《固体电子学研究与进展》杂志经新闻出版总署批准，自1981年创刊，国内刊号为32-1110/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：三维集成射频微系统(专栏)、器件物理与器件模拟、射频微波与太赫兹、光电子学、硅微电子学、材料与工艺、研究简讯
杂志简介：《固体电子学研究与进展》杂志经新闻出版总署批准，自1981年创刊，国内刊号为32-1110/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：三维集成射频微系统(专栏)、器件物理与器件模拟、射频微波与太赫兹、光电子学、硅微电子学、材料与工艺、研究简讯
作者：邹晓; 徐静平; 朱秋玲; 黎沛涛; 李春霞 刊期：2007年第02期
采用反应磁控溅射方法在Ge衬底上分别制备了HfTiO和HfO2高κ栅介质薄膜,并研究了湿N2和干N2退火对介质性能的影响。由于GeOx在水气氛中的水解特性,湿N2退火能分解淀积过程中生长的锗氧化物,降低界面态和氧化物电荷密度,有效提高栅介质质量。测量结果表明,湿N2退火Al/HfTiO/n-GeMOS和Al/HfO2/n-GeMOS电容的栅介质等效厚度分别为3.2nm和3.7nm,-1V栅...
作者：邢艳辉; 韩军; 刘建平; 牛南辉; 邓军; 沈光地 刊期：2007年第02期
对金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上生长的p型氮化镓(p-GaN)在氮气气氛下的热退火进行研究。用Hall测试系统测量不同温度、不同时间退火后样品的电学性能;对一组蓝光LEDs分别进行不同退火温度、退火时间实验,对退火前后量子阱峰值强度半高宽和积分面积变化进行了比较研究。实验表明p-GaN在825°C、8min条件下退火可以取得较高的...
作者：李春霞; 徐静平; 王虎 刊期：2007年第02期
研究了新型SiCMOS电容的制备工艺。采用干O2+CHCCl3(TCE)热氧化方法生长6H-SiCMOS氧化层。研究了TCE浓度与SiC/SiO2界面态电荷密度和氧化层电荷密度和应力下平带电压漂移的关系,随着TCE浓度的增加,SiC/SiO2界面态电荷密度和氧化层电荷密度先减小后增大,应力下平带电压漂移减小,得出了最佳TCE:O2浓度比。
作者：王维波; 张斌 刊期：2007年第02期
采用0.5μmpHEMT工艺研制了Gilbert式单片混频器,设计采用了电流注入技术及跨导级源端负反馈技术,在C波段测试表明:变频增益大于1.5dB,单边带噪声系数典型值为12.5dB,变频带宽约为DC～1GHz,所需本振功率实测值为1.6dBm。
作者：王闯; 钱蓉; 孙晓玮 刊期：2007年第02期
给出了一种基于功率PHEMT工艺技术设计加工的K波段反馈式MMIC宽带功率放大器。在21～29GHz的工作频段内,当漏极电压为6V、栅电压为-0.25V、电流为111mA时,1dB压缩点输出功率大于21dBm,小信号增益在13±1.5dB,输入驻波比小于3,输出驻波比均小于1.7。芯片尺寸:1mm×2.5mm×0.1mm。同时给出了一种芯片级电磁场仿真验证方法,用该方法仿真的结果和测试结...
作者：黄华; 陈晓哲; 刘亮; 陈立强; 张健; 张海英 刊期：2007年第02期
报道了基于0.25μm GaAs PHEMT工艺的2.8～4.2GHz MMIC低噪声放大器,详细介绍和分析了低噪声放大器的器件基础和设计原理,设计采用源极串联电感负反馈方法使输入阻抗共轭匹配和最小噪声匹配趋于一致,偏置网络采用自偏置栅压、单电源供电,并用ADS软件仿真。电路评估板选用Rogers RO4350B,在2.8～4.2GHz频段内测得增益大于20dB、增益平坦度小于2.5d...
作者：胡嘉盛; 李巍; 任俊彦 刊期：2007年第02期
设计了采用SMIC0.18μm RF CMOS工艺的共源共栅NMOS结构的增益可变的差动式低噪声放大器。在考虑了ESD保护pad和封装寄生效应后,着重对低噪声放大器的输入阻抗匹配、增益以及共源共栅级联结构下的噪声系数、线性度等进行了一系列分析,并提出了优化措施。芯片测试结果表明:在1.56GHz中心频率下,-3dB带宽约为150MHz,输出最大电压增益为27dB,此时噪...
