杂志简介：《固体电子学研究与进展》杂志经新闻出版总署批准，自1981年创刊，国内刊号为32-1110/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：三维集成射频微系统(专栏)、器件物理与器件模拟、射频微波与太赫兹、光电子学、硅微电子学、材料与工艺、研究简讯
杂志简介：《固体电子学研究与进展》杂志经新闻出版总署批准，自1981年创刊，国内刊号为32-1110/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：三维集成射频微系统(专栏)、器件物理与器件模拟、射频微波与太赫兹、光电子学、硅微电子学、材料与工艺、研究简讯
作者：薛舫时 刊期：2007年第01期
从自洽求解薛定谔方程出发，计算了氮化物异质结中的二维电子气、退局域态和二维表面态。研究了电子气二维特性与迁移率间的关联。用电子气的二维特性和沟道电子向表面态溢出模型解释了室温和低温下迁移率随电子浓度变化的行为。以电子迁移率与异质结构间的关联为依据，提出了优化设计异质结构来增大电子迁移率和降低迁移率随电子浓度变化的新思...
作者：韩茹; 杨银堂 刊期：2007年第01期
提出了一个在较宽温度范围内能精确描述6H—SiC PMOS性能的器件模型。该模型将阈值电压、沟道迁移率、体漏电流、源漏薄层电阻的温度效应等效为相应的补偿电流源，并计人界面态电荷高斯分布模型及体内Poole—Frenkel效应。模拟结果表明，阈值电压是引起高温条件下输出电流变化的主要因素，同时随着温度的升高，由于体内缺陷的存在导致体漏电流所...
作者：郭宝增; 师建英; 宫娜 刊期：2007年第01期
用全带多粒子Monte Carlo模拟方法研究了GaN基肖特基势垒静电感应晶体管（SIT）的特性，给出了器件的电势、电场强度和电子浓度分布的Monte Carlo模拟结果。模拟得到的SIT输出特性曲线呈现非饱和特性，即类三极管特性。当VGs=0，VDS=35V时，漏源电流为47A／cm，跨导为300mS／mm，电流截至频率为150GHz。结果表明该器件具有大电流、高跨导和高频...
作者：何怡刚; 彭浴辉; 李必安; 李亨; 刘慧; 方葛丰 刊期：2007年第01期
在对单电子晶体管主方程模型及主方程的解法详细的分析的基础上，把单电子晶体管主方程模型和SPICE的ABM功能结合，提出了基于主方程的单电子晶体管SPICE模型。该模型由一个非线性电压控制电流源、非线性电压控制电压源、电容构成。并利用该模型对单电子晶体管V—I特性进行SPICE模拟，同直接解主方程解法相比，仿真结果表明该模型具有合理的精确...
作者：汤如俊; 张万里; 张文旭; 彭斌 刊期：2007年第01期
利用微磁学方法系统研究了纳米尺度的NiFe薄膜菱形单元的自发磁化状态及剩磁状态。研究结果表明，在不同的尺寸下，菱形单元将有不同的自发磁化状态及剩磁状态。在单元的长宽尺寸小于某个临界尺寸时．菱形单元结构呈现单畴态。同时还分析了菱形NiFe单元作为磁性随机存储器（MRAM）存储单元时的要求。
作者：胡留长; 郭维廉; 张世林; 梁惠来; 宋瑞良 刊期：2007年第01期
已研制成了肖特基栅共振隧穿晶体管，在双势垒结构上蒸发铂金形成栅。通过调制准二维电子积累层的面积进而达到控制隧穿电流的目的。并对发射极正反接电压不同而出现的不同调制现象进行了分析。
作者：华明清; 王志功; 丁敬峰 刊期：2007年第01期
采用OMMIC公司提供的0．2μmGaAsPHEMT工艺（FT=60GHz）设计并实现了一种适用于宽带无线通信系统接收前端的低噪声放大器。在3．1～10．6GHz的频带内测试结果如下：最高增益为13dB；增益波动〈2dB；输入回波损耗S11〈-11dB；输出回波损耗S22〈-16dB；噪声系数NF〈3．9dB。5V电源供电，功耗为120mw。芯片面积为0．5mm×0．9mm。与近期公开发表的宽...
作者：陈新宇; 冯欧; 蒋幼泉; 许正荣; 黄子乾; 李拂晓 刊期：2007年第01期
采用GaAsPIN二极管，完成1～26．5GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作。SPST开关单片带内插损小于0．5dB，驻波优于1．1，隔离度大于27dB，在10～26．5GHz，隔离度大于37dB。开关单片采用MOCVD生长的GaAs纵向PIN二极管材料结构，Ф76mm GaAs圆片工艺加工制作。
作者：周建明; 高晓薇; 陈宁; 郭德纯; 费元春 刊期：2007年第01期
提出了一种利用SRD产生窄脉冲信号的方法，对其产生窄脉冲的机理进行了分析和仿真，为了使得脉冲宽度变得更窄.电路采用了NLTL结构．拓展了SRD产生窄脉冲的应用．文中分析了NLTL的工作原理。设计了基于SRD和NLTL的皮秒级脉冲产生电路，给出了测试结果．脉冲宽度为110ps，幅度为3V。
作者：王闯; 钱蓉; 喻筱静; 顾建忠; 孙晓玮 刊期：2007年第01期
给出了一种应用在毫米波前端的单平衡环形混频器。该混频器采用高介电常数的复合材料（Rogers Duroid3010 εr=10．2），以获得较小的芯片面积；电路设计中重点考虑了在较低的本振功率的情况下获得较小的变频损耗，并给出了一种新的混合环的分析方法。当本振在36．5GHz有9dBm的功率输入时，混频器有7dB的变频损耗，双边带噪声系数11．5dB，本振到...
作者：席占国; 秦亚杰; 苏彦锋; 洪志良 刊期：2007年第01期
介绍了采用0．35μmCMOS工艺实现的单边带上变频混频电路。该混频电路可用于低中频直接混频的PCS1900（1850～1910MHz）发射器系统中。电路采用了multi—tanh线性化技术．可以得到较高的线性度。在单电源＋3．3V下，上混频器电流约为6mA。从上混频电路输出级测得ⅡP3约8dBm，IP1dB压缩点约为0dBm。
作者：雷啸锋; 刘泽文; 李志坚; 刘理天 刊期：2007年第01期
给出了改进的电容式开关等效电路模型以及基于该电路模型的一种新型的多频段工作的电容式RFMEMS开关的设计和制作研究。分析表明，当开关的上电极为多支撑梁结构时，需要对传统的开关等效电路加以改进。利用新型等效电路模型进行模拟发现，通过适当的参数选择，可以获得多谐振点开关。不仅可以在多个频段适用，并且可以适用于较低频段。设计了一...
作者：陈勖; 王志功; 李伟 刊期：2007年第01期
采用了国内0．6μm标准CMOS工艺设计实现了一种单片集成的分布式放大器。放大器采用四级级联结构，单元电路采用管联（cascode）结构以提高隔离度。在输人输出端50Ω匹配情况下，测试得到的频带宽度为0．1～4.0GHz，增益为5.0±1.0dB，输入输出的回波损耗分别小于-10dB和-7dB。在5V供电下功耗约为110mW。
作者：詹陈长; 王勇; 周晓方; 闵昊; 周电 刊期：2007年第01期
通过一个0.18μmCMOS工艺、低功耗Sigma—Delta ADC调制器（SDM）部分的设计研究．提出了一种深亚微米下混合信号处理系统的设计方法，论述了从系统级行为验证到电路级验证的设计流程，与传统流程相比，在行为级验证中采用了SIMULINK建模方法，在电路级的验证中，提出了从宏模型验证到晶体管级细电路验证这样一种新颖的设计方案，其中所提出的宏...
作者：朱樟明; 杨银堂; 刘帘曦; 吴晓鹏 刊期：2007年第01期
讨论分析了混合信号集成电路衬底噪声耦合的机理，及对模拟电路性能的影响。提出了一种混合信号集成电路衬底耦合噪声分析方法，基于TSMC0．35μm2P4M CMOS工艺，以14位高速电流舵D／A转换器为例，给出了混合信号集成电路衬底耦合噪声分析方法的仿真结果，并与实际测试结果进行比较，证实了分析方法的可信性。
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