作者：吴健; 应海涛; 钱峰; 戴雷; 王子良 刊期：2007年第02期
介绍了一种400～520MHz耦合度为-20dB的LTCC多层片状耦合器的设计。该耦合器由两个高耦合系数多层电感相互耦合而成,它的应用频率范围是400～520MHz。用标准LTCC工艺实现的耦合器尺寸仅1.6mm×3.2mm×0.76mm,耦合度-20±2dB,隔离度-35dB,反射损耗小于-20dB。
作者：李丽; 赵正平; 张志国; 郭文胜; 吕苗; 杨瑞霞 刊期：2007年第02期
报道了一种中心频率为2GHz的电感电容(LC)压控振荡器,其谐振回路由微机械可变电容和键合线电感构成。微机械可变电容采用与集成电路兼容的表面微机械工艺制造,在2GHz时其Q值约为32.6,当调节电压从0V增大到12V时,电容量变化范围为25%。通过键合技术将微机械可变电容与有源电路集成在一起,制备了MEMSVCO器件,测试结果表明,载波频率为2.004GHz时,VC...
作者：徐钰; 石艳玲; 沈迪; 胡红梅; 忻佩胜; 朱荣锦; 刘赟; 蒋菱 刊期：2007年第02期
通过高频C-V测试得到实验制备的共平面波导(CPW)下方的Si/SiO2系统电荷主要表现为正电荷,其密度约为4.8×1010/cm2。三种不同衬底上50Ω共平面波导分别为直接制备于高阻硅上、高阻硅氧化层上、去除信号线与地线间的高阻硅氧化层上。20GHz时,测得上述三种CPW的微波传输损耗分别为-0.88dB、-2.50dB及-1.06dB,因此去除线间氧化层使得传输线损耗降低了...
作者：肖芬; 骆超艺; 陈赐海 刊期：2007年第02期
根据微波谐振系统中电场的波动方程,采用复频率和有耗导体的边界条件,导出以被测介质的复介电常数为本征值的微分和变分方程。使用MATLAB软件中的PDE工具箱,只要是能以二维形式作图表现的微波介质谐振器,都可以求解出其复介电常数,且与实验数据及不同方法计算的结果相吻合,该方法适用面广、计算精确、简洁方便。
作者：戴振清; 杨克武; 杨瑞霞 刊期：2007年第02期
在半导体材料中,谷轨道耦合作用使得施主能级发生分裂(Valley-orbit splitting)。通过引进电子在分裂能级上的配分函数和综合平均能量增量,得到了适用于施主能级分裂的分布函数。利用新得到的分布函数对掺As的Si和含N的6H-SiC进行最小二乘曲线拟合,得到的杂质热电离能与光电离能完全吻合。
作者：郭健民; 张科; 顾培培; 李文宏 刊期：2007年第02期
设计与实现了一种适用于主板电压调整器(VRM)数字控制模块的模数转换器(ADC)。文中采用Flash比较方式减少A/D转换延时,采用窗口式量化结构减小电路功耗。电路采用HSPICE仿真,Chartered0.35μm CMOS工艺流片实现。测试结果表明:ADC的量化阶梯为10mV,A/D转换延时为10ns,在采样频率为1MHz时,其功耗为7mW。VRM系统测试表明,该ADC满足VRM数字控制模块...
作者：尚勋忠; 松下和征; 井上知也; 喜多隆; 和田修; 保田英洋; 森博太郎 刊期：2007年第02期
用低温光荧光(PL)和透射电子显微镜(TEM)研究了表面氮化自组织InAs/GaAs量子点的光学性能和微观结构。结果表明氮化后形成薄层的InAsN薄膜作为应变缓和层覆盖在量子点的表面,使得随着氮化时间的增加,InAs量子点的位错密度提高、尺寸变大、纵横比提高、发光波长变长、强度变低。
作者：郭维廉; 关薇; 牛萍娟; 张世林; 齐海涛; 陈乃金; 王伟 刊期：2007年第02期
设计并研制了InGaP/GaAs/InGaP超薄基区(8nm)负阻异质结晶体管(UTBNDRHBT)。并用它构成一个单-双稳转换逻辑单元(Monostable-bistable transition logic element,简称MOBILE)。经过测试,证实其具有与GRTD、RTD/HEMT构成的MOBILE相类似的逻辑功能。
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